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基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)

作者: 時(shí)間:2013-08-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

圖3為實(shí)驗(yàn)電路,三相交流電源經(jīng)隔離變壓器、不控整流器得到0~1 kV可調(diào)直流電源Udc。Cd1,Cd2為濾波電容,Rd1,Rd2為Cd1,Cd2放電電阻。電路采用兩個(gè)IGBT串聯(lián)模塊。一個(gè)模塊做串聯(lián)開關(guān)管V1,V2,另一個(gè)模塊始終關(guān)斷。利用其反并聯(lián)二極管形成續(xù)流回路。驅(qū)動(dòng)脈沖頻率100 Hz,占空比0.01,由TMS320F28335發(fā)出,經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路控制IGBT。驅(qū)動(dòng)芯片為M57962L。Z1,Z2為1N5378B,1N5363B串聯(lián)構(gòu)成。電路參數(shù):Z1為100 V,Z2為330 V;C=2.2 nF;R1=24 Ω,R2=1.5 kΩ。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/159275.htm

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圖4為無電路時(shí)串聯(lián)IGBT uCE波形。可見,在T1階段,由于關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷速率不同,造成串聯(lián)IGBT的uCE不。在T2階段,由于串聯(lián)IGBT拖尾電流不等,造成串聯(lián)IGBT不均壓。加入均壓電路后,如圖5b所示,在第1個(gè)箝位點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了uCE波形兩階段的電壓變化率控制;在第2個(gè)箝位點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了。均壓電路對(duì)拖尾電流引起的不均壓和關(guān)斷穩(wěn)態(tài)不均壓都有顯著控制效果。驗(yàn)證了穩(wěn)壓管箝位均壓原理的有效性。

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當(dāng)串聯(lián)單個(gè)IGBT承受電壓較高時(shí),電路中穩(wěn)壓二極管需串聯(lián)。由于穩(wěn)壓二極管增多導(dǎo)致可靠性降低,其在高壓大功率場合的使用受到限制。



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