多晶硅鑄造過(guò)程溫度場(chǎng)模擬仿真

3.2多晶硅鑄錠爐內(nèi)溫度場(chǎng)

在反算出加熱器熱流密度的條件下，計(jì)算得出的多晶硅鑄錠等溫線及鑄錠爐內(nèi)溫度場(chǎng)分別如圖7和圖8所示。

由圖7(a)和圖8(a)可見(jiàn)，在加熱階段，由于鑄錠爐內(nèi)溫度迅速升高，加熱爐和多晶硅錠內(nèi)部出現(xiàn)明顯的溫度梯度，硅錠中心線處的溫度比邊緣處的要低一些，硅料的等溫線呈現(xiàn)出微凸形，說(shuō)明硅料加熱從坩鍋?lái)敳考八闹芟蛑行倪M(jìn)行。

由圖7(b)和圖8(b)可見(jiàn)，在熔化階段爐內(nèi)整體溫度場(chǎng)上升較加熱階段稍有緩慢。等溫線的密度相比加熱階段有稍有減小，即溫度梯度減小。硅料逐漸接近熔化狀態(tài)，硅料溫度上高下低，硅料的熔化進(jìn)程由上到下逐漸推進(jìn)。

由圖7(c)、(d)和圖8(c)、(d)可見(jiàn)，在結(jié)晶階段，爐內(nèi)溫度緩慢降低，鑄錠爐內(nèi)溫度略有下降，整個(gè)溫度場(chǎng)溫度變化比較緩慢，爐內(nèi)溫度變化平穩(wěn)。硅料內(nèi)部等溫線逐漸趨于稀疏，即硅料內(nèi)部的溫度梯度減小。硅料中的溫度由上向下逐漸變低。而在硅錠中心線處的溫度變化比硅錠邊緣處的變化更緩慢，硅錠的等溫線呈現(xiàn)出微凸形。從圖7(c)、(d)和圖8(c)、(d)中可以發(fā)現(xiàn)，硅錠中心線處的溫度梯度比邊緣處的溫度梯度小。

由圖7(e)和圖8(e)可見(jiàn)，退火階段溫度較結(jié)晶階段有所上升，溫度梯度變化不明顯。

由圖7(f)和圖8(f)可見(jiàn)，冷卻階段硅錠以及加熱爐內(nèi)溫度迅速下降，并且硅錠溫度比較均勻一致，硅錠中心線處的溫度比硅錠邊緣處的高，硅錠的等溫線呈現(xiàn)出微凹形，說(shuō)明冷卻板中心冷卻強(qiáng)度最大。

4結(jié)論

本文用增量式PID控制方法在已知監(jiān)測(cè)點(diǎn)溫度變化曲線的前提下，有效反算出多晶硅鑄錠爐加熱器熱流密度邊界條件。采用同樣的方法還可以反算確定冷卻板的熱流密度等其他邊界條件。采用這一方法得出的多晶硅鑄錠爐溫度場(chǎng)結(jié)果表明：在加熱階段，多晶硅錠加熱從頂部及四周向底部中心傳遞；在熔化階段，硅料溫度梯度逐漸減??；在結(jié)晶階段，硅錠中的溫度由上向下逐漸變低。在退火及冷卻階段，硅錠中的溫差變得更小。模擬結(jié)果對(duì)設(shè)計(jì)多晶硅凝固工藝有實(shí)際意義。