功率模塊中傳感器的應用

對不同位置傳感器所帶來的影響進行了一項研究。功率模塊的一個模型如圖 2所示。該模塊沒有銅底板，安裝在一個風冷鋁散熱器上。不同傳感器的熱耦合不同，從傳感器A）在同一銅層上與功率半導體直接相連，到傳感器B）和C）在模塊內不同位置進行隔離，到放置在散熱器上模塊旁的傳感器D）。由于不同的熱耦合，每個傳感器有不同的結（ j ）到傳感器（r）熱阻Rth(j-r)。

用于過熱保護的斷路電平可在準靜態(tài)條件為每個傳感器設定。例如，如果Tj 不能超過140°C，則所研究案例系統(tǒng)的“過熱關斷”斷路電平將從120°C（傳感器A）、110°C（傳感器B）、100°C（傳感器C）至70°C（傳感器D）不等。源和傳感器之間的耦合越好，冷卻系統(tǒng)的影響越低。這是集成解決方案的一個很大的優(yōu)勢。

不過，對于其他冷卻條件（散熱材料和根基厚度、冷卻介質、導熱硅脂厚度），斷路電平不得不設定為新的值。這使得IPM的制造商很難為任意給定的應用將過熱斷路電平設定至一個適當值。為此，傳感器信號應由外部上位控制器進行監(jiān)測，并且如果需要的話，熱保護電平應與冷卻系統(tǒng)相匹配。

為顯示冷卻系統(tǒng)所產生的影響，導熱硅脂層的厚度由原來的50 µm增加至100 µm。由于傳感器A與功率半導體有著最佳的熱耦合，因此可以看出對Rth(j-r) 的影響最低，其值只增加了3%。 傳感器B和C的Rth(j-r) 值增加了 7…8%。冷卻系統(tǒng)對傳感器D的Rth(j-r)影響最大，其值的增加超過 25%。

另一個問題是溫度傳感器是否能夠在短時過載的情況下保護功率半導體。每個傳感器對結溫升高做出反應的時間存在延遲，該延遲與傳感器的位置相關。這一特性由熱阻抗Zth(j-r)來描述。它的表現與期望的不一致（見圖3）。Zth(j-r)與結到散熱器的熱阻抗Zth(j-s)（直接在芯片下）的比較表明 在一秒鐘之后系統(tǒng)的結-散熱器熱阻抗已達到穩(wěn)態(tài)條件，而系統(tǒng)的結-傳感器則需要100秒才能到達穩(wěn)態(tài)。其中的原因是散熱器內部存在熱擴散。

圖3：結（ j ）到不同位置傳感器（rX ）和散熱器的熱阻抗

對于每一個功率半導體，其靜態(tài)功耗Ptot的最大值是指定的。對于示例中的從50% Ptot至200% Ptot的過載跳變，半導體將一段時間后過熱。傳感器A將在0.19s后達到其120°C的斷路電平，提供可靠的設備保護并將結溫保持在約150°C。由傳感器B和C提供保護的設備的結溫將處在160 °C至170°C這樣一個危急的范圍內；在這些情況中，傳感器需要0.3…0.4s達到斷路電平。取決于器件的特性，這可能意味著已經超過了數據手冊中規(guī)定的限額。傳感器D的反應時間超過1秒，因此無法保護設備。對于過載非常高且啟動溫度低的情況，溫度傳感器不能提供任何適當的保護。

有關不同溫度傳感器位置優(yōu)缺點的概述在表1中列出，由于有隔離，位于B位置的傳感器如今是首選的方案。如果未來驅動器帶保護電路并且信號在驅動器二次側進行變換，則可能意味著傳感器位置A 也許是更好的解決方案。

集成保護
如果發(fā)生短時過載，設備保護將存在一個空隙。電流傳感器的斷路值設定為較高值以允許短時過載，比如在電機起動的時候。長期運行在該電流等級下將導致設備過熱。在大多數情況下，溫度保護元件的反應時間太長而無法檢測到這種過熱。

填補這一空白的一種可能的方式是利用電流及溫度信號的軟件關斷。逆變控制器以傳感器的溫度和電氣運行條件為基礎計算結溫。tp時刻的結溫可由下式計算出：

P0為t=0s 時的功耗，Pover為過載時的功耗。這里，熱阻抗Zth(j-r)如數據手冊中所述，模擬溫度信號Tr也是需要的。

表1：有關不同位置溫度傳感器是否適合于保護功率半導體的比較。

總結

IPM內的集成傳感器在寬范圍運行條件下保護像SKiiP這樣的功率模塊。配備合適的評估電路，它能作為一個協同效應為過程控制提供高質量的信息。這可以節(jié)省空間、成本和開發(fā)時間。通過外部觀測器，可用傳感器信號的聯合可填補應用中特定保護的空隙。