功率放大電路的關(guān)鍵問題
制作電壓放大級,通??捎霉舶l(fā)射極或共基極以及源接地或柵接地的有電壓增益的電路。這些電路僅進(jìn)行電壓放大,因電路的電流小,故沒有發(fā)熱的問題。
在制作電流放大級時(shí),要對電壓放大級放大后的電平信號進(jìn)行處理。因此,電源電壓與電壓放大級一樣,且由于進(jìn)行電流放大需流過大電流,所以晶體管變得很熱。
通常,在電流放大級使用射極跟隨器和源極輸出電路,但在器件發(fā)熱很嚴(yán)重的情況下,電路空載電流的溫度穩(wěn)定度就成為問題。首先解決這個(gè)問題是最為重要的。
簡單的推挽電路
在射極跟隨器的偏置方法。其中為無信號時(shí),Tr1與Trz截止、空載電流沒有流動(dòng)的情況,此種情況完全不必考慮溫度穩(wěn)定性問題。
但是,如上述第3章實(shí)驗(yàn)所示,該電路的開關(guān)失真大,因此在本書設(shè)計(jì)的聲頻功率放大電路中沒有被使用。在聲頻以外的用途中(例如驅(qū)動(dòng)電機(jī)和各種傳動(dòng)裝置),不考慮溫度穩(wěn)定度也行,所以它是很有“作為”的電路。
對開關(guān)失真進(jìn)行修正
對晶體管的基極一發(fā)射極間電壓VBE用二極管EEEHA1H1R0R的正向壓降VF進(jìn)行抵消、進(jìn)而來消除開關(guān)失真的電路。
晶體管VBE的值具有溫度越高就越小的負(fù)溫度系數(shù)(-2.5mV/℃)。因此,由這樣昀電路取出大量負(fù)載電流時(shí),Tr1與Tr2的溫度就升高(由集電極損耗引起的發(fā)熱),VBE的值就變小。
然而,即使Tr1和Tr2的溫度變高,二極管D1和D2上流動(dòng)的電流變化也不大,所以,其正向壓降VF也幾乎是一定值。就是說,VF≈VBE的關(guān)系被破壞,而成為VF>VBE。
這樣一來,在Tr1和Tr2中,與VF和VBE之差相對應(yīng)的基極電流流動(dòng),為基極電流矗FE倍的集電極電流作為空載電流而流動(dòng),并且,這個(gè)集電極電流不是在負(fù)載上流動(dòng),而是通過Tr1與Tr2在電源一電源(GND)之間流動(dòng)。
這樣,進(jìn)一步增加了集電極電流。由此,晶體管的溫度變得更高,VF和VBE的電壓差變大,集電極電流變得更大。
這種情況反復(fù)地進(jìn)行著,最后,流過非常大的集電極電流,導(dǎo)致Tr1和Tr2發(fā)生熱損壞。這就是晶體管的熱擊穿原理。
電路,當(dāng)大電流流過時(shí),有熱擊穿的擔(dān)心,但在負(fù)載電流小的情況下,這又是很常用的電路。
防止熱擊穿
電路中接入發(fā)射極電阻來吸收VF與VBE的電壓差,從而限制發(fā)射極電流的電路。空載時(shí)的集電極電流被限制在(VF-VBE)/R。
該電路更加安全。但想減少空載時(shí)的集電極電流,則必須增大R的值。
例如,VF與VBE的電壓差為lOOmV時(shí)(D1,D2寫Tr1,Tr2的溫度差為40℃,約產(chǎn)生lOOmV的電壓差),為了將空載時(shí)的集電極電流控制在lOmA,則必須設(shè)定R=lOΩ。
這樣一來,即使射極跟隨器的輸出阻抗為0,該電路的輸出阻抗也為ZO一10Ω。
因該發(fā)射極電阻引發(fā)的損失,在大電流輸出的電路中就不能驅(qū)動(dòng)如揚(yáng)聲器那樣的低阻抗負(fù)載(揚(yáng)聲器的阻抗為6~8Ω)。
還有一點(diǎn),該電路因溫度產(chǎn)生的電壓差僅由電阻吸收,所以沒有根本地解決空載電流隨溫度變動(dòng)的問題。
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