第2代FS SA T IGBT可顯著減少單端諧振逆變器總損耗

高壓IGBT的性能顯著提高?，F(xiàn)今最常用的IGBT技術(shù)是場截止IGBT(FS IGBT)技術(shù)，它結(jié)合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，同時克服了兩者的缺點。FS IGBT在導通狀態(tài)時提供較低的飽和壓降VCE(sat)，在關(guān)斷時刻提供較低的開關(guān)損失。但由于傳統(tǒng)的IGBT不含有固有體二極管，所以大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用通常將其與額外FRD封裝在一起。本文將介紹飛兆半導體的第2代1400V場截止Shorted Anode溝道(FS-SA T)IGBT(具有不同于一般IGBT的固有體二極管)在感應(yīng)加熱(IH)系統(tǒng)中的應(yīng)用，并注重介紹它在單端(SE)諧振逆變器中的效率等特性。

場截止Shorted Anode溝道IGBT

雖然NPT(非穿通)IGBT通過在關(guān)閉轉(zhuǎn)換期間減少少數(shù)載流子噴射量并提高復合率提高了關(guān)閉速度，但由于VCE(sat)較高而不適合某些高功率應(yīng)用，因為n-漂移層必須輕摻雜，結(jié)果在關(guān)閉狀態(tài)期間需要較厚的漂移層以維持電場，如圖1(a)所示。n-漂移層的厚度是IGBT中飽和壓降的主要因素。

圖1：NPT IGBT(左)和場截止IGBT(右)。

通過在n-漂移層和p+集電極之間插入n摻雜場截止層，如圖1(b)中所示，可減小n-漂移層的厚度。這是場截止概念，應(yīng)用場截止概念的IGBT稱為場截止IGBT(FS IGBT)。在FS IGBT中，場截止層內(nèi)的電場急劇減小，而在n-漂移層中會逐漸減小。因此，漂移層的厚度和飽和壓降可顯著降低。溝道柵結(jié)構(gòu)也改善了飽和壓降。此外，F(xiàn)S IGBT的場截止層在關(guān)斷瞬間期間加快了多數(shù)載流子復合，因此其尾電流遠遠小于NPT或PT IGBT。這降低了開關(guān)損耗。

然而，傳統(tǒng)FS IGBT由于p-、n-、n、p+結(jié)構(gòu)而不包括類似PT和NPT IGBT的固有體二極管。因此對于大多數(shù)應(yīng)用，應(yīng)將它與其他FRD封裝在一起。但最近興起一個新的理念，即像MOSFET一樣將體二極管嵌入到IGBT中。這稱為Shorted Anode IGBT(SA IGBT)。圖2顯示了將Shorted Anode理念移植到場截止溝道IGBT的概念。Shorted Anode場截止溝道IGBT(FS SA T IGBT)的主要理念是將n+集電極間歇地插入到p+集電極層。在這種情況下，n+集電極直接接觸場截止層并用作PN二極管的陰極，而p+集電極層用作FS T IGBT的通用集電極。

圖2：場截止Shorted Anode溝道IGBT。

飛兆半導體最近開發(fā)出第2代FS SA T IGBT。采用非常先進的場截止技術(shù)，確保了1400V(BVCES)的擊穿電壓，而前一版本僅有1200V的BVCES，最高競爭產(chǎn)品僅有1350V的BVCES。新設(shè)備相比第1代設(shè)備，開關(guān)性能大幅改善，同時具有較高的VCE(sat)。此外，新設(shè)備具有較小的芯片尺寸，因此成本效益更高–新設(shè)備的芯片尺寸是以前的77%，是最佳競爭產(chǎn)品的86%。

表1中比較了關(guān)鍵參數(shù)。

表1：關(guān)鍵參數(shù)比較。

實驗結(jié)果

單端(SE)諧振逆變器是E類諧振逆變器，由于較低的成本結(jié)構(gòu)和相對較高的效率而得到不斷普及，尤其是在IH爐具和電飯鍋應(yīng)用中。SE諧振逆變器也是Shorted Anode IGBT概念非常適合的應(yīng)用，因為反并聯(lián)二極管的性能無關(guān)緊要，肅然它必須達到ZVS導通。為驗證新1400V FS SA T IGBT在SE諧振逆變器中的有效性，用IH爐具中的1.8KW SE諧振逆變器進行了一個實驗。