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一種高PSR帶隙基準(zhǔn)源的實(shí)現(xiàn)

作者: 時(shí)間:2011-08-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

摘要:本文針對(duì)傳統(tǒng)電壓的低以及低輸出電壓的問題,通過采用LDO與帶隙的混合設(shè)計(jì),并且采用BCD工藝,得到了一種可以輸出較高參考電壓的高(電源抑制)帶隙。此帶隙基準(zhǔn)的1.186 V輸出電壓在低頻時(shí)為-145 dB,在0~1GHz頻帶內(nèi),最高PSR為-36 dB。在-50~150℃內(nèi),1.186 V基準(zhǔn)的溫漂為7.5ppm/℃。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/178689.htm

  關(guān)鍵詞:電源抑制;級(jí)聯(lián);帶隙基準(zhǔn);低壓差線性穩(wěn)壓器;溫度系數(shù)

  電子鎮(zhèn)流器的芯片內(nèi)數(shù)字部分的干擾,這就給芯片的電源帶來較大的干擾。因此對(duì)芯片內(nèi)基準(zhǔn)的中頻PSR(Power Supply Rejection,電源抑制)有較大要求。本文從此角度在Brokaw帶隙基準(zhǔn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),采用LDO與基準(zhǔn)的級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì)來增加其PSR。

  1 電路結(jié)構(gòu)

  1.1 基準(zhǔn)核心

  目前的基準(zhǔn)核心可以有多種方案:混合電阻,Buck voltage transfer cell,但是修調(diào)復(fù)雜,不宜工業(yè)化。本設(shè)計(jì)采用Brokaw基準(zhǔn)核心,其較易高壓基準(zhǔn)輸出,并且其溫漂、PSR及啟動(dòng)特性均較好。本文采用的改進(jìn)的Brokaw基準(zhǔn)核心的結(jié)構(gòu)如圖1所示。

  

改進(jìn)的Brokaw基準(zhǔn)核心的結(jié)構(gòu)圖

  對(duì)此核心的分析:

  三極管的輸出電流公式:

  

  其中I是三極管射極電流,Is與射極面積成正比,n為一常數(shù),取1。這里,取VQC2:VQC1=8:1,因此Is2=8xIs1,又I1=I2,分別代入(1)并相除,整理得:

  

  

  其中Vbe1是負(fù)溫度系數(shù),Vt是正溫度系數(shù),RC2與RC1是同類電阻,溫度系數(shù)相抵消,選擇合理的RC2/RC1,就可以得到一階補(bǔ)償為0的基準(zhǔn)電壓,可以很好的滿足本芯片的要求。

  在電流鏡的選取上,采用威爾遜電流鏡,精度高,不需外加偏置電路,因此電源抑制比較高。輸出管采用mos管,對(duì)VQC5、VQC1支路電路影響小。通過增加MC1,使VQC2和VQC1的集電極電位相近,減小誤差。

  

  產(chǎn)生的Vref為4.75 V,在放大電壓的同時(shí),PSR、溫漂均放大了4倍,即PSR升高了12 dB(在隨后的仿真波形中可以看到)。

  1.2 LDO

  LDO在低頻時(shí)的PSR主要取決于運(yùn)放的增益,為此選擇折疊共源共柵電路。此LDO電路基于文獻(xiàn)中的電路修改,如圖2所示,并采用PSR高的偏置生成電路。

  

采用PSR高的偏置生成電路的LDO電路

  1. 3 啟動(dòng)電路

  Brokaw核心本身存在0狀態(tài),VQC5基極為高電平,VQC2、VQC1基極為低電平,因此引入如圖3的啟動(dòng)電路。

  

啟動(dòng)電路

  圖3中右下角即為啟動(dòng)電路。對(duì)于常規(guī)Brokaw基準(zhǔn),當(dāng)VQC2基極電壓低于啟動(dòng)電壓時(shí),VQCS2將VQC5基極電壓拉低VQC2基極電壓拉高,使電路啟動(dòng),所以VQCS2僅需很小的基極電流就可以使電路啟動(dòng)。

  但是,由于本設(shè)計(jì)采用LDO供電,而LDO的參考電壓是bg,存在死循環(huán),即bg低,則LDO低,所以基準(zhǔn)核心的VQC5無法給VQCS2提供電流,也就無法提高VQC2的電壓即bg,因此需要外界提供大電流bias-start,使得當(dāng)LDO無法啟動(dòng)基準(zhǔn)核心時(shí),此電流可以足夠大,在RC4上產(chǎn)生的壓降使bg達(dá)到足夠大,繼而LDO達(dá)到使基準(zhǔn)核心啟動(dòng)所需的最低電壓,從而使電路進(jìn)入自動(dòng)修正狀態(tài),最終使bg和ref達(dá)到指定電壓。

  這樣雖然能啟動(dòng),但是,正常工作時(shí),此大啟動(dòng)電流bias-start將通過VQCS1和VQCS3流向地,增加了系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)。因此,在電流輸出管MB3下加入控制管MBC,并使得在正常工作時(shí),LDO的高電壓足以使MBC關(guān)斷,從而降低啟動(dòng)電路的損耗。

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