一種帶輔助變壓器的Flyback變換器ZVS軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)方案

作者：時(shí)間：2011-03-26 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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  技術(shù)方案與實(shí)用技巧

1）階段1〔t0～t1〕該階段，S1導(dǎo)通，Lm與Lmr串聯(lián)承受輸入電壓，流過(guò)Lm及Lmr的電流線性上升。此時(shí)間段

Vds2=Vin＋Vo＋Vin（1）

式中：Vds2為S2的漏源電壓；

Vo為變換器輸出電壓；

N1為T原邊繞組匝數(shù)；

N2及N3為T副邊兩個(gè)繞組匝數(shù)；

n1及n2為Tr原副邊兩個(gè)繞組匝數(shù)。

2）階段2〔t1～t2〕 t1時(shí)刻S1關(guān)斷，Lm上的電流通過(guò)T耦合到副邊，使二極管D導(dǎo)通，Lm兩端電壓被箝位在

V2=－（2）

Lm上的電流線性下降。

Lmr上的電流一部分對(duì)S1的輸出結(jié)電容Cr1充電，另一部分通過(guò)Tr耦合對(duì)S2的輸出結(jié)電容Cr2放電。t2時(shí)刻，S2的漏源電壓下降到零，該階段結(jié)束。

3）階段3〔t2～t3〕當(dāng)S2的漏源電壓下降到零之后，S2的寄生二極管導(dǎo)通，將S2的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài)，也就為S2的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。同時(shí)Lmr兩端被箝位在

V1=－Vo（3）

Lmr上電流線性下降。而S1的漏源電壓被箝位在最大電壓

Vds1max=Vin＋Vo＋Vo（4）

4）階段4〔t3～t4〕 t3時(shí)刻S2的門極變?yōu)楦唠娖剑琒2零電壓開通。流過(guò)寄生二極管的電流流經(jīng)S2。Lmr兩端依然承受式（3）所示電壓V1，Lmr上電流線性下降到零然后反向增加。t4時(shí)刻，S2關(guān)斷，該階段結(jié)束。此時(shí)間段

iDN3＋ioN2=iLmN1（5）

io=iD＋iLmr（6）

iD=（7）

io=（8）

5）階段5〔t4～t5〕 t4時(shí)刻，Lmr上的電流方向?yàn)樨?fù)，此電流一部分對(duì)S1的輸出結(jié)電容Cr1放電，同時(shí)，另一部分通過(guò)Tr耦合到副邊對(duì)S2的輸出結(jié)電容Cr2充電。到t5時(shí)刻，S1的漏源電壓下降到零，該階段結(jié)束。

6）階段6〔t5～t6〕當(dāng)S1的漏源電壓下降到零之后，S1的寄生二極管導(dǎo)通，將S1的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài)，為S1的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。此時(shí)，Lmr上的反向電流流經(jīng)主變壓器，給流過(guò)二極管D的電流iD疊加上一個(gè)電流

ΔI(t5)=（9）

此時(shí)間段內(nèi)，二極管D仍然導(dǎo)通，Lmr兩端電壓被箝位在

V1=Vin－V2=Vin＋Vo（10）

Lmr上電流線性上升。而S2的漏源電壓被箝位在最大電壓

Vds2max=＋Vo（11）

7）階段7〔t6～t7〕 t6時(shí)刻，S1的門極變?yōu)楦唠娖?，S1零電壓開通。流過(guò)寄生二極管的電流流經(jīng)S1。由于Lmr兩端承受的電壓V1此時(shí)較大，iLmr快速上升，到t7時(shí)刻，iLmr=iLm，主變壓器耦合到副邊的電流為零，二極管D自然關(guān)斷。此時(shí)間段

= （12）

由于LmrLm，式（12）可近似為

=（13）

接著Lmr與Lm串聯(lián)承受輸入電壓，開始下一個(gè)周期?？梢钥吹剑谶@種方案下，兩個(gè)開關(guān)S1和S2零電壓開通，二極管D零電流關(guān)斷。

2 軟開關(guān)的參數(shù)設(shè)計(jì)

假定電路工作在CCM狀態(tài)。由于S2的軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)是iLmrmax對(duì)Cr1及Cr2充放電，而S1的軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)是iLmrmin對(duì)Cr1及Cr2充放電，在電路滿載情況下，|iLmrmax|>>|iLmrmin|，而且S2的充電電壓要大于放電電壓（見圖2波形vds2），因此，S1的軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)要比S2難得多。在參數(shù)設(shè)計(jì)中，關(guān)鍵是要考慮S1的軟開關(guān)條件。

2.1 主變壓器激磁電感Lm的設(shè)定

由于Lmr的存在，變換器的有效占空比Deff（根據(jù)激磁電感Lm的充放電時(shí)間定義，見圖2）要小于S1的占空比D，但是，由于t4～t7時(shí)間內(nèi)iLmr的上升速度非?？欤?，可近似認(rèn)為Deff=D。這樣，根據(jù)Flyback電路工作在CCM的條件

Lm>=?（14）