基站電源中同步電路的設(shè)計(jì)方法

3．1 時(shí)間坡度

時(shí)間坡度的幅度也需要比比較器的上限幅度低10％，最小的同步脈沖幅度必須補(bǔ)足這個(gè)10％的幅度－幅度差，如果稍大則更加可靠。

減小這個(gè)幅度－幅度差，充電和放電幅度都會(huì)減小，這將使CT的放電時(shí)間減小，從而使死區(qū)時(shí)間減小。同步脈沖的寬度越寬，芯片的死區(qū)時(shí)間越長，所以，同步脈沖的寬度只要足夠?qū)捘鼙恍酒谋容^器檢測到就可以了。

3．2 晶振坡度方程

根據(jù)手冊，時(shí)間元件C_T和R_T可以用來設(shè)定頻率和死區(qū)時(shí)間。為了取得更好的應(yīng)用效果，必須很好地分析附加的同步電路對時(shí)間電路的影響。

3．2．1 晶振充電坡度方程

ΔV_OSC=

I_charge=V_charge/R_T

t_charge=ΔV_OSCC_T/I_charge′

ΔV_OSC=V_thupper－V_thlower

ΔV_OSC′=ΔV_OSC－V_24Ω

V_24Ω=24I_charge=24V_charge/R_T

如果死區(qū)時(shí)間相對整個(gè)周期很小，那么以上這些計(jì)算公式也可以簡化。這時(shí)改變坡度電壓的效果在于減小C_T的充電時(shí)間（t_charge），從而使晶振的充電時(shí)間同步到更高的頻率。新的充電時(shí)間（t_charge′）是原來的充電時(shí)間乘以原頻率和同步頻率的比值，新舊充電時(shí)間的比值P為

P===

當(dāng)充電電流小或者R_T大時(shí)，24Ω電阻上的電壓可以忽略。C_T上的電壓峰峰值為2V時(shí)，2mA的電流將產(chǎn)生2.5％的時(shí)間誤差。最好使IC的晶振頻率比同步頻率低15％，也就是說P=0.85，這時(shí)

ΔV_OSC(sync)′=ΔV_OSC(orig)P=0.85ΔV_OSC(orig)

t_chg(sync)′=t_chg(orig)P=0.85t_chg(orig)

V_(sync)的最小幅度為0.15ΔV_OSC(orig)

晶振峰—峰電壓為2V時(shí)，最小的同步脈沖幅度為0.3V，寬度為脈沖周期的15％。

3．2．2 晶振放電坡度方程

正確的死區(qū)時(shí)間控制是很重要的，增加同步電路后減小了時(shí)間電容C_T的放電時(shí)間，也就減小了PWM的死區(qū)時(shí)間。這樣一來，首先C_T上的電壓峰值坡度減小了ΔV_OSC(orig)－ΔV_OSC(sync)，這就使時(shí)間電容從一個(gè)比較小的電能開始放電。其次，根據(jù)電流的大小，24Ω電阻上產(chǎn)生了一個(gè)偏置電壓。典型的IC放電電流從6mA到12mA。在充電時(shí)，因?yàn)槌潆婋娏髦挥?mA到2mA，所以，在24Ω電阻上的偏置電壓可以忽略，而放電電流是充電電流的近十倍，所以，在24Ω電阻上的偏置電壓不可以忽略，即在計(jì)算死區(qū)時(shí)間時(shí)必須考慮24Ω電阻上的偏置電壓。

只要知道芯片的放電電流，就可以計(jì)算死區(qū)時(shí)間。當(dāng)然，比較方便的辦法是使用手冊里的C_T和死區(qū)時(shí)間對應(yīng)表格，并加上同步電路的影響。簡言之，放電電流是8mA。

ΔV_dschg′=ΔV_dschg(orig)P－V_24Ω=0.85ΔV_OSC(orig)－0.2

t_dchg′=t_dchg(orig)－t_24Ω=t_dchg(orig)

這里t_dchg(orig)是表中的死區(qū)時(shí)間。

實(shí)際的死區(qū)時(shí)間是C_T的不放電時(shí)間和同步脈寬之和。同步脈寬使PWM輸出關(guān)閉，因此，必須計(jì)入死區(qū)時(shí)間。同步脈寬補(bǔ)償了“失去”的死區(qū)時(shí)間，或者說是死區(qū)時(shí)間的延續(xù)。即

t_dead′=t_dchg′＋t_{syncpulsewidth}