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基于SEPIC的功率因數(shù)校正電路的參數(shù)設(shè)計(jì)與分析

作者: 時(shí)間:2011-03-19 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/179402.htm

(b) D=0.8

圖4 不同占空比下的開(kāi)環(huán)輸入電流波形

表1,表2,表3為在不同的占空比下的仿真數(shù)據(jù)。由這組數(shù)據(jù)可以看出,在同一額定占空比的情況下,THD隨著負(fù)載的減小而減小,由于占空比的變化率受到控制,相同負(fù)載不同額定占空比情況下THD變化不大。隨著占空比的增大,輸出電壓負(fù)載調(diào)整率在減小,穩(wěn)壓能力提高,這與理論一致。圖5,圖6分別為額定工作占空比為0.5,滿載和1/3負(fù)載時(shí)的輸入電壓、電流波形,其中幅值較大的為輸入電壓,較小的為輸入電流。

表1 D=0.2的仿真數(shù)據(jù)

  Uo/U Δu/U THD/% φ/° PF
滿載 48.0 2.4 0.15 0.8 0.989
2/3載 49.2 1.9 0.11 0.5 0.994
1/3載 51.0 0.6 0.05 0.3 0.999
D=0.2 n=0.5 L1=2mH L2=38μH

Cc=0.51μF Cf=2.3μF Rf=6.9kΩ

表2 D=0.3的仿真數(shù)據(jù)

  Uo/U Δu/U THD/% φ/° PF
滿載 47.8 2.2 0.17 1.3 0.986
2/3載 48.5 1.4 0.11 1.1 0.994
1/3載 50.2 0.7 0.06 0.7 0.998
D=0.3 n=0.3 L1=3mH L2=87μH

Cc=0.4μF Cf=1.4μF Rf=11.4kΩ

表3 D=0.5的仿真數(shù)據(jù)

  Uo/U Δu/U THD/% φ/° PF
滿載 48.4 2.5 0.16 2.4 0.987
2/3載 48.9 1.0 0.12 1.9 0.992
1/3載 49.8 0.6 0.04 1.8 0.999
D=0.5 n=0.1 L1=5mH L2=242μH

Cc=0.2μF Cf=1μF Rf=16kΩ

圖5 滿載時(shí)輸入電壓電流波形

圖6 1/3載時(shí)輸入電壓電流波形

7 結(jié)語(yǔ)

只要工作在斷續(xù)狀態(tài)就能做到單位。占空比的相對(duì)變化量越大,THD就越大。只須控制占空比的相對(duì)變化量就可以控制輸入電流的THD。占空比的直流分量越大,輸出電壓的負(fù)載調(diào)整率就越小。

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