性能優(yōu)良的混合雙路驅動器集成電路

摘要：介紹了德國西門康公司生產的專用新型SKHI21/SKHI22混合雙路IGBT及MOSFET驅動器集成電路，并列舉了其主要設計特點、主要參數和典型應用電路。

關鍵詞：集成電路；驅動器；參數選擇

1 引言

SKHI21/SKHI22混合雙路IGBT、MOSFET驅動器是德國西門康（SEMIKRON）公司生產的專用新型IGBT和MOSFET混合驅動器。它有2路驅動電路，可以直接驅動IGBT半橋模塊，典型工作頻率為17kHz。輸入為CMOS兼容器，內部有VCE監(jiān)控和自動關斷電路，可提供有效的短路保護。采用變壓器隔離技術，驅動多路信號只需一路電源，是UPS、電焊機及逆變器中理想的IGBT和MOSFET驅動用集成電路。在驅動半橋模塊時，驅動器自動雙路互鎖，防止發(fā)生直通，并向用戶提供“錯誤（Error）”鎖存信號。SKHI21和SKHI22的內部電路結構基本相同，兩者的區(qū)別在于電路應用對象不同，SKHI21用于驅動西門康公司自己生產的IGBT，而SKHI22可用于驅動各種IGBT模塊，但這兩者都只能驅動200A以下的IGBT模塊。

2 各引腳的排列、名稱、功能和用法

SKHI21/SKHI22采用模塊式封裝，它的封裝形式如圖1所示，對外引出16個引腳。

圖1 SKHI21/SKHI22的引腳排列（引腳向上）

2.1 輸入引腳

引腳P₇（GND），P₁₄（GND） 控制脈沖輸入部分參考地端。使用中與用戶脈沖形成部分的地相連。

引腳P₈（VIN2），P₁₂（VIN1） 兩路互補驅動脈沖輸入端。使用中接用戶脈沖形成電路的輸出，兩路輸入脈沖間應有一定的互鎖時間，以防止同橋臂的IGBT或MOSFET直通。

引腳P₉（R_TD2）、引腳P₁₁（R_TD1） 封鎖延遲時間設置電阻的連接端1和2。使用中分別通過一個電阻接工作電源端（引腳P₁₃），設置輸出兩路驅動信號的封鎖延遲時間，以防止在驅動同橋臂上、下兩個IGBT或MOSFET時發(fā)生直通。

引腳P₁₃（V_S） 輸入級電源端。接用戶驅動脈沖形成級電源端。

引腳P₁₀（ERROR）脈沖封鎖信號輸入端。低電平有效，該端低電平可封鎖輸出驅動脈沖，使用中接用戶保護電路的輸出。

圖2 SKHI21/SKHI22的內部結構及工作原理框圖

2.2 輸出引腳

引腳S₁（V_CE2）和引腳S₂₀（V_CE1） 被驅動IGBT集-射極間壓降或被驅動MOSFET漏蒼醇間壓降監(jiān)視電壓輸入端。使用中分別接被驅動半橋IGBT的集電極或MOSFET漏極。由于SKHI21/22內部已有高壓快恢復二極管，所以使用中不需再串高壓快恢復二極管。

引腳S₆（C_CE2）和引腳S15（C_CE1） 2個被驅動功率開關器件欠飽和保護門檻設置端。使用中分別通過一個電阻與電容的并聯(lián)網絡接被驅動IGBT的發(fā)射極或功率MOSFET的源極。

引腳S₉（E₂）和引腳S₁₂（E₁） 輸出驅動信號參考地端。使用中分別接被驅動的2個IGBT的發(fā)射極或功率MOSFET的源極。

引腳S₇（G_ON2）和引腳S₁₄（G_ON1） 2驅動脈沖信號輸出端。使用中分別通過一個適當的電阻接被驅動的IGBT或功率MOSFET的柵極。

引腳S₈（G_OFF2）和引腳S₁₃（G_OFF1） 被驅動功率開關器件關斷速度設置端。使用中，分別通過一個電阻接被驅動的IGBT或MOSFET的柵極。