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基于ADS的平行耦合微帶線帶通濾波器的設(shè)計及優(yōu)化

作者: 時間:2011-03-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

ADS L inecalc模塊

圖2 L inecalc模塊。

  將上述的結(jié)構(gòu)尺寸輸入中并設(shè)置微帶電路板的參數(shù)和S參數(shù)的頻率掃描范圍進行原理圖仿真。

  以下圖3是理論計算值的仿真原理圖, 圖4是仿真結(jié)果。

微帶線帶通濾波器設(shè)計原理圖

圖3 微帶線帶通原理圖。

傳輸、反射系數(shù)仿真曲線圖
圖4 傳輸、反射系數(shù)仿真曲線圖。

  經(jīng)過分析仿真結(jié)果出現(xiàn)了中心頻率點偏移的, 并且通帶內(nèi)的反射系數(shù)較大, 在2. 4 GH z上衰減沒有達到要求, 因此需要對其進行。時要注意: 線的W, S, L 不要設(shè)為具體的值, 而是要有各個變量來代替, 因為這些參數(shù)就是的目標。變量的設(shè)置要需要借助變量控件VAR來完成, 在VAR中要設(shè)置合理的數(shù)據(jù)范圍。優(yōu)化還需要Optim 控件和目標控件Goa,l 將Opt im 控件中的M axlters的值該為100, 增加優(yōu)化次數(shù)。根據(jù)我們的要求設(shè)置四個Goal控件。依次分別為: 優(yōu)化通帶內(nèi)的S ( 2, 1)、優(yōu)化通帶內(nèi)的S ( 1, 1) (優(yōu)化通帶內(nèi)的反射系數(shù))、優(yōu)化低端阻帶內(nèi)的S ( 2, 1) (設(shè)定2. 4 GH z以下達到40 dB衰減)和優(yōu)化高端阻帶內(nèi)的S ( 2, 1) (設(shè)定2. 8 GH z以上衰減達到40 dB)。如果一次優(yōu)化不能滿足指標的要求, 則需要再改變變量的取值范圍, 進行重新優(yōu)化, 直到滿足要求為止。

  圖5為優(yōu)化原理圖, 圖6是優(yōu)化后生成的仿真結(jié)果。由圖6 中可以看到f = 2. 6 GHz時, S ( 2, 1) =- 0. 113 dB, f= 2. 8 GH z和f = 2. 4 GH z時衰減都大于40 dB, 反射系數(shù)也比較理想, 各項基本滿足設(shè)計要求。



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