基于LTCC技術的S波段低噪聲放大器的小型化設計

　　實際上， 通過調試和優(yōu)化， 其結果也可以達到所要求的指標。然而， 單級電路仿真后， 由于級間匹配等問題， 一般還要進一步調試與優(yōu)化，特別應當注意的是第一級放大器的S22雖然在仿真時可以不用要求太嚴格， 但也不能太差， 一般要求S22要小于-10dB， 否則會在兩級合并時嚴重影響輸入、輸出駐波。圖3所示是ADS的整體仿真電路。

圖3 ADS整體電路仿真圖

　　3 內(nèi)埋置技術仿真

　　內(nèi)埋置技術現(xiàn)在是小型化電路與系統(tǒng)研究的重要方法之一， LTCC技術為無源器件內(nèi)埋提供一個良好的平臺。通過HFSS軟件可以仿真出需要的電容與電感。本文以ferro公司的A6 (介電常數(shù)為5.9) 為例來仿真本電路所需要的電感與電容， 而且這種電感與電容的自諧振頻率要遠遠高于一般貼片封裝的電感與電容。而通過內(nèi)埋置技術， 可以把電路中大量的無源器件埋置到基板中， 從而大大縮小電路板的面積。圖4所示是內(nèi)埋置技術的2.2μH電感和47pF電容的仿真結果。

(a) 2.2nH電感仿真

(b) 47pF電容仿真

圖4 內(nèi)埋置技術的仿真結果

　　4 結束語

　　本文介紹了一種基于LTCC技術的S波段低噪聲放大器的小型化設計方法。通過LTCC這種新材料與新工藝把無源器件內(nèi)埋置到電路基板中，再選用合適的小封裝器件與合理的電路拓撲結構， 使電路的面積大大縮小， 從而實現(xiàn)小型化、低成本之目的。