用電容實現LVDS連接交流耦合的設計分析

圖2：ECL－LVDS電平轉換配置。

圖3：LVDS輸入偏置電路。

圖4：LVDS端接電路。

電容選擇

有以下幾個因素影響到電容的選擇。

1．參數值

LVDS鏈路交流耦合電容的選擇與一系列的參數相關，包括：輸出驅動電平、輸入門限電平、負載阻抗、電纜長度、最長的脈沖周期。

標準的LVDS輸出驅動電平通常定義為最小250mV，且輸入電平門限定義為最大100mV。因此，確保有效電平值的最大的衰減量為：

換句話說，由直流電阻產生的衰減、交流衰減以及電容耦合衰減的總合必須小于8dB。兩端差分負載阻抗通常為100Ω，分析電纜長度時需要同時考慮電纜的交流和直流衰減以及連接器阻抗導致的衰減。最后，還必須考慮數據本身，LVDS連接可以傳輸的最大脈沖寬度取決于工作頻率和數據傳輸協(xié)議對連續(xù)1(或 0)的數量限制。

對于具體應用，精確的計算可能過于棘手，也可以簡單選用0.1uF電容，能夠滿足大多數應用的要求。當數據速率降到10MHz以下或采用更長的電纜時(例如>5米)，需要重新核實電容值，也可以通過計算、仿真或實際測量獲取電容值。