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基于O.18μm CMOS工藝的寬帶LCVCO設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2009-07-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/181294.htm


通常衡量VCO的指標(biāo)有:自振頻率、振蕩范圍、輸出幅度,相噪.功耗等。一般采用優(yōu)值FOM(Figure of Merit)來(lái)評(píng)價(jià)VCO的優(yōu)劣:


其中:f0是自振頻率,△f為頻偏.L(△f)是頻偏△f,處的相噪。P為直流功耗

2 寬帶LCVCO設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
本文目標(biāo)是設(shè)計(jì)一個(gè)覆蓋1.1 GHz~2.1 GHz頻段的CMOS LCVCO電路。覆蓋范圍包括如表l所示的各標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議頻段。
使LCVCO獲得大調(diào)諧范圍的方法之一是增大容抗管的Cmax/Cmin,但這會(huì)增大VCO的壓控增益KCCO。,致使相噪惡化。為了解決這個(gè)矛盾,通常采用開(kāi)關(guān)電容陣列(DC-CA)把頻帶分為若干子頻帶,通過(guò)開(kāi)關(guān)電容的接人與斷開(kāi)來(lái)實(shí)現(xiàn)子頻帶之間的切換,子頻帶內(nèi)則由容抗管的調(diào)諧來(lái)實(shí)現(xiàn)覆蓋,其結(jié)構(gòu)圖如圖3。


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關(guān)鍵詞: 耦合 低功耗 射頻

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