新聞中心

EEPW首頁 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 準(zhǔn)方波諧振仿真從簡化模型中受益

準(zhǔn)方波諧振仿真從簡化模型中受益

作者:安森美半導(dǎo)體,Christophe 時(shí)間:2003-06-13 來源:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 收藏
準(zhǔn)方波諧振拓?fù)溆址Q為準(zhǔn)諧振(QR)系統(tǒng),因其具有許多優(yōu)點(diǎn)而日益普及。如果用綜合性的瞬態(tài)Spice模型幫助設(shè)計(jì)電源,由于其包含的特性過多,其中如靜態(tài)電流、短路保護(hù)等對于初次評估計(jì)算值而言是毫無用處的,因此反而會使計(jì)算時(shí)間增加,反覆運(yùn)作變得困難且冗長。本文將簡要地論述通用QR模型的基礎(chǔ),其主要特點(diǎn)是執(zhí)行速度。
盡管準(zhǔn)諧振系統(tǒng)看似復(fù)雜,但它具有許多優(yōu)點(diǎn),如:
?通過使重啟電源開關(guān)與最小化MOSFET漏極上的電壓同步進(jìn)行,實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)(ZVS),因而容性損耗減至極小。
?由于變頻器在不連續(xù)導(dǎo)電模式下工作,因而可通過檢測次級電流歸零,方便地實(shí)現(xiàn)同步整流。只需一個(gè)簡單的比較器來斷開起二極管作用的有源開關(guān)。
?寄生輻射小。因?yàn)槠浒j(luò)不像實(shí)際剛性開關(guān)的波形那么陡峭;而且,實(shí)現(xiàn)ZVS后,寄生輻射峰值出現(xiàn)在開關(guān)接通之后,開關(guān)接通時(shí)所有電容器幾乎都要放電。
?導(dǎo)通時(shí)間取決于輸入電壓,減小儲能電容可以方便地實(shí)現(xiàn)高頻顫動,從而使100Hz的波紋調(diào)制工作頻率。
回掃式QR系統(tǒng)要求檢測磁芯去磁以便正常工作。這就是說,導(dǎo)通時(shí)控制器將功率開關(guān)接通,并按Vin / Lp(Vin為整流后的儲能電壓,Lp為初級電感)以A/ms的速度對磁芯進(jìn)行磁化。當(dāng)峰值電流達(dá)到由負(fù)載/線路決定的值時(shí),開關(guān)斷開,儲藏在初級電感中的所有能量傳到次級?,F(xiàn)在初級電流以另一個(gè)速度減少,它不再受Vin的影響,而是受“回掃”電壓 [Vout+Vf] x N/Lp的限制,其中Vout是輸出電壓,Vf是次級整流管在給定峰值電流下的正向壓降,N為次級對初級的匝數(shù)比。圖1和圖2對于在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)這些信號如何變化的問題作出了必要的說明。
總的來說,控制器需要在Ipeak時(shí)斷開開關(guān),等到磁芯去磁后再次接通開關(guān),開始另一個(gè)循環(huán)。反饋回路的作用就是不斷地調(diào)整峰值電流,從而調(diào)整輸出電壓到給定線路/負(fù)載的要求值。
圖 3 是QR控制器典型的內(nèi)部結(jié)構(gòu),從中我們可以看到不同的部分:
?用于檢測磁芯去磁的電路,通常通過監(jiān)測由輔助繞組提供的電壓進(jìn)行,該電壓公式。這一功能由一個(gè)比較器完成,我們在后文中會介紹。
?在電流模式下工作的QR控制器中應(yīng)當(dāng)有一個(gè)閂鎖電路。當(dāng)達(dá)到峰值電流設(shè)定值時(shí),開始去磁。
?快速電流比較器,當(dāng)達(dá)到初級電平時(shí)對閂鎖電路復(fù)位。
控制器中最重要的部分是磁芯去磁檢測,它包含一個(gè)滯后比較器,如圖4所示。一個(gè)齊納二極管鎖定了輔助電平(通過一個(gè)串聯(lián)電阻限流),同時(shí)也構(gòu)成一個(gè)真正的集成電路,防止在導(dǎo)通期間在去磁引腳端出現(xiàn)大的負(fù)向擺動而造成危害。執(zhí)行滯后比較器只需幾行Spice代碼即可:
IsSpice4:
.SUBCKT COMPARHYS NINV INV OUT {VHIGH=12 VLOW=100m VHYS=50m}
B2 HYS NINV V = V(OUT) > {(VHIGH+VLOW)/2} ? {VHYS} : 0
B1 4 0 V = V(HYS,INV) > 0 ? {VHIGH} : {VLOW}
RO 4 OUT 100
CO OUT 0 100PF
.ENDS
PSpice:
.SUBCKT COMPARHYS NINV INV OUT params: VHIGH=12 VLOW=100m VHYS=50m
EB2 HYS NINV Value = { IF ( V(OUT) > {(VHIGH+VLOW)/2}, {VHYS}, 0 ) }
EB1 4 0 Value = {IF ( V(HYS,INV) > 0, {VHIGH}, {VLOW} ) }
RO 4 OUT 100
CO OUT 0 100PF
.ENDS
一旦所有塊組合在一起就創(chuàng)建出符號表示系統(tǒng),從而得到最終的應(yīng)用電路(圖5)。雙繞組變壓器和簡化的反饋系統(tǒng)進(jìn)一步簡化了仿真器的工作??梢允褂肕OSFET晶體管,但還可以用一個(gè)簡化的開關(guān)構(gòu)成一個(gè)更簡單的應(yīng)用電路。一個(gè)簡單的RC網(wǎng)絡(luò)——R6-C6可引入必要的延時(shí),用于在漏-源波形的最低點(diǎn)重新啟動開關(guān),也稱為“谷點(diǎn)開關(guān)”運(yùn)行。
由于模型的簡化,電路可以在不到20秒的時(shí)間內(nèi)模擬1GHz計(jì)算機(jī)中2ms的瞬態(tài)運(yùn)行。同樣的電路,但使用實(shí)際QR模型,如NCP1205,需要70秒,時(shí)間是簡化模型的3.5倍以上。因此負(fù)載的瞬態(tài)響應(yīng)和迭代工作也可方便地進(jìn)行,而不需花費(fèi)設(shè)計(jì)人員很多時(shí)間。完整的模型有INTUSOFT版本和OrCAD版本(完全立即可用的模板),并可以從網(wǎng)站下載:http://perso.wanadoo.fr/cbasso/Spice.htm。請注意,子電路FreeRunDT具有最小的Toff(它鎖定了最大的開關(guān)頻率,同時(shí)也消除了漏感的寄生振鈴),而另一個(gè)子電路FreeRunNDT不具有最小Toff發(fā)電機(jī)的特點(diǎn)。

圖1 典型的回掃漏-源波形

圖2 DCM中初級電流上升并下降至零

圖3 電路通過一個(gè)電壓檢測去磁并重新啟動電源開關(guān)開始另一循環(huán)

圖4 滯后比較器可清除瞬變期間寄生振蕩的影響

圖5 無需向此簡化模型提供Vcc電平



關(guān)鍵詞: 安森美

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉