低壓無(wú)功補(bǔ)償中晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的特點(diǎn)與應(yīng)用
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2.2 抑制過(guò)電壓阻容吸收裝置
模塊過(guò)壓保護(hù)一般也可采用阻容吸收法。對(duì)于持續(xù)時(shí)間較短，能量不大的過(guò)電壓，一般可在模塊兩端并聯(lián)阻容吸收電路，用吸收電容把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯起來(lái)。而用吸收電阻不但可以防止電路振蕩，還可限制晶閘管導(dǎo)通時(shí)電容放電所產(chǎn)生的開(kāi)通損耗和di／dt值。并聯(lián)在晶閘管開(kāi)關(guān)模塊的RC值可參考表2。
需要說(shuō)明的是，阻容吸收電路中的電容應(yīng)采用交流電容器，其輸入電壓為380 V時(shí)，應(yīng)采用630 V，輸入電壓為220 V時(shí)，則可采用500 V的電容耐壓。
2.3 散熱裝置
晶閘管開(kāi)關(guān)模塊在運(yùn)行過(guò)程中，其晶閘管芯片的結(jié)溫將升高。為了使結(jié)溫維持在125℃最高額定值以下，必須使用散熱器。而且，散熱條件的好壞，也直接影響模塊的安全、穩(wěn)定和可靠運(yùn)行。目前，散熱方法有水冷、風(fēng)冷(強(qiáng)迫和自然風(fēng)冷)和熱管冷卻等方法。這里簡(jiǎn)要介紹風(fēng)冷散熱器的選擇方法。
晶閘管開(kāi)關(guān)模塊的主電路由二個(gè)反并聯(lián)晶閘管組成。根據(jù)模塊內(nèi)單個(gè)晶閘管的通態(tài)平均電流IT(AV)、通態(tài)峰值電壓VRM、模塊接觸熱RTHCH、以及平均功率(PT(AV)=0.85VRMIT(AV)，即可計(jì)算出散熱裝置的熱阻RTHCA：
式中：TC為殼溫(即散熱板的溫度)，TA為環(huán)境溫度。
散熱板的最高溫度TCMAX，可由下式求得：
式中：TVJ為晶閘管的最高結(jié)溫(125℃)，RTHJC為結(jié)到散熱板的熱阻。
求出散熱器熱阻RTHCA后，再選定相應(yīng)的散熱器的型號(hào)規(guī)格(DXC-450 DXC-616 DXC-573)，事實(shí)上，散熱器的熱阻應(yīng)比計(jì)算的熱阻小，即：
若一個(gè)散熱器上裝有幾個(gè)模塊，則可將∑PT(AV)=nPT(AV)代人式(3)，并求出∑PT(AV)，然后再選定散熱器。根據(jù)可選散熱器的熱阻值(或散熱器的熱阻曲線)即可選定合適的散熱器長(zhǎng)度。
在無(wú)功補(bǔ)償實(shí)際應(yīng)用中，可將晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊用在TSC低壓無(wú)功補(bǔ)償以替代接觸器，這樣，就可以在開(kāi)關(guān)電壓過(guò)零時(shí)投入補(bǔ)償電容量，從而避免了沖擊電流的產(chǎn)生和瞬間電網(wǎng)電壓的波動(dòng)。圖2所示是其工作波形圖。
3 結(jié)束語(yǔ)
通過(guò)對(duì)低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置兩種投切開(kāi)關(guān)的分析與比較，可以看出，晶閘管電子無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)不但具有過(guò)零投切涌流小、無(wú)過(guò)電壓等優(yōu)點(diǎn)，而且可以解決工作時(shí)的散熱問(wèn)題。在實(shí)際工作中，其操作壽命幾乎是無(wú)限的，可以頻繁投切，而且投切時(shí)刻可以精確控制，因此，能實(shí)現(xiàn)無(wú)過(guò)渡過(guò)程的平穩(wěn)投入和切除，其動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間僅為0.01～0.02 s，因而是電容投切比較理想的開(kāi)關(guān)。
評(píng)論