基于A/D轉(zhuǎn)換器IC層疊并聯(lián)實(shí)現(xiàn)通道倍擴(kuò)展
設(shè)有三路模擬量輸入的檢測(cè)系統(tǒng),每路電壓分別為1.000V、2.000V、3.000V,采樣后的數(shù)字量數(shù)據(jù)依次存放到60H―62H的3個(gè)內(nèi)存單元中。該程序以中斷方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送,P1.1 、P1.2 、P1.3 分別對(duì)0804(1)、0804(2)、0804(3)分時(shí)選通;P1.0分時(shí)接收三個(gè)A/D芯片的中斷請(qǐng)求輸出信號(hào)。/INTR信號(hào)把轉(zhuǎn)換完成的狀態(tài)作為單片機(jī)的中斷請(qǐng)求信號(hào)。A/D轉(zhuǎn)換器IC層疊并聯(lián)實(shí)現(xiàn)通道倍擴(kuò)展程序流程圖,如圖2所示。其中,圖2(a)為初始化程序流程圖,圖2(b)為中斷服務(wù)程序流程圖。 本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/188539.htm
3.4 分時(shí)控制模/數(shù)轉(zhuǎn)換輸出結(jié)果分析
ADC0804分時(shí)控制模/數(shù)轉(zhuǎn)換輸出結(jié)果表,如表2所示。
程序執(zhí)行后,60H單元的A/D轉(zhuǎn)換結(jié)果為32H,對(duì)應(yīng)的十六進(jìn)制高半字節(jié)為3H,低半字節(jié)為2H,通過(guò)表1可查得分別對(duì)應(yīng)的高半字節(jié)和低半字節(jié)電壓為0.960+0.040=1.000V;61H單元的A/D轉(zhuǎn)換結(jié)果為64H,對(duì)應(yīng)的十六進(jìn)制高半字節(jié)為6H,低半字節(jié)為4H,通過(guò)表1可查得分別對(duì)應(yīng)的高半字節(jié)和低半字節(jié)電壓為1.920+0.080=2.000V;62H單元的A/D轉(zhuǎn)換結(jié)果為96H,對(duì)應(yīng)的十六進(jìn)制高半字節(jié)為9H,低半字節(jié)為6H,通過(guò)表1可查得分別對(duì)應(yīng)的高半字節(jié)和低半字節(jié)電壓為2.880+0.120=3.000V。
結(jié)論:以上三個(gè)單元的A/D轉(zhuǎn)換數(shù)字量結(jié)果均分別與相對(duì)應(yīng)的模擬輸入電壓相吻合,此結(jié)果表明ADC0804A/D轉(zhuǎn)換器IC層疊并聯(lián)實(shí)現(xiàn)通道倍擴(kuò)展的設(shè)計(jì)方案是成功的。
4 結(jié)束語(yǔ)
此文相關(guān)技術(shù)已獲中國(guó)國(guó)家專利,其創(chuàng)新點(diǎn):采用A/D轉(zhuǎn)換器IC層疊并聯(lián),在不增加A/D轉(zhuǎn)換單元電路板面積的同時(shí),使A/D轉(zhuǎn)換通道的數(shù)量增加兩倍,降低了硬件成本。
該項(xiàng)技術(shù)還可進(jìn)一步推廣到三片以上ADC0804 A/D轉(zhuǎn)換器或其它特性IC芯片的層疊并聯(lián)中去。
評(píng)論