睡覺晶體和DLD的關(guān)系
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請注意:
為了測試DLD特性，設(shè)置的最大激勵(lì)必須足以激活“睡覺”晶體，因此，當(dāng)?shù)谝淮螠y試之后，同一只晶體的DLD將有些變化(通常顯的比較好).并且，如果當(dāng)最大測試激勵(lì)足以使晶體總是“蘇醒”的話，那么，該晶體的表現(xiàn)如同理想晶體一樣(可參看以上的理想晶體的DLD曲線).所以，DLD數(shù)據(jù)的重復(fù)性較低，為了準(zhǔn)確的測試晶體的DLD，測試將是不可重復(fù)的，只能依賴第一次耐測量數(shù)據(jù).
如果晶體的DLD特性不隨時(shí)間，也不隨外界作用而變化的話，那么，這只晶體就不是“睡覺”晶體(它可能不是一只好的DLD晶體，但它不是一只“睡覺”晶體)。而因應(yīng)實(shí)際的晶體振蕩線路激勵(lì)的不同，這只晶體，可以是一只合用的(好)晶體，也可以是一只不合用的晶體:
》如果在實(shí)際振蕩線路的激勵(lì)下，這樣電阻的晶體可以穩(wěn)定地工作(包括要考慮起動(dòng)速度)，那么這只晶體是好的。否則，
》如果在實(shí)際振蕩線路的激勵(lì)下
，這樣電阻的晶體不可以穩(wěn)定地工作(包括要考慮起動(dòng)速度)，那么是一只不合用的晶體.
下圖為用KH1200π網(wǎng)絡(luò)測試儀分析一民用晶體的激勵(lì)和電阻變化的情況
G．晶體DLD的時(shí)間特性
晶體的DLD特性可能隨時(shí)間變化而變化，同時(shí)也隨外界的作)Il的變化而變化。
以下圖形將表示:
當(dāng)晶體不受外界的作川時(shí)(或者說:不工作時(shí))，晶體將逐漸回復(fù)到自身的穩(wěn)定狀態(tài):即“睡眠”狀態(tài)。
當(dāng)晶體受到“較大”的外界激勵(lì)作用時(shí)，晶體將被“喚醒”而進(jìn)入蘇醒狀態(tài)。
當(dāng)晶體受到不算“較大”的外界作用時(shí)，晶體將處于“半睡眠”狀態(tài)。
以上縱座標(biāo)無刻度，可解釋為:
在微激勵(lì)下的晶體電阻，或DLD-dRs(激勵(lì)電平于某范圍變化時(shí)串聯(lián)電阻之變化)，或DLD-dFs(激勵(lì)電平于某范圍變化時(shí)串聯(lián)頻率之變化).
這些參數(shù)的絕對值是不同的，但每一參數(shù)隨時(shí)間的變化情況，其曲線形狀大概相似。
由于時(shí)間和外界作)Il的關(guān)系比較復(fù)雜，因此，晶體的DLD測試是不可以重復(fù)測試的。有時(shí)還會影響其它晶體參數(shù)的測試重復(fù)性。
注意:以上所提到的“穩(wěn)定”和“不穩(wěn)定”狀態(tài)，都是晶體的某種物理狀態(tài)，當(dāng)晶體處于“不穩(wěn)定”狀態(tài)時(shí)，它將趨向于它自身的“穩(wěn)定”狀態(tài)。這種情形和用晶體測量儀器打印測試報(bào)告中的“Unstable無關(guān)
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