新聞中心

EEPW首頁 > 測試測量 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > FLASH存儲(chǔ)器的測試方法研究

FLASH存儲(chǔ)器的測試方法研究

作者: 時(shí)間:2009-07-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1.引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/195793.htm

隨著當(dāng)前移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展和移動(dòng)存儲(chǔ)市場的高速擴(kuò)大,的用量迅速增長。芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點(diǎn),在移動(dòng)產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批芯片研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用企業(yè)。為保證芯片長期可靠的工作,這些企業(yè)需要在產(chǎn)品出廠前對(duì)FLASH進(jìn)行高速和細(xì)致地,因此,高效FLASH算法的研究就顯得十分必要。

不論哪種類型存儲(chǔ)器的,都不是一個(gè)十分簡單的問題,不能只將存儲(chǔ)器內(nèi)部每個(gè)存儲(chǔ)單元依次測試一遍就得出結(jié)論,這是因?yàn)槊恳粋€(gè)存儲(chǔ)單元的改變都有可能影響存儲(chǔ)器內(nèi)部其他單元的變化(這種情況又是常常發(fā)生的)。這種相關(guān)性產(chǎn)生了巨大的測試工作量[1]。另外,F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器有其自身的特點(diǎn),它只能將存儲(chǔ)單元內(nèi)的數(shù)據(jù)從“1”寫為“0”,而不能從“0”寫為“1”,若想實(shí)現(xiàn)“0”->“1”操作,只能把整個(gè)扇區(qū)或整個(gè)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)擦除,而擦除操作要花費(fèi)大量的時(shí)間。FLASH存儲(chǔ)器還有其他特性,比如讀寫速度慢、寫數(shù)據(jù)之前要先寫入狀態(tài)字、很多FLASH只適于順序讀寫而不適于跳轉(zhuǎn)操作等,這些特點(diǎn)都制約了FLASH存儲(chǔ)器的測試。

為解決FLASH測試中的這些問題,人們提出了應(yīng)用內(nèi)建自測試[2]或利用嵌入式軟件[3]等測試方法測試相關(guān)性能,都取得了比較好的效果,但這些方法大多不適用于利用測試儀進(jìn)行批量的產(chǎn)品測試。而多數(shù)對(duì)通用存儲(chǔ)器測試很有效的算法,由于受到FLASH器件自身的限制(如不能不能直接從“0”寫為“1”),很難直接適用于FLASH測試。

文本在簡單介紹FLASH芯片的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)之后,說明了FLASH存儲(chǔ)器測試程序原理。在此基礎(chǔ)上,分析和改進(jìn)了幾種通用的存儲(chǔ)器測試方法,使之能有效地應(yīng)用于FLASH測試中。這些方法簡單高效,故障覆蓋率高,并且可以快速預(yù)先產(chǎn)生,與其他一些測試算法[4][5]相比,更適于應(yīng)用在測試儀中進(jìn)行工程測試。本文分析了這些方法的主要特點(diǎn),在此基礎(chǔ)之上,介紹了實(shí)際FLASH存儲(chǔ)器測試中應(yīng)用的流程。

2.FLASH芯片的結(jié)構(gòu)特征

FLASH存儲(chǔ)器種類多樣,其中最為常用的為NOR型和NAND型FLASH。通常,NOR型比較適合存儲(chǔ)程序代碼,其隨機(jī)讀寫速度快,但容量一般較小(比如小于32 MB),且價(jià)格較高;而NAND型容量可達(dá)lGB以上,價(jià)格也相對(duì)便宜,適合存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但一般只能整塊讀寫數(shù)據(jù),隨機(jī)存取能力差。它們對(duì)數(shù)據(jù)的存取不是使用線性地址映射,而是通過寄存器的操作串行存取數(shù)據(jù)。

一般來說,不論哪種類型的FLASH,都有一個(gè)ID寄存器,用來讀取存儲(chǔ)器信息,可根據(jù)供應(yīng)商提供的芯片資料進(jìn)行具體的類型判斷。另外,F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器的擦除過程相對(duì)費(fèi)時(shí),且擦除流程相對(duì)復(fù)雜。圖1為FLASH芯片擦除的一般流程。

可見,擦除數(shù)據(jù)的操作限制了FLASH芯片的工作速度。此外,其他一些特性,比如讀寫速度慢、寫數(shù)據(jù)之前要先寫入狀態(tài)字、很多FLASH都設(shè)有冗余單元等等,這些特點(diǎn)都制約了測試速度的提高。因此,設(shè)計(jì)合理的方法,或?qū)讐KFLASH并測,并且應(yīng)用測試算法減少測試時(shí)間就顯得十分必要。

3.系統(tǒng)連接

本文選用的芯片為AMD公司的NOR型FLASH――Am29LV400B及三星公司的NAND型FLASH K9F5608UOB,它們都可通過44 PIN專用適配器和數(shù)字電路測試儀的數(shù)字通道直接相連。我們所采用的硬件實(shí)驗(yàn)平臺(tái)是北京自動(dòng)測試技術(shù)所開發(fā)的BC3192數(shù)模混合測試系統(tǒng),該系統(tǒng)可提供工作速度快,算法圖形產(chǎn)生方式靈活,非常適合測試需要。

4.測試實(shí)現(xiàn)方法

假設(shè)存儲(chǔ)器可選址的存儲(chǔ)單元數(shù)為N,由于存儲(chǔ)器芯片每次只能訪問一個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)單元只有“0”或“1”兩種狀態(tài),所以所有可能出現(xiàn)的狀態(tài)共2N種。由于選取的地址又是隨機(jī)的,所以,當(dāng)測試步數(shù)為M時(shí),選址序列組合可能有2N NM種之多。即使采用全“0”或全“1”兩種圖案測試,總的測試圖形也將有2NM種,這是個(gè)巨大的數(shù)字。


上一頁 1 2 3 下一頁

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉