電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四):二極管
一般來(lái)講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。
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常見(jiàn)二極管圖示
一、概述
二極管的符號(hào)為
半導(dǎo)體是一種具有特殊性質(zhì)的物質(zhì),它不像導(dǎo)體一樣能夠完全導(dǎo)電,又不像絕緣體那樣不能導(dǎo)電,它介于兩者之間,所以稱(chēng)為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體最重要的兩種元素是硅(讀“guī”)和鍺(讀“zhě”)。我們常聽(tīng)說(shuō)的美國(guó)硅谷,就是因?yàn)槟抢镉泻枚嗉野雽?dǎo)體廠商。
二極管應(yīng)該算是半導(dǎo)體器件家族中的元老了。很久以前,人們熱衷于裝配一種礦石收音機(jī)來(lái)收聽(tīng)無(wú)線電廣播,這種礦石后來(lái)就被做成了晶體二極管。
二極管最明顯的性質(zhì)就是它的單向?qū)щ娞匦?,就是說(shuō)電流只能從一邊過(guò)去,卻不能從另一邊過(guò)來(lái)(從正極流向負(fù)極)。我們用萬(wàn)用表來(lái)對(duì)常見(jiàn)的1N4001型硅整流二極管進(jìn)行測(cè)量,紅表筆接二極管的負(fù)極,黑表筆接二極管的正極時(shí),表針會(huì)動(dòng),說(shuō)明它能夠?qū)щ?然后將黑表筆接二極管負(fù)極,紅表筆接二極管正極,這時(shí)萬(wàn)用表的表針根本不動(dòng)或者只偏轉(zhuǎn)一點(diǎn)點(diǎn),說(shuō)明導(dǎo)電不良(萬(wàn)用表里面,黑表筆接的是內(nèi)部電池的正極)。
常見(jiàn)的幾種二極管中有玻璃封裝的、塑料封裝的和金屬封裝的等幾種。像它的名字,二極管有兩個(gè)電極,并且分為正負(fù)極,一般把極性標(biāo)示在二極管的外殼上。大多數(shù)用一個(gè)不同顏色的環(huán)來(lái)表示負(fù)極,有的直接標(biāo)上“—”號(hào)。大功率二極管多采用金屬封裝,并且有個(gè)螺母以便固定在散熱器上。
1 二極管的工作原理
二極管實(shí)物
晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程,產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱(chēng)為二極管的擊穿現(xiàn)象。p-n結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
2 半導(dǎo)體分立元器件命名方法
利用二極管單向?qū)щ姷奶匦?,常用二極管作整流器,把交流電變?yōu)橹绷麟姡粗蛔尳涣麟姷恼胫?或負(fù)半周)通過(guò),再用電容器濾波形成平滑的直流。事實(shí)上好多電器的電源部分都是這樣的。二極管也用來(lái)做檢波器,把高頻信號(hào)中的有用信號(hào)“檢出來(lái)”,老式收音機(jī)中會(huì)有一個(gè)“檢波二極管”,一般用2AP9型鍺管。
二、二極管的特性
1 正向性
外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)得阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱(chēng)為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管導(dǎo)通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱(chēng)為二極管的正向電壓。
2 二極管的反向特性
外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí),通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流,由于反向電流很小,二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱(chēng)為反向飽和電流或漏電流,二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。
3 擊穿
外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí),反向電流會(huì)突然增大,這種形象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被永久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。
二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?,有電子二極管和晶體二極管之分,電子二極管現(xiàn)已很少見(jiàn)到,比較常見(jiàn)和常用的多是晶體二極管。二極管的單向?qū)щ娞匦?,幾乎在所有的電子電路中,都要用到半?dǎo)體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用也非常廣泛。
二極管的管壓降:硅二極管(不發(fā)光類(lèi)型)正向管壓降0.7V,鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降為隨不同發(fā)光顏色而不同。
主要有三種顏色,具體壓降參考值如下:紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V,黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V,綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V,正常發(fā)光時(shí)的額定電流約為20mA。
二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系,所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)候要接相適應(yīng)的電阻。
4 二極管的反向擊穿
齊納擊穿反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。
雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)永久性損壞。
3 二極管電路及其分析方法
理想二極管的V–I特性如圖a,虛線為實(shí)際二極管的V–I特性。圖b為其代表符號(hào)。理想二極管在正向偏置時(shí),其管壓降為0V,反向偏置時(shí),它的電阻為無(wú)窮大,電流為零。
恒壓型V-I特性如圖所示。當(dāng)二極管導(dǎo)通后,其管壓降認(rèn)為恒定不隨電流而變(硅管典型值為0.7V)。此模型提供了合理的近似,因此應(yīng)用較廣。使用時(shí)只有當(dāng)二極管的電流iD近似等于或大于1mA時(shí)才是正確的。
3.1 二極管折線模型
對(duì)恒壓降模型作一定的修正,認(rèn)為二極管的管壓降是隨著通過(guò)二極管電流的增加而增加的即得二極管折線模型。在模型中用一個(gè)電池和一個(gè)電阻rD來(lái)作進(jìn)一步的近似。電池的電壓為二極管的門(mén)坎電壓Vth(約為0.5V)。當(dāng)二極管的導(dǎo)通電流為1mA時(shí),管壓降為0.7V時(shí)
二極管折線模型如下圖所示。
3.2 小信號(hào)模型
二極管小信號(hào)模型如上圖所示。如二極管在靜態(tài)工作點(diǎn)Q(vD=VD,iD=ID)附近工作,則可把V-I特性看成為一條直線,其斜率的倒數(shù)就是所要求的小信號(hào)模型的微變電阻rd。
rd=dvD/diD
rd的數(shù)值還可從二極管的V-I特性表達(dá)式導(dǎo)出。
取iD對(duì)vD的微分,可得微變電導(dǎo)
由此可得
例如,當(dāng)Q點(diǎn)上的ID=2mA時(shí),rd=26mV/2mV=13W。
值得注意的是,式(1)是二極管正向V-I特性一個(gè)很好的模型,稱(chēng)之為指數(shù)模型。利用它并根據(jù)數(shù)學(xué)迭代原理,可以較準(zhǔn)確地分析二極管電路。如借助PSPICE程序,指數(shù)模型更便于使用。
評(píng)論