基于ARM9TDMI的簡易直流電子負(fù)載設(shè)計(jì)
0 引言
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201608/296036.htm現(xiàn)實(shí)生活中負(fù)載的形式較為復(fù)雜,多為一些動態(tài)負(fù)載,如:負(fù)載消耗的功率是時間的函數(shù);或者負(fù)載工作在恒定電流、恒定電阻;負(fù)載為瞬時短路負(fù)載;以及在儀表測試時,如果想對其輸出特性進(jìn)行可靠、全面且比較簡單、快捷的測試等。傳統(tǒng)負(fù)載不能模擬這些復(fù)雜的負(fù)載形式,關(guān)鍵在于不能完成自動測試,因此,要實(shí)現(xiàn)這些功能離不開電子負(fù)載。
目前的電子直流負(fù)載由于電路設(shè)計(jì)和電器元件選擇的不完善,導(dǎo)致其不能在較大電流和較高電壓下穩(wěn)定、快速、精確的完成測量任務(wù)。本系統(tǒng)采用32位的ARM9TDMI為主控芯片,同時借助外部16位A/D轉(zhuǎn)換芯片ADSlll5的輔助電路,能夠保存更多的采樣數(shù)據(jù),從而減小了采樣信號的失真度,實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定快速的實(shí)時測量。對硬件電路的設(shè)計(jì),采用OP07與IRF640構(gòu)成的線性恒流源,并采用CSM025A、VSM025A來轉(zhuǎn)換電子負(fù)載側(cè)的較高電壓和較大電流,減小了在較高電壓和較大電流下對電子負(fù)載的影響。
1系統(tǒng)方案選擇
圖1為DA控制的電子負(fù)載結(jié)構(gòu)框圖。
借助16位模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADS1115將電壓電流回送至單片機(jī)。通過DA控制恒流源的電流,借助PID不斷修正電流至設(shè)定值,以保證電流的恒定且可調(diào),達(dá)到步進(jìn)10mA的要求,并有過壓保護(hù)功能。在12864液晶上顯示實(shí)時電壓電流值和設(shè)定電流值及負(fù)載調(diào)整率,電子負(fù)載具有優(yōu)良的精度、穩(wěn)定性和動態(tài)響應(yīng),并結(jié)合精確的軟件控制,實(shí)現(xiàn)了電源測量的快速和準(zhǔn)確。原理簡單,可行性高,成本低。
2理論分析與計(jì)算
2.1 電子負(fù)載及恒流電路的分析
通過16位高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADSlll5輸出電壓給恒流源電壓轉(zhuǎn)換恒定電流電路,由于運(yùn)算放大器OP07是精度高、低漂移運(yùn)算放大器,并且在10歐負(fù)載的情況下輸出電流能達(dá)到2 A。所以采用OP07和IRF640組成的一個Uin。電流串聯(lián)負(fù)反饋來實(shí)現(xiàn)電壓到電流的轉(zhuǎn)換,具體電路如圖2所示。
原理圖中OP07與IRF640構(gòu)成負(fù)反饋,由運(yùn)放的“虛短、虛斷”理論,因此MOS管IRF640的S極電位與TLV 5616輸入的電壓值相等。負(fù)載電流為:
IL正比于TLV5616的輸出電壓,與負(fù)載電阻Rw無關(guān)。當(dāng)MOS管IRF640導(dǎo)通后,流過負(fù)載電阻Rw的電流Iw=IL。若要求電流能從100mA~1000mA變化,考慮留有一定余量,最大電流為1.5A,當(dāng)設(shè)定DA輸出最大電壓為1.5 V時:
2.2電壓、電流的測量及精度分析
(1)A/D轉(zhuǎn)換器精度分析
為了能實(shí)現(xiàn)步進(jìn)1 mV的高精度要求,采用16位高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADS1115,能夠以高達(dá)每秒860個的速度采樣數(shù)據(jù),精度為1/2^n=1/2^16。
(2)D/A轉(zhuǎn)換器精度分析
為了能實(shí)現(xiàn)步進(jìn)1mA的精度要求,采用12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器TLV5616,精度可達(dá)到1/2^n=1/2^12。
2.3 電源負(fù)載調(diào)整率的測試原理
直流穩(wěn)壓電源負(fù)載調(diào)整率是指電源輸出電流從零至額定值變化時引起的輸出電壓變化率。負(fù)載調(diào)整率可以通過如下方式計(jì)算:當(dāng)電子負(fù)載電流為0時,被測電壓輸入記為U1。在達(dá)到額定電流I2(1A)時,被測電壓為U2,則電源負(fù)載調(diào)整率為:
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