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AVR熔絲位配置詳解

作者: 時間:2016-11-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
AVR通過熔絲來控制芯片內(nèi)部的一些功能,比如JTAG,時鐘的使用,掉電檢測電壓,是否允許調(diào)試等。

AVR Studio 中 STK500 處理熔絲位有巨大的優(yōu)勢:它是以功能組合讓用戶配置。 這種方式與小馬(PnoyProg2000,SL-ISP)相比,具有以下的優(yōu)勢(優(yōu)勢是如此明顯,可以用“巨大優(yōu)勢”來形容):

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201611/316282.htm
  1. 有效避免因不熟悉熔絲位讓芯片鎖死 (這是初學(xué)者的惡夢), 筆者曾經(jīng)鎖死過三片Atmega16。
  2. 不需要靠記憶與查文檔,就能配置熔絲位(這也是初學(xué)者的惡夢)
  3. 動手之前:請你一定弄清楚了,你這樣改會有什么后果,除非你有很多錢不在乎多鎖死幾個芯片。備份你的熔絲位狀態(tài),在點(diǎn)擊Program之前再次檢查熔絲位設(shè)置正確與否,不要誤點(diǎn)了某項而沒有注意到。

由于ISP下載需要芯片本身提供時鐘信號。一定注意,如果沒有接外部晶振,一定不能編程熔絲位使用外部晶振。一旦那樣做,就不能再進(jìn)入編程了,也就是芯片被鎖死。

建議新手不要隨意設(shè)置芯片的熔絲位,等對熔絲位比較了解了再進(jìn)行操作。

當(dāng)芯片鎖死已成事實,只要能夠為芯片提供相對應(yīng)的時鐘源即可。如選擇了Ext. RC Osc而又沒有外部 RC(阻容) 振蕩器時,可參考手冊的接一個很簡單的RC振蕩電路!再將熔絲位配置改回正確的配置就可搞定!

通過下圖的方法打開連接:

使用操作界面如下: (注意:下圖中,打勾的表示選中,代表0。沒有打勾的表示1)。

上圖的資料有很多相關(guān)項,你需要認(rèn)識以下的代碼,以理解意思。英文翻譯說明如下:

英文中文
On-Chip Debug Enabled片內(nèi) 調(diào)試 使能
JTAG Interface EnabledJTAG 接口 使能
Serial program downloading (SPI) enabled串行編程下載(SPI) 使能 (ISP下載時該位不能修改)
Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle;芯片擦除時EEPROM的內(nèi)容保留
Boot Flash section size=xxxx words引導(dǎo)(Boot)區(qū)大小為xxx個詞
Boot start address=$yyyy;引導(dǎo)(Boot)區(qū)開始地址為 $yyyy
Boot Reset vectorEnabled引導(dǎo)(Boot)、復(fù)位 向量 使能
Brown-out detectionlevel at VCC=xxxx V;掉電檢測的電平為 VCC=xxxx 伏
Brown-out detectionenabled;掉電檢測使能
Start-up time: xxx CK + yy ms啟動時間 xxx 個時鐘周期 + yy 毫秒
Ext. Clock;外部時鐘
Int. RC Osc.內(nèi)部 RC(阻容) 振蕩器
Ext. RC Osc.外部 RC(阻容) 振蕩器
Ext. Low-Freq. Crystal;外部 低頻 晶體
Ext. Crystal/Resonator Low Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 低頻
Ext. Crystal/ResonatorMedium Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 中頻
Ext. Crystal/Resonator High Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 高頻

注:以上中文是對照 ATmega16的中、英文版本數(shù)據(jù)手冊而翻譯。盡量按照了官方的中文術(shù)語。

應(yīng)用舉例:

比如我們想使用片內(nèi)的RC振蕩(即不需要接晶振),可以選擇選擇下面三者之一:

  • Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;
  • [CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;
  • [CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]

如圖:內(nèi)部1M晶振,默認(rèn)情況典型設(shè)置。(兩個圖分別為上下兩部分,沒有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。)

下圖顯示的是選擇內(nèi)部晶振,1 Mhz RC

比如我們想使用外部7.3728M晶振,可以選擇選擇下面三者之一:

  • Ext. Crystal/ResonatorHigh Freq.;
  • Start-up time: 258 CK + 4 ms;
  • [CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/ResonatorHigh Freq.;.... 有關(guān)的選擇。

如下兩圖:7.3728M晶振典型融絲位(及本站的開發(fā)板使用時候的典型設(shè)置)

如果你在使用過程中遇到什么問題,歡迎討論,http://bbs.avrvi.com。


后記:說說Mega128的熔絲位

ATmega128是avr系列中一款高性能的芯片,設(shè)計的時候兼容M103模式,但是這個M103模式經(jīng)常害人。基于此,說說ATmega128的熔絲位,順便說說其他的功能。

默認(rèn)情況下M103模式是選中的,應(yīng)該將其去掉;晶振是內(nèi)部1M晶振,如果你使用外部晶振,應(yīng)該進(jìn)行修改。M128可以開啟硬件的看門狗,選中此項,看門狗不需要程序初始化,只需要程序里面喂狗就可以了。


默認(rèn)熔絲第一部分

M103兼容模式,使能JTAG,使能SPI,Bootloader區(qū)大小4096,未使能BOOT。

默認(rèn)熔絲第二部分

DOD為2.7V,內(nèi)部1M晶振。

下面是本站使用M128開發(fā)板的典型設(shè)置,M103模式取消,使用M128模式,使用外部7.3728M晶振。

典型熔絲第一部分(只說修改部分)

去掉了M103,從而使用M128模式。

典型熔絲第二部分

選擇最后一項,即使用外部高頻晶振。

再次提醒大家,往芯片里燒寫程序前,一定要檢查是否正確設(shè)置熔絲位(時鐘源)。



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