PIC內(nèi)部EEPROM的操作

PIC內(nèi)部EEPROM的操作

//--------------------------------------------------------
//EEPROM字節(jié)寫程序
//功能:寫一個(gè)字節(jié)到內(nèi)部EEPROM
//入口:EEADR=地址
//EEDATA=數(shù)據(jù)
//--------------------------------------------------------
void write_eeprom ( void )
{
//while ( WR )//等待上一次寫操作結(jié)束
//{
//asm ("clrwdt");//喂狗
//}
EEPGD = 0 ; //設(shè)置訪問目標(biāo)為EEPROM
WREN = 1 ;//允許進(jìn)行寫操作
GIE = 0 ; //禁止中斷
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //啟動(dòng)一次寫操作
GIE = 1 ; //使能中斷
WREN = 0 ;//關(guān)閉寫操作
}

//--------------------------------------------------------
//EEPROM字節(jié)讀程序
//功能:從內(nèi)部EEPROM讀一個(gè)字節(jié)
//入口:EEADR=地址
//出口:EEDATA=數(shù)據(jù)
//--------------------------------------------------------
void read_eeprom( void )
{
EEPGD = 0 ; //設(shè)置訪問目標(biāo)為EEPROM
RD = 1 ; //啟動(dòng)一次讀操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字節(jié)寫程序
//功能:寫一個(gè)字節(jié)到內(nèi)部FLASH
//入口:EEADRH,EEADR=地址
//EEDATH,EEDATA=數(shù)據(jù)
//--------------------------------------------------------
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ; //設(shè)置訪問目標(biāo)為FLASH
WREN = 1 ;//允許進(jìn)行寫操作
GIE = 0 ; //禁止中斷
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //啟動(dòng)一次寫操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;
GIE = 1 ; //使能中斷
WREN = 0 ;//關(guān)閉寫操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字節(jié)讀程序
//功能:從內(nèi)部FLASH讀一個(gè)字節(jié)
//入口:EEADRH,EEADR=地址
//出口:EEDATH,EEDATA=數(shù)據(jù)
//--------------------------------------------------------
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ; //設(shè)置訪問目標(biāo)為FLASH
RD = 1 ; //啟動(dòng)一次讀操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;

}

2.方法二：

void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)//寫EEPROM
{
do{;}
while(WR==1);//上一次寫操作是否完成
EEADR=addr;//EEPROM地址
EEDATA=data;//準(zhǔn)備寫入EEPROM的數(shù)據(jù)
EEPGD=0;//指向EEPROM數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器
WREN=1;//使能寫操作
EECON2=0x55;//設(shè)置通用參數(shù)
EECON2=0xAA;//設(shè)置通用參數(shù)
WR=1;//開始寫
do{;}
while(WR==1);//等待寫操作完成
WREN=0;//禁止寫操作
}
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr)//讀EEPROM
{
unsigned char num;
do{;}
while(RD==1);//上一次讀操作是否完成
EEADR=addr;//EEPROM地址為00H
EEPGD=0;//指向EEPROM數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器
RD=1;//開始讀
do{;}
while(RD==1);//等待讀操作完成
num=EEDATA;//讀出
return(num);//返回讀出的數(shù)
}

說明：兩個(gè)程序基本步驟是一致的。個(gè)中的差別是：

1、一程序中更嚴(yán)密，其中增加了對(duì)WR和RD標(biāo)志位的判別，缺點(diǎn)是實(shí)時(shí)性較差。

2、而二程序中沒有這個(gè)對(duì)WR和RD標(biāo)志位的判別。那是因二將該判別的動(dòng)作放在了上級(jí)程序中。也就是說，二在調(diào)用write_eeprom 函數(shù)之前，會(huì)先行判斷WR。確信上次寫操作已經(jīng)結(jié)束后，才去調(diào)用新一次的寫操作。這樣做的目的是為了系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性。

3.方法三：

PICC系統(tǒng)自帶“ PIC.H”文件中，已經(jīng)內(nèi)嵌了這兩個(gè)函數(shù)。！

以下是“ PIC.H”文件中的內(nèi)容：

/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:

The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear. This is by
design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
desired. To guarantee uncorrupted writes, use the function
eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
before calling EEPROM_READ().
*/
#ifEEPROM_SIZE > 0
#ifdef__FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#defineEEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else// else doesnt write flash
#defineEEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif

/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif// end EEPROM routines