nandflash(K9F2G08U0A)的復(fù)習(xí)--APPLE的學(xué)習(xí)筆記

基于2440+nandflash(K9F2G08U0A)的復(fù)習(xí)

1,Nandflash的關(guān)鍵接口引腳（要求：記?。?br />CE（片選），nWE（使能寫）,nWE(使能讀)，ALE(地址/數(shù)據(jù)鎖存)，CLE（命令鎖存），RnB（忙標(biāo)志），nWP（使能寫

保護(hù)）

2，容量計(jì)算：（要求：理解如何計(jì)算）
1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages
= (128K + 4K) Bytes
1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 2,048 Blocks
= 2,112 Mbits
注意單位為Mbits=264Mbyte

另外，列地址A0-A11共12根線，為2^12=4K，其實(shí)要么2K，比(2K + 64)大，那么就是4K，需要12根線。 行地址17根

線，即2^17=131072，也就是64Pages x 2,048 Blocks。

3，讀寫基本最時(shí)序如下（要求：記住）

4，會(huì)配置讀寫時(shí)序timing。（要求：理解如何計(jì)算）
對(duì)比如下圖后得知TACLS=tcls-twp=0；TWRPH0=twp；TWRPH1=tclh,接著根據(jù)公式自己算寄存器值等等。
TACLS [13:12] CLE & ALE duration setting value (0~3)
Duration = HCLK x TACLS

2440nandflash接口延時(shí)命名如下：

nandflash時(shí)序及延時(shí)命名如下：

5，MCU的nandflash配置時(shí)，主要使用的寄存器（要求：記?。?br />a，配置寄存器：主要是配置timing。
b，控制寄存器：主要是控制nandflash使能等。
c，命令基礎(chǔ)器：向寄存器寫入命令數(shù)據(jù)后。則接口會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)寫命令的時(shí)序。
d，地址寄存器：向寄存器寫入地址數(shù)據(jù)后。則接口會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)寫地址的時(shí)序。
e，數(shù)據(jù)寄存器：向寄存器讀出數(shù)據(jù)后。則接口會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)讀數(shù)據(jù)的時(shí)序。
f，狀態(tài)寄存器：顯示RnB的狀態(tài)。

6，常用操作（要求：記?。?br />1，reset流程
當(dāng)然先要片選使能，然后發(fā)生reset命令，檢測(cè)通過狀態(tài)寄存器檢測(cè)RnB腳從低到高。就算reset成功了。
2，read ID
使能片選，檢測(cè)RnB為閑后，寫readid命令，延時(shí)后，讀取data寄存器中的數(shù)據(jù)，讀5次后，則讓片選失效。
3，讀操作
使能片選，檢測(cè)RnB為閑后，寫第一個(gè)讀命令，然后寫地址（列+行），再寫第二個(gè)讀命令，等待RnB由忙到閑，則

讀取data寄存器中的數(shù)據(jù)。最后讓片選失效。
注：其中有Read Operation with CE don’t-care，即CE連接在MCU的一個(gè)普通IO口上。可以不用管。
4，寫操作
使能片選，檢測(cè)RnB為閑后，寫第一個(gè)寫命令，然后寫地址（列+行），再寫第二個(gè)寫命令，等待RnB由忙到閑后，

再讀I/O bit0是否為0，為0則說明編程沒錯(cuò)誤。即完成對(duì)nandflash的編程操作。
5，擦除操作
使能片選，檢測(cè)RnB為閑后，寫第一個(gè)擦除命令，然后寫地址（列+行），再寫第二個(gè)擦除命令，等待RnB由忙到閑

后，再讀I/O bit0是否為0，為0則說明擦除沒錯(cuò)誤。即完成對(duì)nandflash的擦除操作。

7，nandflash的boot模式（要求：記?。?br /> MCU可以控制外部nandflash的boot方式。OM【1：0】=0時(shí)，則選擇從外部nandflash啟動(dòng)程序。
nandflash的啟動(dòng)機(jī)制：
a，前提：程序已經(jīng)燒錄到nandflash的0地址開始處。可以用jlink間接燒錄法等。
b，2440MCU上電后，會(huì)自動(dòng)讀取nandflash的前4K到它的內(nèi)部sarm（該區(qū)域名稱為SteppingStone），然后在

SteppingStone中運(yùn)行程序。那么假設(shè)nandflash中的數(shù)據(jù)大于4K，而自動(dòng)復(fù)制大小僅為4K，怎么辦呢？所以，在這4K

代碼中需要加入copynand2ram。然后，拷貝完后，接著PC跳到下一個(gè)標(biāo)志位置繼續(xù)執(zhí)行。（解釋一下標(biāo)志位置，如何

一開始在內(nèi)部sarm中，可能地址為0x100，但是當(dāng)copynand2ram函數(shù)運(yùn)行完后，此標(biāo)志位置就會(huì)變成

0x30000000+0x100。那么就可以繼續(xù)執(zhí)行，而不是重復(fù)執(zhí)行了）

8，ecc工作原理（待做）

9，壞塊基本處理方式（要求：記?。?br /> 當(dāng)檢測(cè)到壞塊后，nandflash會(huì)自動(dòng)使用預(yù)留的block來代替。并且為此壞塊做標(biāo)記。
* Step1
When an error happens in the nth page of the Block ’A’ during erase or program operation.
* Step2
Copy the data in the 1st ~ (n-1)th page to the same location of another free block. (Block ’B’)
* Step3
Then, copy the nth page data of the Block ’A’ in the buffer memory to the nth page of the Block ’B

’.
* Step4
Do not erase or program to Block ’A’ by creating an ’invalid block’ table or other appropriate

scheme.

10，nandflash和norflash的基本區(qū)別（要求：記?。?br />a，接口不同，nandflash是地址命令線共用的。norflash是分開的。
b，速度不同，nandflash的寫入是擦除速度比norflash快很多，norflash的讀取速度比nandflash快。
c，可靠性不同，nandflash容易出現(xiàn)壞塊
d，壽命不同，nandflash可擦除一百萬次，norflash可擦除十萬次。
e，文件系統(tǒng)不同。nandflash選用yaffs文件系統(tǒng)，norflash選用jffs文件系統(tǒng)
f，價(jià)格容量不同。nandflash容量大，價(jià)格偏低。norflash容量小，價(jià)格偏高。