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單片機內(nèi)存尋址XDATA/PDATA回答

作者: 時間:2016-11-24 來源:網(wǎng)絡 收藏
本人遇到的問題和解決方法
1、pdata 空間不夠用溢出 直接換成xdata pdata 就是最后的一點空間很容易溢出至于用pdata 有什么好處暫時沒有找到相關(guān)的正面解釋。
關(guān)于51單片機內(nèi)存問題,一直是個疑惑大家的問題,因為51單片機是個很另類的單片機。下面我給網(wǎng)上取到一部分講解一下:51單片機之所以另類,是因為,他尋址內(nèi)存的空間,不是靠總線,是用指令的方式。51單片機有以下幾個內(nèi)存模塊組成:1】ROM或者Flash,叫程序存儲區(qū),你寫的程序是存在這里面的,上電后從這里面執(zhí)行。程序存儲區(qū)也分為片內(nèi)和片外,一般來說,現(xiàn)在的51很多已經(jīng)做到了64K,所以很少有外擴片外Flash或者片外的Rom了,F(xiàn)lash或者Rom不管是片內(nèi)還是片外的,只能用來定義常量,是用code來修飾,也就是說,用code來修飾的東西,在程序運行過程中,不能修改;2】RAM有------內(nèi)部RAM的低128位(00-7F),對應C語言就是data,比如我定義一個變量,data unsigned char Var = 0;那么,這個 Var變量就是放在內(nèi)部的低128位Ram中-------內(nèi)部RAM的高128位(80-FF),對應C語言就是idata,比如我定義一個變量,idata unsigned char Var = 0;那么,這個 Var變量就是放在內(nèi)部的高128位Ram中-------特殊功能寄存器(SFR)(80-FF),對應C語言就是Sfr比如我定義一個變量,Sfr unsigned char Var = 0x90;那么,這個 Var變量就是放在內(nèi)部的特殊功能寄存器中,這是你對Var操作,相當于操作一個特殊的寄存器,但是小心,不能隨便定義Sfr變量,很危險------外部RAM 64K(0000-FFFF)外部的RAM可以擴展到65536個,但是前256個算是一頁,這一頁比較特殊,是用pdata來修飾的,當然,也可以用xdata來修飾。除了第一頁的256個以外的其他65280個空間,只能用xdata來修飾;回過頭來討論pdata和xdata,這兩個都能修飾外部Ram的第一頁,但是,Pdata只能修飾第一頁,即最前面的256個外部Ram,那么,這最前面的256個到底用Pdata還是Xdata好的呢?答案是Pdata,因為Xdata修飾的變量,用的是DPTR尋址,Pdata用的是R0和R1.DPTR因為是16位的,所以可以覆蓋整個的64K外部Ram,R0和R1是8位,所以只能尋址最前面的256個,也就是外部Ram的第一頁,但是,用R0尋址,比DPTR快一倍,代碼也小的很多樓主又疑惑了,好多地址是重復的,比如,我向80H地址寫一個數(shù)值,單片機怎么知道讀的是內(nèi)部的高128位RAM?還是SFR?還是外部64K的RAM呢?答案是用指令,如果是直接尋址,那么訪問的就是SFR,如果是R0或者R1間接尋址,就是內(nèi)部高128位RAM,如果是DPTR或者是R0,R1間接尋址,且配合的是MovX指令,那么就是訪問外部64KRAM中的第80H個地址。概括一下來說,51的內(nèi)存由以下組成:1----程序存儲器(包括片內(nèi)Flash或Rom,也包括片外Flash或Rom,C語言用Code定義)2----內(nèi)部低128位Ram,C語言用data定義3---內(nèi)部高128位Ram,C語言用idata定義4---內(nèi)部SFR,C語言用Sfr定義5---外部65536個Ram(通常,很多單片機廠家不會給你擴展那么多的,一般來說擴展256個字節(jié)或者1024個字節(jié)就差不多了,最近宏晶的出了個擴展4096字節(jié)的。這65536字節(jié)的Ram,前256個可以用Pdata修飾,也可以用Xdata修飾,超過256個之后的,只能用Xdata修飾)以上所說的只是針對51內(nèi)核的單片機,其他內(nèi)核的,像ARM之類的,不是這種結(jié)構(gòu)的。最后,回答我們的大家的問題:片外存儲區(qū)是什么?這個問題太模糊,答案可以是外擴的Flash,也可以說是外擴的RAM,如果問題是這么問的:程序或者常量存儲在片外存儲區(qū),這個片外存儲區(qū)指的是什么?答案是外擴Flash;如果問題是---變量存儲在片外存儲區(qū),這個片外存儲區(qū)指的是什么?答案是外擴RAM;一般來說,如果不指明的話,外內(nèi)存儲區(qū),行業(yè)內(nèi)人士指的是外部的Ram。片內(nèi)存儲器是什么?是不是就是內(nèi)部的E2PROM?片內(nèi)存儲區(qū)一般來說,指的是內(nèi)部的Ram,包括高128位(idata)和低128位(data)片內(nèi)存儲器,這個說法我沒聽說過,可能是EEPROM吧。


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