寫MSP430片內(nèi)flash

MSP430X14X Flash 讀寫操作總結(jié)

開發(fā)平臺(tái)：IAR Embedded Workbench、MSP430F149開發(fā)板

作者：譚貝貝

Flash操作注意事項(xiàng)

在讀寫的過程中電壓不能小于2.7V否則擦除和讀寫的結(jié)果將不可預(yù)測。Flash的可操作時(shí)鐘頻率為~257KHZ---~476KHZ。如果頻率不符合要求，則結(jié)果不可預(yù)測。

在擦除先需要關(guān)閉中斷和看門狗，在擦除的過程中如果產(chǎn)生了中斷，則會(huì)在重新使能中斷后產(chǎn)生一個(gè)中斷請求。Flash只能從1寫為0，不能從從0寫為1，所以需要擦除。

可以被擦除的最小模塊是片段，tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG。

Flash ERASE

MSP430X14X的擦除模式可以從Flash或者RAM中進(jìn)行。

從Flash中擦除

從Flash中擦除的過程中所有的定時(shí)都會(huì)被Flash控制，CPU被掛起。擦除完成后需要一個(gè)假寫入CPU才能復(fù)位。從Flash擦除時(shí)有可能把后面CPU需要執(zhí)行的代碼擦除。如果發(fā)生這樣的情況，在擦除后CPU的執(zhí)行狀況將不可預(yù)測。

Flash中擦除流程圖

圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

從RAM中擦除

從RAM中擦除時(shí)CPU不會(huì)被掛起，可以繼續(xù)執(zhí)行代碼。必須檢測BUSY位以判斷擦除是否結(jié)束，如果在擦除的過程中（即BUSY=1時(shí)）訪問Flash，這是一個(gè)違規(guī)的訪問，ACCVIFG會(huì)置位，而擦除的結(jié)果也將不可預(yù)測。

RAM中擦除流程圖

圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

Flash Write

MSP430X14X有兩種寫入模式，分為段寫入（byte/word write），和塊寫入（Block Write），塊寫入要快得多，但是操作麻煩，在擦除的過程中不能有一個(gè)Flash word(low + high byte)，則會(huì)發(fā)生損壞。CPU不能在BUSY=1時(shí)訪問Flash，否則ACCFIG將置位寫入將不可預(yù)測。

1.Byte/Word write

Byte/Word 寫入可以從Flash或者RAM初始化，當(dāng)從Flash中初始化時(shí)，所有的定時(shí)都會(huì)被Flash控制，CPU被掛起。寫完后CPU將繼續(xù)執(zhí)行后面的代碼。

當(dāng)從RAM中初始化時(shí)，BUSY必須在CPU訪問Flash前置0.否則ACCFIG將被置位，寫入的結(jié)果將不可預(yù)測。

在Byte/Word 寫模式下寫入總時(shí)間不能超過4ms,如果超過了，當(dāng)再想這塊任何地址寫入數(shù)據(jù)時(shí)必須先擦除。

Byte/Word 寫入流程圖

從RAM中執(zhí)行Byte/Word 寫入

塊寫入

塊寫入時(shí)沒一小塊不能超過t_cpt=4ms,塊寫入只能從RAM中進(jìn)行，在塊寫入的過程中WAIT位要置0，當(dāng)想Flash中寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要先檢查WAIT位是否為1.當(dāng)前塊寫完后BLKWRT要清0.

流程圖

圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

在擦除或者寫入的過程中訪問Flash，見下表

Flash的寄存器

FCTL1，選擇擦除和寫入模式的寄存器

FRKEY/FWKEY 高八位為密碼讀的密碼為96h，寫的密碼為A5h。

BLKWRT 塊寫入模式選擇位，可以自動(dòng)被EMEX置位

WRT 字寫入模式選擇位，可任意自動(dòng)被EMEX置位

MERASE和ERASE，擦除模式選擇位

FCTL2時(shí)鐘選擇寄存器

FWKEYx密碼位

FSSELx時(shí)鐘選擇位

FNx分頻比 分頻值等于FN+1

兩個(gè)例子

#include

#include "BoardConfig.h"

void Write_A(uchar value);

void Copy_A2B(void);

void main( void )

{

// Stop watchdog timer to prevent time out reset

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

BoardConfig(0xb8);

FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //Select source

uchar value = 0;

for(;;)

{

Write_A(value++); //Write data to segment A

Copy_A2B(); //Copy data from segment A to segment B

_NOP();

}

}

void Write_A(uchar value)

{

uchar i;

uchar *Flash_ptr;

Flash_ptr = (uchar *)0x1080;

FCTL1 = FWKEY + ERASE; //Set ERASE mode

FCTL3 = FWKEY; //Clear LOCK

*Flash_ptr = 0; //Dummy write

FCTL1 = FWKEY + WRT;

for(i = 0;i < 128;i++)

{

*Flash_ptr++ = value; //Write value

}

FCTL1 = FWKEY; //Clear WRT

FCTL3 = FWKEY + LOCK; //Set LOCK

}

//Copy data from B to A

void Copy_A2B(void)

{

uchar *Flash_ptrA;

uchar *Flash_ptrB;

uint i;

Flash_ptrA = (uchar *)0X1080;

Flash_ptrB = (uchar *)0x1000;

FCTL1 = FWKEY + ERASE;

FCTL3 = FWKEY;

*Flash_ptrB = 0;

FCTL1 = FWKEY + WRT;

for(i = 0;i < 128;i++)

{

*Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++;

}

FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

}