51單片機(jī)練習(xí)題

1.1、MCS-51系統(tǒng)中，當(dāng)PSEN信號有效時，表示CPU要從（外部程序存儲器）存儲器讀取信息。

1.2、PSW中的RS1RS0=10時，R2的地址為（12H），RS1RS0=11時，R2的地址為（1AH）。

1.3、一個機(jī)器周期=12個（振蕩周期）=6個（狀態(tài)周期/時鐘周期）。

1.4、在MCS－51單片機(jī)中，如果采用9MHz晶振，1個機(jī)器周期為（1.5）us。

1.5、若（DPTR）=2000H，（A）=50H，執(zhí)行指令“MOVC A，@A+DPTR”后，送入A的是程序存儲器（2050H）單元的內(nèi)容。

1.6、假定累加器（A）=50H，執(zhí)行程序存儲器2000H單元處的指令“MOVC A，@A+PC”后，送入A的是程序存儲器（2051H）單元的內(nèi)容。

1.7、訪問內(nèi)部RAM可使用MOV指令，而訪問外部RAM使用（MOVX）指令，訪問內(nèi)部ROM使用（MOVC）指令，訪問外部ROM使用（MOVC）指令。

1.8、指令“ORL A，#0F0H”的作用是將A的高4位置1，而低4位（保持不變）。

1.9、執(zhí)行“ANL A，#0FH”指令后，累加器A的高4位= （0000B）。

1.10、若“SJMP rel”的指令操作碼地址為1000H，rel=50H，那么它的轉(zhuǎn)移目標(biāo)地址為（1052H）。

1.11、假定（A）=54，執(zhí)行指令“ADD A，#65”后，累加器A的內(nèi)容為（01110111B），CY的內(nèi)容為（0）。

1.12、主頻為12MHz的MCS-51單片機(jī)系統(tǒng)用T0方式1定時1ms，則時間常數(shù)應(yīng)為 (64536)。

1.13、假定（A）=86H，執(zhí)行指令“ADDA，#8DH”后，累加器A的內(nèi)容為(03H)，CY的內(nèi)容為(1)，AC的內(nèi)容為(1)，OV的內(nèi)容為(1)。

2、選擇題

2.1、當(dāng)MCS-51復(fù)位時，下面說法正確的是（A）。
A、 PC=0000H；B、 SP=00H；C、 SBUF=00H；D、 P0=00H；
2.2、PSW=01H時，則當(dāng)前工作寄存器是（B）。
A、 0組；B、 1組；C、 2組；D、 3組；

2.3、單片機(jī)8031的ALE引腳是（C） 。
A、輸出高電平；C、輸出矩形脈沖，頻率為fosc的1/6；
B、輸出低電平；D、輸出矩形脈沖，頻率為fosc的1/2；

2.4、若PSW.4=0，PSW.3=1，要想把寄存器R0的內(nèi)容入棧，應(yīng)使用(D)指令。
A、PUSH R0；B、PUSH @R0；C.PUSH 00H；D.PUSH 08H；

3、簡答題

3.1、簡述讀片外ROM和讀寫片外RAM用到的控制信號。

答：①ALE：當(dāng)CPU 訪問外部程序或數(shù)據(jù)存儲器時，此信號作為鎖存低8位地址的控制信號。

②PSEN：外部程序存儲器選通控制信號，低電平有效。
③EA：該引腳為低電平時，只選用片外程序存儲器；該引腳為高電平時，先選用片內(nèi)程序存儲器，然后選用片外程序存儲器。
④RD：片外RAM讀控制信號。
⑤WR：片外RAM寫控制信號。

3.2、簡述89C51串口通信的四種方式及其特點。
答：方式0：同步移位寄存器輸入/輸出方式，常用于擴(kuò)展I/O口。波特率固定為振蕩頻率的1/12，并不受PCON寄存器中SMOD位的影響。
方式1：用于串行發(fā)送或接收，為10位通用異步接口。TXD與RXD分別用于發(fā)送與接收數(shù)據(jù)。收發(fā)一幀數(shù)據(jù)的格式為1位起始位、8位數(shù)據(jù)位（低位在前）、1位停止位，共10位。波特率由定時器T1的溢出率與SMOD值同時決定。
方式2：用于串行發(fā)送或接收，為11位通用異步接口。TXD與RXD分別用于發(fā)送與接收數(shù)據(jù)。收發(fā)一幀數(shù)據(jù)的格式為1位起始位、8位數(shù)據(jù)位（低位在前）、1位可編程的第9數(shù)據(jù)位和1位停止位，共11位。波特率取決于PCON中SMOD位的值：當(dāng)SMOD＝0時，波特率為 的1/64；當(dāng)SMOD＝1時，波特率為 的1/32。
方式3：用于串行發(fā)送或接收，為11位通用異步接口。TXD與RXD分別用于發(fā)送與接收數(shù)據(jù)。幀格式與方式2相同，波特率與方式1相同。

4、編程與應(yīng)用

4.1、編程實現(xiàn)c=a*a+b*b。設(shè)a、b均小于10，a存在31H單元，b存在32H單元，把c存入33H單元。

4.2、將兩個半字節(jié)數(shù)，合并成一字節(jié)數(shù)。將片內(nèi)RAM 50H、51H地址中的內(nèi)容各自低4位合并后，結(jié)果存入片內(nèi)RAM 52H地址中。

4.3、設(shè)有D1、K1連接如附圖。

①試編程實現(xiàn)如下控制：D1初始點亮，此后開關(guān)每按下一次，D1改變狀態(tài)一次。

②試編程實現(xiàn)如下控制：D1初始點亮，此后開關(guān)閉合時，每隔250毫秒D1改變狀態(tài)一次，開關(guān)打開時D1維持最后狀態(tài)不改變(設(shè)晶振頻率=3MHz)。