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51單片機練習題

作者: 時間:2016-11-26 來源:網(wǎng)絡 收藏
1、填空題

1.1、MCS-51系統(tǒng)中,當PSEN信號有效時,表示CPU要從(外部程序存儲器)存儲器讀取信息。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201611/321808.htm

1.2、PSW中的RS1RS0=10時,R2的地址為(12H),RS1RS0=11時,R2的地址為(1AH)。

1.3、一個機器周期=12個(振蕩周期)=6個(狀態(tài)周期/時鐘周期)。

1.4、在MCS-51單片機中,如果采用9MHz晶振,1個機器周期為(1.5)us。

1.5、若(DPTR)=2000H,(A)=50H,執(zhí)行指令“MOVC A,@A+DPTR”后,送入A的是程序存儲器(2050H)單元的內(nèi)容。

1.6、假定累加器(A)=50H,執(zhí)行程序存儲器2000H單元處的指令“MOVC A,@A+PC”后,送入A的是程序存儲器(2051H)單元的內(nèi)容。

1.7、訪問內(nèi)部RAM可使用MOV指令,而訪問外部RAM使用(MOVX)指令,訪問內(nèi)部ROM使用(MOVC)指令,訪問外部ROM使用(MOVC)指令。

1.8、指令“ORL A,#0F0H”的作用是將A的高4位置1,而低4位(保持不變)。

1.9、執(zhí)行“ANL A,#0FH”指令后,累加器A的高4位= (0000B)。

1.10、若“SJMP rel”的指令操作碼地址為1000H,rel=50H,那么它的轉(zhuǎn)移目標地址為(1052H)。

1.11、假定(A)=54,執(zhí)行指令“ADD A,#65”后,累加器A的內(nèi)容為(01110111B),CY的內(nèi)容為(0)。

1.12、主頻為12MHz的MCS-51單片機系統(tǒng)用T0方式1定時1ms,則時間常數(shù)應為 (64536)。

1.13、假定(A)=86H,執(zhí)行指令“ADDA,#8DH”后,累加器A的內(nèi)容為(03H),CY的內(nèi)容為(1),AC的內(nèi)容為(1),OV的內(nèi)容為(1)。

2、選擇題

2.1、當MCS-51復位時,下面說法正確的是(A)。
A、 PC=0000H;B、 SP=00H;C、 SBUF=00H;D、 P0=00H;
2.2、PSW=01H時,則當前工作寄存器是(B)。
A、 0組;B、 1組;C、 2組;D、 3組;

2.3、單片機8031的ALE引腳是(C) 。
A、輸出高電平;C、輸出矩形脈沖,頻率為fosc的1/6;
B、輸出低電平;D、輸出矩形脈沖,頻率為fosc的1/2;

2.4、若PSW.4=0,PSW.3=1,要想把寄存器R0的內(nèi)容入棧,應使用(D)指令。
A、PUSH R0;B、PUSH @R0;C.PUSH 00H;D.PUSH 08H;

3、簡答題

3.1、簡述讀片外ROM和讀寫片外RAM用到的控制信號。

答:①ALE:當CPU 訪問外部程序或數(shù)據(jù)存儲器時,此信號作為鎖存低8位地址的控制信號。

②PSEN:外部程序存儲器選通控制信號,低電平有效。
③EA:該引腳為低電平時,只選用片外程序存儲器;該引腳為高電平時,先選用片內(nèi)程序存儲器,然后選用片外程序存儲器。
④RD:片外RAM讀控制信號。
⑤WR:片外RAM寫控制信號。

3.2、簡述89C51串口通信的四種方式及其特點。
答:方式0:同步移位寄存器輸入/輸出方式,常用于擴展I/O口。波特率固定為振蕩頻率的1/12,并不受PCON寄存器中SMOD位的影響。
方式1:用于串行發(fā)送或接收,為10位通用異步接口。TXD與RXD分別用于發(fā)送與接收數(shù)據(jù)。收發(fā)一幀數(shù)據(jù)的格式為1位起始位、8位數(shù)據(jù)位(低位在前)、1位停止位,共10位。波特率由定時器T1的溢出率與SMOD值同時決定。
方式2:用于串行發(fā)送或接收,為11位通用異步接口。TXD與RXD分別用于發(fā)送與接收數(shù)據(jù)。收發(fā)一幀數(shù)據(jù)的格式為1位起始位、8位數(shù)據(jù)位(低位在前)、1位可編程的第9數(shù)據(jù)位和1位停止位,共11位。波特率取決于PCON中SMOD位的值:當SMOD=0時,波特率為 的1/64;當SMOD=1時,波特率為 的1/32。
方式3:用于串行發(fā)送或接收,為11位通用異步接口。TXD與RXD分別用于發(fā)送與接收數(shù)據(jù)。幀格式與方式2相同,波特率與方式1相同。

4、編程與應用

4.1、編程實現(xiàn)c=a*a+b*b。設a、b均小于10,a存在31H單元,b存在32H單元,把c存入33H單元。

4.2、將兩個半字節(jié)數(shù),合并成一字節(jié)數(shù)。將片內(nèi)RAM 50H、51H地址中的內(nèi)容各自低4位合并后,結(jié)果存入片內(nèi)RAM 52H地址中。

4.3、設有D1、K1連接如附圖。


①試編程實現(xiàn)如下控制:D1初始點亮,此后開關(guān)每按下一次,D1改變狀態(tài)一次。

②試編程實現(xiàn)如下控制:D1初始點亮,此后開關(guān)閉合時,每隔250毫秒D1改變狀態(tài)一次,開關(guān)打開時D1維持最后狀態(tài)不改變(設晶振頻率=3MHz)。



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