新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計應(yīng)用 > STM32的代碼,跑在RAM里快?還是跑在Flash里快?

STM32的代碼,跑在RAM里快?還是跑在Flash里快?

作者: 時間:2016-12-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
這肯定是很多人關(guān)心的問題,下面通過一個例子看看會有什么樣的結(jié)論:
測試手段如下:
主循環(huán)一直在做一個變量的自加(sum1++),當(dāng)然前提保證不會溢出。
用Cortex-M3內(nèi)部的Systick計數(shù),以一秒鐘為限,這個sum1的數(shù)值大小,可以判斷哪種方式比較快。為了嚴(yán)密,我們觀察第一秒到第二秒之間的計數(shù)效果;而不是從第0秒到第1秒(因?yàn)槭鼓躍ystick到真正開始執(zhí)行sum1++可能有間隙)。在第一次進(jìn)入Systick的ISR時,記錄下sum1的值;第二次進(jìn)入Systick的ISR時,再次記錄sum1的值,兩次值之差即為一秒鐘間隔中sum1執(zhí)行了多少次自加。由此看出哪種方式比較快。
同樣的測試前提:Prefetch Buffer Enable + Flash Latenty="2" (根據(jù)Flash Programming Manual中要求的那樣,當(dāng)48MHz
測試結(jié)果如下:
不對代碼優(yōu)化,在RAM中執(zhí)行程序:sum1計數(shù)69467/秒
不對代碼優(yōu)化,在FLASH中執(zhí)行程序:sum1計數(shù)43274/秒 (Flash里跑得慢)
/***********循環(huán)體內(nèi)代碼為N個以下的block*************/
(1)LDR R0,[PC, #0x154]
(2)LDR R1,[PC, #0x154]
(3)LDR R1,[R1,#0]
(4)ADDS R1, R1,#0x1
(5)STR R1,[R0, #0]
......
/****************************************************/
打開速度優(yōu)化開關(guān),在RAM中執(zhí)行程序:sum1計數(shù)98993/秒
打開速度優(yōu)化開關(guān),在FLASH中執(zhí)行程序:sum1計數(shù)115334/秒 (Flash里跑得快)
/***********循環(huán)體內(nèi)代碼為N個以下的block*************/
(1)LDR R1,[R1,#4]
(2)ADDS R1, R1,#0x1
(3)STR R1,[R0, #0]
......
/****************************************************/
結(jié)論就是:
1)程序運(yùn)行在RAM里速度快還是運(yùn)行在Flash里速度快,不是絕對的一概而論的,取決于代碼;
2)就以上兩種具體的代碼情況來說,我覺得無優(yōu)化時,如果在Flash里執(zhí)行:(1)(2)的取指(讀flash)->譯碼->執(zhí)行 (讀flash);取指和執(zhí)行階段flash的目標(biāo)地址不是連續(xù)的,因此是non-sequencial access,所以會很慢;
打開優(yōu)化時,(1)(2)(3)都不會造成flash的non-sequential access,所以在flash里的優(yōu)勢(取指和取數(shù)據(jù)走不同的總線ICode和DCode以及Prefetch)就體現(xiàn)出來了。
再進(jìn)一步的分析,又有這樣一些結(jié)論:
沒有優(yōu)化時,指令執(zhí)行時要到Flash中取常數(shù),結(jié)果造成指令預(yù)取隊(duì)列的取指中斷,取完常數(shù)后需要重新填充指令預(yù)取隊(duì)列,而Flash訪問需要插入等待周期,當(dāng)然時間就比較長了。
經(jīng)過代碼優(yōu)化后,指令執(zhí)行時不用再到Flash中取常數(shù),指令預(yù)取隊(duì)列不會被打斷,而Flash訪問需要插入等待周期的效應(yīng)被下面貼子中介紹的取指緩沖區(qū)抵消,所以自然速度就快了;而這個時候在RAM中執(zhí)行反而慢了是因?yàn)镽AM不在ICode總線上,從RAM取指需要繞一圈,當(dāng)然要比在ICode總線上的Flash慢了。
關(guān)于Flash的性能,請看我的另一篇分析:【分析】STM32從Flash中運(yùn)行程序的時序分析
另外,STR9與STM32的總線架構(gòu)是一樣的,這里有一個在STR9上實(shí)現(xiàn)的FFT函數(shù)的實(shí)測數(shù)據(jù),可以進(jìn)一步說明在Flash中運(yùn)行代碼可以比在RAM中快!
在ST的網(wǎng)站上有一個DSP的函數(shù)庫,這是它的文檔《STR91x DSP library (DSPLIB)》,在這篇文檔中有一節(jié)討論FFT運(yùn)算速度的,那里給出了實(shí)際的運(yùn)算時間比較,摘錄如下:
Radix-4
Complex FFT Operation Mode Cycle Count Microseconds
64 Point Program in Flash & Data in SRAM 2701 28.135
64 Point Program & Data in SRAM 3432 35.75
64 Point Program & Data in Flash 3705 38.594
256 Point Program in Flash & Data in SRAM 13740 143.125
256 Point Program & Data in SRAM 18079 188.323
256 Point Program & Data in Flash 19908 207.375


關(guān)鍵詞: STM32代碼RAMFlas

評論


技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉