一種微帶寬帶和差波束形成網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
引言
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/327217.htm雷達(dá)單脈沖測(cè)角系統(tǒng)中的和差網(wǎng)絡(luò)是形成和差波束的關(guān)鍵部件。常見微帶形式的和差網(wǎng)絡(luò)有帶狀線、矩形同軸線及多層微帶形式等。而單層微帶形式實(shí)現(xiàn)的和差網(wǎng)絡(luò)則在結(jié)構(gòu)和加工制造及集成等方面具有優(yōu)勢(shì)。微帶形式的和差網(wǎng)絡(luò)可以用1.5混合環(huán)混合環(huán),混合環(huán)由于和口和差口被3dB輸出口分開而不便于平面布線。本文提出的微帶三分支定向耦合器加改進(jìn)后的90度schiffman移相器實(shí)現(xiàn)單層微帶和差網(wǎng)絡(luò)。
2 三分支定向耦合器的優(yōu)化設(shè)計(jì)
常見的分支線定向耦合器由兩根平行傳輸線組成,通過分支線實(shí)現(xiàn)耦合,分支線的長(zhǎng)度為中心工作頻率導(dǎo)波長(zhǎng)的四分之一。通常兩分支耦合器的帶寬較窄影響其使用,超過三分支的耦合器由于阻抗懸殊太大而不易實(shí)現(xiàn),常見三分支定向耦合器如圖1所示。3dB耦合時(shí)通常分支線G的阻抗較大,線寬較窄,不易實(shí)現(xiàn)。本文為了實(shí)現(xiàn)更好帶內(nèi)特性及降低分支線G的阻抗值,將該分支線耦合器改進(jìn)為圖2。各節(jié)的長(zhǎng)度均取工作中心頻率導(dǎo)波長(zhǎng)的四分之一。此時(shí)G值減小,且工作帶寬內(nèi)耦合器特性有明顯改善。
圖1 三分支定向耦合器
圖2 改進(jìn)后的三分支定向耦合器
分支電橋有兩結(jié)構(gòu)對(duì)稱面,我們選擇輸入口與隔離口之間的對(duì)稱面進(jìn)行奇偶模分析。奇模時(shí),對(duì)稱面為電壁,被對(duì)稱面分開的傳輸線處等效為短路。相反偶模時(shí)等效為開路。利用A矩陣進(jìn)行級(jí)聯(lián)計(jì)算,再轉(zhuǎn)化為S參數(shù),得到奇偶模時(shí)的反射系數(shù)(
)和傳輸系數(shù)(
)。則最終電橋的S參數(shù)為:
(1)
改進(jìn)后的三分支耦合器需要確定的參數(shù)有:G,K,H,H1等各段的阻抗值,本文采用粒子群優(yōu)化算法[3,4]優(yōu)化這四個(gè)參數(shù)。目標(biāo)函數(shù)是要求帶內(nèi)端口反射系數(shù)及直通與耦合臂輸出差別最小。工作相對(duì)帶寬取40%,輸入輸出為50歐姆。最終優(yōu)化的各段特性阻抗為:G=75.08歐姆,K=27.13歐姆,H=23.25歐姆,H1=40.68歐姆。帶內(nèi)反射系數(shù)小于-25dB,耦合臂與直通臂帶內(nèi)差不超過0.63dB。
3 改進(jìn)的90度微帶移相器設(shè)計(jì)
我們知道schiffman移相器是利用U形彎耦合線引入附加相移,schiffman移相器因耦合線間距太近而難以實(shí)現(xiàn),尤其單層微帶實(shí)現(xiàn)強(qiáng)耦合很困難,因此限制了其使用。本文設(shè)計(jì)的移相器是schiffman移相器的改進(jìn)。通過奇偶模分析法可得U形彎耦合線相移與其平行線電長(zhǎng)度的關(guān)系式如式(2),改變線的耦合系數(shù)K,可改變?cè)摳郊酉嘁?。因此可?shí)現(xiàn)90度移相。實(shí)現(xiàn)相移與耦合度關(guān)系曲線如圖3。
(2)
(3)
圖3 相移與耦合度關(guān)系曲線
由圖可知,當(dāng)耦合度為-3dB時(shí),可實(shí)現(xiàn)90度移相。因平面微帶線實(shí)現(xiàn)3dB耦合很困難,而當(dāng)耦合度為大約為-10dB時(shí),可實(shí)現(xiàn)30度移相。而當(dāng)耦合度為-12.3dB時(shí),可實(shí)現(xiàn)22.5度移相??紤]到M形走線可相當(dāng)于三個(gè)U形耦合結(jié)構(gòu),因此采用M形耦合(相鄰耦合度為10dB)可實(shí)現(xiàn)寬帶90度耦合。如圖4所示。經(jīng)HFSS仿真軟件仿真,40%帶寬內(nèi)相對(duì)于長(zhǎng)為1.25的傳輸線可實(shí)現(xiàn)移相90°±1°。
圖4 改進(jìn)后的schiffman移相器 最終單層微帶和差網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部電路圖如圖5所示,其中端口1為差口,端口2為和口。利用HFSS仿真優(yōu)化設(shè)計(jì),圖6為其端口反射系數(shù),圖7為直通及耦合度,圖8為其和通道相差及差通道相差,圖9為其和差口間的隔離度。
圖5 和差網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部電路
圖6 各端口駐波
圖7 直通及耦合度
圖8 和通道相差與差通道相差
圖9 和差口間的隔離度
4 結(jié)論
本文提出了一種新穎的單層微帶寬帶和差波束形成網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)方法,改進(jìn)的微帶三分支電橋提高了帶內(nèi)性能且降低了工藝加工難度,移相器是對(duì)schiffman移相器進(jìn)行了改進(jìn)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了微帶形式的schiffman移相器,且降低了對(duì)微帶線間距的工藝要求。利用HFSS仿真設(shè)計(jì)了一帶寬達(dá)40%的和差波束形成網(wǎng)絡(luò),驗(yàn)證了方法的有效性。
評(píng)論