利用高速數(shù)字分析儀和專用內(nèi)存軟件調(diào)試更高速率 DDR 信號
一、傳統(tǒng)分析軟件針對 DDR 信號的讀寫分離原理
常用的 DDR 內(nèi)存分析軟件一般是通過 DDR 內(nèi)存的 DQ 數(shù)據(jù)信號與 DQS 選通信號邊沿 之間的時序關(guān)系來判別讀與寫的,即讀突發(fā)時 DQ 信號和 DQS 信號邊沿對齊,寫突發(fā)時 DQ 信號和 DQS 信號中間對齊,如下圖 1 所示,只要 DQ 信號和 DQS 信號之間的時序在[-X1, X1]范圍內(nèi)即認為是讀突發(fā),如果在[0.25*UI-X2,0.25*UI+X2]范圍內(nèi),即為寫突發(fā),示波 器軟件會進行優(yōu)化設(shè)定 X1 和 X2 的值以盡可能準(zhǔn)確的分離出讀、寫信號,不同示波器廠家 的軟件也可能會有所區(qū)別。
圖 1 常用的 DDR 內(nèi)存分析軟件所使用的讀寫分離方法
該方法對于速率較低的 DDR 內(nèi)存信號來說會工作得很好,因為信號速率低,數(shù)據(jù)位間 隔 UI 就會比較大,也即讀突發(fā)時的 DQ 和 DQS 的相對邊沿位置數(shù)值與寫突發(fā)時 DQ 和 DQS 的相對邊沿位置數(shù)值相差比較大(相差 1/4 個 DQS 選通信號周期)。而當(dāng) DDR 信號速率越 來越高后,UI 將越來越小,此時即使是讀突發(fā)周期,DQ 與 DQS 信號的邊沿產(chǎn)生的偏移也 極有可能會被誤識別為寫突發(fā),反之,寫突發(fā)一樣也可能會被錯誤的判別為讀突發(fā)。
此外,由于電路板上的電子元器件的密集程度越來越高,而且內(nèi)存類的芯片又都是 BGA 封裝的,所以很多情況下難以在信號走線的最末端進行測試,從而導(dǎo)致測量到的信號出現(xiàn)反 射的現(xiàn)象,如下圖 2 所示為一個 DDR3 信號的測試圖示,左上和左下分別為寫突發(fā)的 DQ 信號和 DQS 信號的眼圖,右上和右下分別為讀突發(fā)的 DQ 信號和 DQS 信號的眼圖。從圖中 可看出,寫突發(fā)時 DQ 和 DQS 信號的眼圖中也夾雜了讀突發(fā)時 DQ 和 DQS 信號的眼圖,原因正是讀突發(fā)時 DQ 和 DQS 信號在接近電平 50%的位置有明顯的臺階,此時 DQ 和 DQS 之間的時延將難以被準(zhǔn)確測量和確定,也就是說使用傳統(tǒng)的通過“讀邊沿對齊和寫中間對齊” 的方法將難以精確的分離該情況時的 DQ 和 DQS 的讀寫信號。
圖 2 某 DDR3 信號的讀寫信號眼圖
二、基于高速數(shù)字分析儀及專用 DDR調(diào)試分析軟件的內(nèi)存測試方案
1、使用高速數(shù)字分析儀基于命令總線進行讀寫分離
內(nèi)存 DDR 接口都擁有并行控制總線信號,這些控制總線信號可以清楚的指明 DQ 和 DQS 信號是處于讀突發(fā)狀態(tài)還是寫突發(fā)狀態(tài),以及這些信號來自于哪個芯片。所以可以通 過同時測試這些控制信號來對 DQ 和 DQS 信號進行讀寫分離。但一個明顯的困難是,除了要測試 DQ 和 DQS 信號外,還需要額外再測試 4 個控制信號,若都使用模擬通道進行測試,則示波器的通道將不夠用,而測試控制信號的目的是為了協(xié)助分離讀寫,所以完全可以使用數(shù)字探頭來測試這些控制信號,然而新一代更高速率的 DDR,如 DDR4,速率比較高,達到了 3.2Gbps,傳統(tǒng)的低速 MSO 將難以滿足要求。為了應(yīng)對這樣的需求和挑戰(zhàn),力科推出了采樣率高達 12.5GS/s 的高速數(shù)字分析儀及高帶寬易于連接的數(shù)字探頭。下圖 3 所示為力科的高速數(shù)字分析儀 HDA125 與力科的 SDA820Zi-B 串行數(shù)據(jù)分析儀進行 DDR 信號測試驗證的連接示意圖。
圖 3 力科的高速數(shù)字分析儀 HDA125
HDA125 具有 12.5GS/s 的采樣率,存儲深度大小取決于所連接的示波器,最多可配置16 條數(shù)字鏈路,探頭的數(shù)字引線具有 3GHz 帶寬,可采集 6Gbps 的信號,集成 9 英寸柔性“飛線”來連接難以抵達的連接點,且具有非常優(yōu)異的負載特性(110k 輸入阻抗和 0.12pF 的輸入電容)非常適合于測試高速 DDR 內(nèi)存信號。
2、DDR 內(nèi)存專用調(diào)試工具包DDR
內(nèi)存專用調(diào)試工具包是除了一致性測試工具包之外力科開發(fā)的另外一款專用于DDR 內(nèi)存調(diào)試的工具,該工具更加注重于調(diào)試和分析,不是完全包括 JEDEC 規(guī)范要求的所有測試項目或者說只是 JEDEC 測試規(guī)范要求測試項目的一個子集。DDR 內(nèi)存專用調(diào)試工具包具有如下功能和特點:只需按一個按鈕即可實現(xiàn) DQ 和 DQS 信號的讀寫分離(基于力科的 Qualify 一致性軟件的讀寫分離原理);對 DQ 和 DQS 信號進行眼圖和模板測量;對 DQ和 DQS 信號進行抖動測量和分解;包含一系列針對 DDR 信號的特定測量參數(shù)。下圖 4 至圖 7 所示為力科 DDR 內(nèi)存專用調(diào)試工具包的界面:
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/333900.htm三、使用高速數(shù)字分析儀與 DDR 專用調(diào)試工具包對 DDR 內(nèi)存信號進行調(diào)試
下圖 8 所示為一個 DDR3-800 的單板,讀突發(fā)的 DQ 和 DQS 信號有一些反射問題,信號形狀見上面圖 2 所示。該單板上連接有 2 個模擬差分探頭和 5 條數(shù)字通道,模擬探頭采集了 DQ,DQS 信號連接到力科示波器 SDA 820Zi-B 的 C1 和 C2 上,數(shù)字探頭采集了 CS,WE,RAS,CAS,CLK 信號通過力科的高速數(shù)字分析儀 HDA125 也連接到力科示波器 SDA820Zi-B 上。模擬探頭和數(shù)字探頭在測試之前做了時序上的校準(zhǔn)。
圖 8 某 DDR3-800 的 DDR 內(nèi)存信號測試連接圖
采集到的信號在示波器屏幕上的顯示如下圖 9 所示。同時在 DDR 調(diào)試工具包中輸入對 應(yīng)的命令總線,如下圖 9 下方所示,此時讀、寫突發(fā)被分離出來并清晰的標(biāo)注在波形上,類 似于力科的解碼軟件,DDR 的讀寫解碼信息也以類似于表格的形式顯示于波形窗口的下方, 每條解碼信息與當(dāng)前所顯示的波形相對應(yīng),時間上同步,故也非常適合于查找和定位特定時 刻或位置的讀寫突發(fā)波形信息。
圖 9 基于 HDA125 和 DDR 專用內(nèi)存調(diào)試分析軟件實現(xiàn)內(nèi)存信號的讀寫分離
此時,讀突發(fā)和寫突發(fā)的眼圖被準(zhǔn)確的分離,如下圖 10 所示:
圖 10 DDR3 內(nèi)存的 DQ 和 DQS 的讀突發(fā)和寫突發(fā)的眼圖
四、利用虛擬探測工具應(yīng)對 DDR 內(nèi)存信號中的反射問題
在上面的 DDR 調(diào)試示例中,讀突發(fā)因反射問題導(dǎo)致信號出現(xiàn)明顯的臺階,這將給讀突 發(fā)時的時序測試帶來錯誤的結(jié)果。而反射問題通常是因為測試點沒有位于信號鏈路的最末端 所導(dǎo)致的。力科公司的虛擬探測軟件 VisualProbe 能夠用于解決此類問題。 VisualProbe 虛擬探測軟件需要幾個參數(shù):測試點到末端(反射點)的傳輸延時、末端 的 RLC 參數(shù)以及特征阻抗。傳輸延時可以根據(jù)信號的反射位置測量得到,如下圖 11 所示, 反射信號的往返時間約為 680ps,所以傳輸延時約為 340ps。RLC 參數(shù)可以從芯片手冊中的 管腳參數(shù)得到,特征阻抗為 PCB 設(shè)計時所設(shè)定,通常為 50 歐姆。
圖 11 DDR3 內(nèi)存讀突發(fā)時 DQ 和 DQS 信號上的反射信號傳輸延時測量
將相關(guān)參數(shù)輸入到虛擬探測軟件中:
圖 12 虛擬探測軟件 VisualProbe 參數(shù)設(shè)置界面
虛擬探測前、后的讀突發(fā) DQ 和 DQS 信號波形眼圖如下圖 13 所示,左邊為原來的波形,右 邊為虛擬探測后的波形?;谔摂M探測后的 DQ 和 DQS 波形可以順利完成時序的測量。
圖 13 讀突發(fā)時虛擬探測前、后的 DQ 和 DQS 眼圖比較
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