MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

引言

即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。

圖1：可插入電路板的熱插拔控制器

CONNECTORS：連接器

BACKPLANE：背板

HOT SWAP CONTROLLER：熱插拔控制器

當(dāng)熱插拔電路出現(xiàn)故障時，薄弱環(huán)節(jié)一般在 MOSFET 開關(guān)上，因而可能會損害或破壞熱插拔控制器。MOSFET 出現(xiàn)故障常見的原因是在選件時沒有重視其安全工作區(qū) （SOA）。相反，選擇 MOSFET 時主要考慮了電阻 （RDS（on）） 上漏-源極以及最大漏極電流 （ID（max））。或者，新設(shè)計基于負(fù)載電容較小的老款設(shè)計，同樣的 MOSFET 能夠很好的工作。大部分功率 MOSFET 針對低 RDS（on） 和快速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化，很多電源系統(tǒng)設(shè)計師習(xí)慣面向這些特性來選擇 MOSFET，而 MOSFET 在顯著時間于高損耗開關(guān)狀態(tài)下過渡，卻在電路忽略了 SOA。在 MOSFET 制造商參數(shù)選擇表中沒有 SOA，它并不能幫助。即使是注意到 SOA，由于 SOA 數(shù)據(jù)通常是基于計算而不是測試數(shù)據(jù)，因此，應(yīng)用的降額或余量并不明顯。

MOSFET 安全工作區(qū)

SOA 是對 MOSFET 在脈沖和 DC 負(fù)載時功率處理能力的衡量。在 MOSFET 產(chǎn)品手冊的圖表中進(jìn)行了闡述，如圖 2 的實例所示。其 x 軸是 MOSFET 漏-源極電壓 （VDS），而 y 軸是漏極電流 （ID）；兩個軸都使用了對數(shù)坐標(biāo)。在這張圖中，直線 （每一條代表不同的 tP） 表示恒定 MOSFET 功率。每條線代表了 MOSFET 在某一脈沖寬度 tP 時允許的功耗，tP 的范圍在微秒至無窮大 （DC）。例如，圖中顯示了對于 10ms 脈沖，MOSFET 漏-源極上有 5V 電壓，流過的電流為 50A，計算得到功耗是 250W。同樣脈沖寬度下較低的功耗保證了安全 MOSFET 工作，圖中標(biāo)注為 10ms 線下面的區(qū)域，這就是 “安全工作區(qū)”。圖的兩端是由接通電阻、漏-源極擊穿電壓、和最大脈沖漏極電流決定。

圖 2：PSMN3R4-30BLE N 溝道 MOSFET 的安全工作區(qū)

為什么 SOA 對于熱插拔應(yīng)用非常重要？

電路中采用的大部分功率 MOSFET 都能夠快速接通和關(guān)斷，以納秒的時間處于高損耗轉(zhuǎn)換狀態(tài)。在這類應(yīng)用中，SOA 并不是主要問題。相反，SOA 對于熱插拔電路是非常重要，提供了輸入浪涌電流控制 （軟啟動）、限流和電路斷路器功能。要理解這一點，請看熱插入電路板的啟動波形 （圖 3a）。當(dāng)電路板插入到 12V 背板電源時，熱插拔控制器等待連接器接觸反彈完成，隨后軟啟動 MOSFET 柵極。然后，輸出電壓跟隨并在 40ms 內(nèi)達(dá)到 12V。在這一軟啟動期間，會有 200mA 的電容充電電流流過 MOSFET，而其漏-源極電壓從 12V （= 12VIN − 0VOUT） 幾乎降至 0V （= 12VIN − 12VOUT）。在負(fù)載上出現(xiàn)短路時 （圖 3b），控制器將 MOSFET 上的電流限制在 6A，電壓為12V （= 12VIN − 0VOUT）。這一 72W 功耗狀態(tài)持續(xù) 1.2ms，直至電路斷路器定時器計時結(jié)束。在啟動浪涌和限流等狀態(tài)中，需要熱插拔 MOSFET 處理持續(xù)數(shù)百微秒至數(shù)十毫秒的顯著功耗，應(yīng)注意其 SOA 性能。

圖 3a. 電路板熱插入到 12V 背板電源時的軟啟動

CONTACT BOUNCE：接觸反彈

圖 3b. 輸出短路期間的限流

CONTACT BOUNCE：接觸反彈

SINGLE PULSE：單脈沖

GUARANTEED：有保證的

集成 MOSFET 熱插拔控制器以及有保證的 SOA

凌力爾特公司提供了集成 MOSFET 的熱插拔控制器系列，設(shè)計師不需要花費時間來搜尋 MOSFET 數(shù)據(jù)資料以達(dá)到最佳適配，從而簡化了熱插拔設(shè)計師的工作。這一系列中的最新型號 LTC4233 和 LTC4234 （圖 4） 是集成了 MOSFET 和電流檢測功能的 10A 和 20A 熱插拔控制器，供電范圍在 2.9V 至 15V，覆蓋了標(biāo)準(zhǔn) 3.3V、5V 和 12V 電源。通過集成兩個最關(guān)鍵和最大的熱插拔組件 （功率 MOSFET 和檢測電阻），這些控制器有助縮短設(shè)計時間和減小電路板面積，為最終產(chǎn)品增加了更有價值的特性。

圖 4：LTC4234：20A 有保證的 SOA 熱插拔控制器

Guaranteed SOA：有保證的SOA

HOT SWAP：熱插拔

Power Good：電源良好

Current Monitor：電流監(jiān)視器

Current Limit TImer：限流定時器

Current Limit Adjustment and Temperature Monitor：限流調(diào)整和溫度監(jiān)視器

LTC4233 和 LTC4234 控制器特有的特性是產(chǎn)品手冊中保證了其內(nèi)部 MOSFET SOA，而這在獨立 MOSFET 中是找不到的。每器件的 SOA 在 SOA 圖中的單點上經(jīng)過了產(chǎn)品生產(chǎn)測試。圖 5 顯示了 LTC4234 的 SOA 圖。從輸入至輸出上應(yīng)用 13.5V 電壓，輸出源出 6A 并持續(xù) 30ms，以對其 SOA 進(jìn)行了測試。得出的功耗是 81W。這在 SOA 圖中以紅點表示。采用了同樣的電壓對 LTC4233 進(jìn)行了測試，只是電流和功率減半 （即 3A 和 40.5W 并持續(xù) 30ms）。注意，LTC4233 和 LTC4234 SOA 圖顯示了有保證的最小 SOA，而 MOSFET 數(shù)據(jù)表顯示了典型值。

圖 5：LTC4234 熱插拔控制器有保證的安全工作區(qū)圖

SINGLE PULSE：單脈沖

GUARANTEED：有保證的

LTC4233 和 LTC4234 還輸出地參考信號，該信號與通過內(nèi)部檢測電阻器上的負(fù)載電流成正比。可以采用外部模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （圖 4） 來測量這一輸出，向系統(tǒng)管理人員提供電路板電流和功耗數(shù)據(jù)。通過一個外部電阻器從其默認(rèn)值減小限流值，這樣，可以迅速調(diào)整以適應(yīng)動態(tài)負(fù)載變化和各種應(yīng)用。可選欠壓和過壓門限保護(hù)了下游負(fù)載不受超出有效窗口電壓的影響，從而防止了出現(xiàn)電路故障和損害。即使在不需要熱插入的地方，控制器也可以用于實現(xiàn)浪涌電流控制、限流和電路斷路器功能。這些控制器的典型應(yīng)用包括在任務(wù)關(guān)鍵的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機、企業(yè)固態(tài)硬盤存儲和工業(yè)系統(tǒng)中空間受限的高密度電路板和卡等。

結(jié)論

除了熱插拔控制器本身，熱插拔電路還保護(hù)了電路板電源和 MOSFET 故障不會損壞 MOSFET 下游昂貴的處理電子器件?，F(xiàn)場故障、暴露 MOSFET 弱點等可能會導(dǎo)致高昂的回收，從而對聲譽造成損害。因此，應(yīng)確保選擇 MOSFET 能夠可靠處理熱插拔應(yīng)用中遇到的壓力，這一點非常重要。LTC4233 和 LTC4234 集成了 MOSFET 熱插拔控制器，減小了解決方案占板面積，縮短了設(shè)計時間，對每一個控制器 SOA 進(jìn)行了新產(chǎn)品測試，確保了實現(xiàn)堅固可靠的解決方案。