STM32的flash知識(shí)詳解
說到STM32的flash,我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的,實(shí)際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201712/373389.htmFLASH分類
根據(jù)用途,STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分:主存儲(chǔ)塊、信息塊。 主存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)程序,我們寫的程序一般存儲(chǔ)在這里。 信息塊又分成兩部分:系統(tǒng)存儲(chǔ)器、選項(xiàng)字節(jié)。 系統(tǒng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)用于存放在系統(tǒng)存儲(chǔ)器自舉模式下的啟動(dòng)程序(BootLoader),當(dāng)使用ISP方式加載程序時(shí),就是由這個(gè)程序執(zhí)行。這個(gè)區(qū)域由芯片廠寫入BootLoader,然后鎖死,用戶是無法改變這個(gè)區(qū)域的。 選項(xiàng)字節(jié)存儲(chǔ)芯片的配置信息及對(duì)主存儲(chǔ)塊的保護(hù)信息。
FLASH的頁面
STM32的FLASH主存儲(chǔ)塊按頁組織,有的產(chǎn)品每頁1KB,有的產(chǎn)品每頁2KB。頁面典型的用途就是用于按頁擦除FLASH。從這點(diǎn)來看,頁面有點(diǎn)像通用FLASH的扇區(qū)。
STM32產(chǎn)品的分類
STM32根據(jù)FLASH主存儲(chǔ)塊容量、頁面的不同,系統(tǒng)存儲(chǔ)器的不同,分為小容量、中容量、大容量、互聯(lián)型,共四類產(chǎn)品。
小容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊1-32KB,每頁1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB。
中容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊64-128KB,每頁1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB。
大容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊256KB以上,每頁2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB。
互聯(lián)型產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊256KB以上,每頁2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器18KB。
對(duì)于具體一個(gè)產(chǎn)品屬于哪類,可以查數(shù)據(jù)手冊(cè),或根據(jù)以下簡單的規(guī)則進(jìn)行區(qū)分:
STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx產(chǎn)品,根據(jù)其主存儲(chǔ)塊容量,一定是小容量、中容量、大容量產(chǎn)品中的一種,STM32F105xx、STM32F107xx是互聯(lián)型產(chǎn)品。
互聯(lián)型產(chǎn)品與其它三類的不同之處就是BootLoader的不同,小中大容量產(chǎn)品的BootLoader只有2KB,只能通過USART1進(jìn)行ISP,而互聯(lián)型產(chǎn)品的BootLoader有18KB,能通過USAT1、4、CAN等多種方式進(jìn)行ISP。小空量產(chǎn)品、中容量產(chǎn)品的BootLoader與大容量產(chǎn)品相同。
關(guān)于ISP與IAP
ISP(In System Programming)在系統(tǒng)編程,是指直接在目標(biāo)電路板上對(duì)芯片進(jìn)行編程,一般需要一個(gè)自舉程序(BootLoader)來執(zhí)行。ISP也有叫ICP(In Circuit Programming)、在電路編程、在線編程。
IAP(In Application Programming)在應(yīng)用中編程,是指最終產(chǎn)品出廠后,由最終用戶在使用中對(duì)用戶程序部分進(jìn)行編程,實(shí)現(xiàn)在線升級(jí)。IAP要求將程序分成兩部分:引導(dǎo)程序、用戶程序。引導(dǎo)程序總是不變的。IAP也有叫在程序中編程。 ISP與IAP的區(qū)別在于,ISP一般是對(duì)芯片整片重新編程,用的是芯片廠的自舉程序。而IAP只是更新程序的一部分,用的是電器廠開發(fā)的IAP引導(dǎo)程序。綜合來看,ISP受到的限制更多,而IAP由于是自己開發(fā)的程序,更換程序的時(shí)候更容易操作。
FPEC
FPEC(FLASH Program/Erase controller 閃存編程/擦除控制器),STM32通過FPEC來擦除和編程FLASH。FPEC使用7個(gè)寄存器來操作閃存:
FPEC鍵寄存器(FLASH_KEYR) 寫入鍵值解鎖。
選項(xiàng)字節(jié)鍵寄存器(FLASH_OPTKEYR) 寫入鍵值解鎖選項(xiàng)字節(jié)操作。
閃存控制寄存器(FLASH_CR) 選擇并啟動(dòng)閃存操作。
閃存狀態(tài)寄存器(FLASH_SR) 查詢閃存操作狀態(tài)。
閃存地址寄存器(FLASH_AR) 存儲(chǔ)閃存操作地址。
選項(xiàng)字節(jié)寄存器(FLASH_OBR) 選項(xiàng)字節(jié)中主要數(shù)據(jù)的映象。
寫保護(hù)寄存器(FLASH_WRPR) 選項(xiàng)字節(jié)中寫保護(hù)字節(jié)的映象。
鍵值
為了增強(qiáng)安全性,進(jìn)行某項(xiàng)操作時(shí),須要向某個(gè)位置寫入特定的數(shù)值,來驗(yàn)證是否為安全的操作,這些數(shù)值稱為鍵值。STM32的FLASH共有三個(gè)鍵值:
RDPRT鍵 = 0x000000A5 用于解除讀保護(hù)
KEY1 = 0x45670123 用于解除閃存鎖
KEY2 = 0xCDEF89AB 用于解除閃存鎖
閃存鎖
在FLASH_CR中,有一個(gè)LOCK位,該位為1時(shí),不能寫FLASH_CR寄存器,從而也就不能擦除和編程FLASH,這稱為閃存鎖。
當(dāng)LOCK位為1時(shí),閃存鎖有效,只有向FLASH_KEYR依次寫入KEY1、KEY2后,LOCK位才會(huì)被硬件清零,從而解除閃存鎖。當(dāng)LOCK位為1時(shí),對(duì)
FLASH_KEYR的任何錯(cuò)誤寫操作(第一次不是KEY1,或第二次不是KEY2),都將會(huì)導(dǎo)致閃存鎖的徹底鎖死,一旦閃存鎖徹底鎖死,在下一次復(fù)位前,都無法解鎖,只有復(fù)位后,閃存鎖才恢復(fù)為一般鎖住狀態(tài)。
復(fù)位后,LOCK位默認(rèn)為1,閃存鎖有效,此時(shí),可以進(jìn)行解鎖。解鎖后,可進(jìn)行FLASH的擦除編程工作。任何時(shí)候,都可以通過對(duì)LOCK位置1來軟件加鎖,軟件加鎖與復(fù)位加鎖是一樣的,都可以解鎖。
主存儲(chǔ)塊的擦除
主存儲(chǔ)塊可以按頁擦除,也可以整片擦除。
頁擦除
主存儲(chǔ)塊的任何一頁都可以通過FPEC的頁擦除功能擦除。 建議使用以下步驟進(jìn)行頁擦除:
1.檢查FLASH_SR寄存器的BSY位。以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的閃存操作。必須等待BSY位為0,才能繼續(xù)操作。
2.設(shè)置FLASH_CR寄存器的PER位為1。選擇頁擦除操作。
3.設(shè)置FLASH_AR寄存器為要擦除頁所在地址,選擇要擦除的頁。FLASH_AR的值在哪一頁范圍內(nèi),就表示要擦除哪一頁。
4.設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1,啟動(dòng)擦除操作。
5.等待FLASH_SR寄存器的BSY位變?yōu)?,表示操作完成。
6.查詢FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP為1時(shí),表示操作成功。
7.讀出被擦除的頁并做驗(yàn)證。擦完后所有數(shù)據(jù)位都為1。
整片擦除
整片擦除功能擦除整個(gè)主存儲(chǔ)塊,信息塊不受此操作影響。 建議使用以下步驟進(jìn)行整片擦除:
1.檢查FLASH_SR寄存器的BSY位,以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的閃存操作。
2.設(shè)置FLASH_CR寄存器的MER位為1。選擇整片擦除操作。
3.設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1。啟動(dòng)整片擦除操作。
4.等待FLASH_SR寄存器的BSY位變?yōu)?,表示操作完成。
5.查詢FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP為1時(shí),表示操作成功。
6.讀出所有頁并做驗(yàn)證。擦完后所有數(shù)據(jù)位都為1。
主存儲(chǔ)塊的編程
對(duì)主存儲(chǔ)塊編程每次可以寫入16位。當(dāng)FLASH_CR寄存器的PG位為1時(shí),在一個(gè)閃存地址寫入一個(gè)半字(16位)將啟動(dòng)一次編程;寫入任何非半字的數(shù)據(jù),F(xiàn)PEC都會(huì)產(chǎn)生總線錯(cuò)誤。在編程過程中(BSY位為1時(shí)),任何讀寫閃存的操作都會(huì)使CPU暫停,直到此次閃存編程結(jié)束。 建議使用如下步驟對(duì)主存儲(chǔ)塊進(jìn)行編:
1.檢查FLASH_SR寄存器的BSY位,以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的編程操作。
2.設(shè)置FLASH_CR寄存器的PG位為1。選擇編程操作。
3.在指定的地址寫入要編程的半字。直接用指針寫。
4.等待FLASH_SR寄存器的BSY位變?yōu)?,表示操作完成。
5.查詢FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP為1時(shí),表示操作成功。
6.讀出寫入的地址并驗(yàn)證數(shù)據(jù)。
關(guān)于主存儲(chǔ)塊擦除編程操作的一些疑問
1. 為什么每次都要檢查BSY位是否為0?
因?yàn)锽SY位為1時(shí),不能對(duì)任何FPEC寄存器執(zhí)行寫操作,所以必須要等BSY位為0時(shí),才能執(zhí)行閃存操作。
2. 如果沒有擦除就進(jìn)行編程,會(huì)出現(xiàn)什么結(jié)果?
STM32在執(zhí)行編程操作前,會(huì)先檢查要編程的地址是否被擦除,如果沒有,則不進(jìn)行編程,并置FLASH_SR寄存器的PGERR位為1。唯一例外的是,當(dāng)要編程的數(shù)據(jù)為0X0000時(shí),即使未擦除,也會(huì)進(jìn)行編程,因?yàn)?X0000即使擦除也可以正確編程。
3. 為什么操作后要讀出數(shù)據(jù)并驗(yàn)證?
STM32在某些特殊情況下(例如FPEC被鎖住),可能根本就沒有執(zhí)行所要的操作,僅通過寄存器無法判斷操作是否成功。所以,保險(xiǎn)起見,操作后都要讀出所有數(shù)據(jù)檢查。
4. 等待BSY位為1的時(shí)間以多少為合適?
請(qǐng)參考STM32固件庫中的數(shù)據(jù)。
5. FLASH編程手冊(cè)上說進(jìn)行閃存操作(擦除或編程)時(shí),必須打開內(nèi)部的RC振蕩器(HSI),是不是一定要用HIS進(jìn)行閃存的擦除及編程操作?
對(duì)于這點(diǎn),我的理解是,進(jìn)行閃存操作時(shí),必須要保證HIS沒有被關(guān)閉,但是操作時(shí)的系統(tǒng)仍然可以是HSE時(shí)鐘。STM32復(fù)位后,HIS默認(rèn)是開的,只要你不為了低功耗去主動(dòng)關(guān)閉它,則用什么時(shí)鐘都可以進(jìn)行閃存操作的。我所編的程序也驗(yàn)證了這一點(diǎn)。
選項(xiàng)字節(jié)
選項(xiàng)字節(jié)用于存儲(chǔ)芯片使用者對(duì)芯片的配置信息。
目前,所有的STM32101xx、STM32102xx、STM32103xx、STM32105xx、STM32107xx產(chǎn)品,選項(xiàng)字節(jié)都是16字節(jié)。但是這16字節(jié),每兩個(gè)字節(jié)組成一個(gè)正反對(duì),即,字節(jié)1是字節(jié)0的反碼,字節(jié)3是字節(jié)2的反碼,...,字節(jié)15是字節(jié)14的反碼,所以,芯片使用者只要設(shè)置8個(gè)字節(jié)就行了,另外8個(gè)字節(jié)系統(tǒng)自動(dòng)填充為反碼。因此,有時(shí)候,也說STM32的選項(xiàng)字節(jié)是8個(gè)字節(jié),但是占了16字節(jié)的空間。選項(xiàng)字節(jié)的8字節(jié)正碼概述如下:
RDP 字節(jié)0。讀保護(hù)字節(jié),存儲(chǔ)對(duì)主存儲(chǔ)塊的讀保護(hù)設(shè)置。
USER 字節(jié)2。用戶字節(jié),配置看門狗、停機(jī)、待機(jī)。
Data0 字節(jié)4。數(shù)據(jù)字節(jié)0,由芯片使用者自由使用。
Data1 字節(jié)6。數(shù)據(jù)字節(jié)1,由芯片使用者自由使用。
WRP0 字節(jié)8。寫保護(hù)字節(jié)0,存儲(chǔ)對(duì)主存儲(chǔ)塊的寫保護(hù)設(shè)置。
WRP1 字節(jié)10。寫保護(hù)字節(jié)1,存儲(chǔ)對(duì)主存儲(chǔ)塊的寫保護(hù)設(shè)置。
WRP2 字節(jié)12。寫保護(hù)字節(jié)2,存儲(chǔ)對(duì)主存儲(chǔ)塊的寫保護(hù)設(shè)置。
WRP3 字節(jié)14。寫保護(hù)字節(jié)3,存儲(chǔ)對(duì)主存儲(chǔ)塊的寫保護(hù)設(shè)置。
選項(xiàng)字節(jié)寫使能
在FLASH_CR中,有一個(gè)OPTWRE位,該位為0時(shí),不允許進(jìn)行選項(xiàng)字節(jié)操作(擦除、編程)。這稱為選項(xiàng)字節(jié)寫使能。只有該位為1時(shí),才能進(jìn)行選項(xiàng)字節(jié)操作。 該位不能軟件置1,但可以軟件清零。只有向FLASH_OPTKEYR依次寫入KEY1和KEY2后,硬件會(huì)自動(dòng)對(duì)該位置1,此時(shí),才允許選項(xiàng)字節(jié)操作。這稱為解鎖(打開)選項(xiàng)字節(jié)寫使能。該位為1后,可以由軟件清零,關(guān)閉寫使能。復(fù)位后,該位為0。錯(cuò)誤操作不會(huì)永遠(yuǎn)關(guān)閉寫使能,只要寫入正確的鍵序列,則又可以打開寫使能。寫使能已打開時(shí),再次打開,不會(huì)出錯(cuò),并且依然是打開的。 很顯然,進(jìn)行選項(xiàng)字節(jié)操作前,先要解開閃存鎖,然后打開選項(xiàng)字節(jié)寫使能,之后,才能進(jìn)行選項(xiàng)字節(jié)操作。
選項(xiàng)字節(jié)擦除
建議使用如下步驟對(duì)選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行擦除:
1.檢查FLASH_SR寄存器的BSY位,以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的閃存操作。
2.解鎖FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即,打開寫使能。
3.設(shè)置FLASH_CR寄存器的OPTER位為1。選擇選項(xiàng)字節(jié)擦除操作。
4.設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1。
5.等待FLASH_SR寄存器的BSY位變?yōu)?,表示操作完成。
6.查詢FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP為1時(shí),表示操作成功。
7.讀出選項(xiàng)字節(jié)并驗(yàn)證數(shù)據(jù)。
由于選項(xiàng)字節(jié)只有16字節(jié),因此,擦除時(shí)是整個(gè)選項(xiàng)字節(jié)都被擦除了。
選項(xiàng)字節(jié)編程
建議使用如下步驟對(duì)選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行編程:
1.檢查FLASH_SR寄存器的BSY位,以確認(rèn)沒有其他正在進(jìn)行的編程操作。
2.解鎖FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即,打開寫使能。
3.設(shè)置FLASH_CR寄存器的OPTPG位為1。選擇編程操作。
4.寫入要編程的半字到指定的地址。啟動(dòng)編程操作。
5.等待FLASH_SR寄存器的BSY位變?yōu)?,表示操作完成。
6.查詢FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP為1時(shí),表示操作成功。
7.讀出寫入的選項(xiàng)字節(jié)并驗(yàn)證數(shù)據(jù)。 對(duì)選項(xiàng)字節(jié)編程時(shí),F(xiàn)PEC使用半字中的低字節(jié)并自動(dòng)地計(jì)算出高字節(jié)(高字節(jié)為低字節(jié)的反碼),并開始編程操作,這將保證選項(xiàng)字節(jié)和它的反碼始終是正確的。
主存儲(chǔ)塊的保護(hù)
可以對(duì)主存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀保護(hù)、寫保護(hù)。 讀保護(hù)用于保護(hù)數(shù)據(jù)不被非法讀出。防止程序泄密。
寫保護(hù)用于保護(hù)數(shù)據(jù)不被非法改寫,增強(qiáng)程序的健壯性。
讀保護(hù)
主存儲(chǔ)塊啟動(dòng)讀保護(hù)后,簡單的說具有以下特性:
1.從主存儲(chǔ)塊啟動(dòng)的程序,可以對(duì)整個(gè)主存儲(chǔ)塊執(zhí)行讀操作,不允許對(duì)主存儲(chǔ)塊的前4KB進(jìn)行擦除編程操作,可以對(duì)4KB之后的區(qū)域進(jìn)行擦除編程操作。
2.從SRAM啟動(dòng)的程序,不能對(duì)主存儲(chǔ)塊進(jìn)行讀、頁擦除、編程操作,但可以進(jìn)行主存儲(chǔ)塊整片擦除操作。
3.使用調(diào)試接口不能訪問主存儲(chǔ)塊。這些特性足以阻止主存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的非法讀出,又能保證程序的正常運(yùn)行。
只有當(dāng)RDP選項(xiàng)字節(jié)的值為RDPRT鍵值時(shí),讀保護(hù)才被關(guān)閉,否則,讀保護(hù)就是啟動(dòng)的。因此,擦除選項(xiàng)字節(jié)的操作,將啟動(dòng)主存儲(chǔ)塊的讀保護(hù)。如果要關(guān)閉讀保護(hù),必須將RDP選項(xiàng)字節(jié)編程為RDPRT鍵值。并且,如果編程選項(xiàng)字節(jié),使RDP由非鍵值變?yōu)殒I值(即由保護(hù)變?yōu)榉潜Wo(hù))時(shí),STM32將會(huì)先擦除整個(gè)主存儲(chǔ)塊,再編程RDP。芯片出廠時(shí),RDP會(huì)事先寫入RDPRT鍵值,關(guān)閉寫保護(hù)功能。
寫保護(hù)
STM32主存儲(chǔ)塊可以分域進(jìn)行寫保護(hù)。如果試圖對(duì)寫保護(hù)的域進(jìn)行擦除或編程操作,在閃存狀態(tài)寄存器(FLASH_SR)中會(huì)返回一個(gè)寫保護(hù)錯(cuò)誤標(biāo)志。STM32主存儲(chǔ)塊每個(gè)域4KB,WRP0-WRP3選項(xiàng)字節(jié)中的每一位對(duì)應(yīng)一個(gè)域,位為0時(shí),寫保護(hù)有效。對(duì)于超過128KB的產(chǎn)品,WRP3.15保護(hù)了域31及之后的所有域。顯然,擦除選項(xiàng)字節(jié)將導(dǎo)致解除主存儲(chǔ)塊的寫保護(hù)。
選項(xiàng)字節(jié)與它的寄存器映象
我們知道,F(xiàn)PEC有兩個(gè)寄存器存儲(chǔ)了選項(xiàng)字節(jié)的映象。那么,選項(xiàng)字節(jié)本體(在FLASH中)與映象(在寄存器中)究竟有什么區(qū)別呢?
選項(xiàng)字節(jié)的本體只是個(gè)FLASH,它的作用只是掉電存儲(chǔ)選項(xiàng)字節(jié)內(nèi)容而以,真正起作用的是寄存器中的映象。即,一個(gè)配置是否有效,不是看本體,而是看映象。而映象是在復(fù)位后,用本體的值加載的,此后,除非復(fù)位,映象將不再改變。所以,更改本體的數(shù)據(jù)后,不會(huì)立即生效,只有復(fù)位加載到映象中后,才會(huì)生效。 有一點(diǎn)要注意的是,當(dāng)更改本體的值,使主存儲(chǔ)塊讀保護(hù)變?yōu)椴槐Wo(hù)時(shí),會(huì)先擦除整片主存儲(chǔ)塊,然后再改變本體。這是唯一一個(gè)改變本體會(huì)引發(fā)的動(dòng)作。但即使這樣,讀保護(hù)依然要等到復(fù)位后,加載到映象后,才會(huì)解除。
關(guān)于FLASH編程手冊(cè)中文版的幾處錯(cuò)誤(不一定是,但是與我的理解不符)
1.選項(xiàng)字節(jié)編程一節(jié)中:
對(duì)FPEC解鎖后,必須分別寫入KEY1和KEY2(見2.3.1節(jié))到FLASH_OPTKEYR寄存器,再設(shè)置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位為’1’,此時(shí)可以對(duì)選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行編程
實(shí)際上,對(duì)FLASH_OPTKEYR寫入KEY1和KEY2后,OPTWRE位會(huì)被硬件置1,而不是用軟件寫1。這一點(diǎn)在后面的寄存器描述中也可以得到驗(yàn)證。 2.對(duì)讀保護(hù)的描述中:
對(duì)讀保護(hù)的數(shù)值對(duì)無法理解。正確的應(yīng)該是,RDP為RDPRT鍵值時(shí),解除讀保護(hù),為其它值時(shí),讀保護(hù)生效。
看了半天,原來只要幾句就可以解決,當(dāng)然是不考慮其他功能,只是簡單的讀寫操作。
其中寫操作如下:
FLASH_Unlock(); //解鎖FLASH編程擦除控制器
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除標(biāo)志位
/*********************************************************************************
// FLASH_FLAG_BSY FLASH忙標(biāo)志位
// FLASH_FLAG_EOP FLASH操作結(jié)束標(biāo)志位
// FLASH_FLAG_PGERR FLASH編寫錯(cuò)誤標(biāo)志位
// FLASH_FLAG_WRPRTERR FLASH頁面寫保護(hù)錯(cuò)誤標(biāo)凈
**********************************************************************************/
FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR); //擦除指定地址頁
FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_START_ADDR+(addr+i)*2,dat); //從指定頁的addr地址開始寫
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除標(biāo)志位
FLASH_Lock(); //鎖定FLASH編程擦除控制器
從上面可以看出基本順序是:解鎖-》清除標(biāo)志位(可以不要)-》擦除-》寫半字-》清楚標(biāo)志位(也可以不要)-》上鎖。其中FLASH_START_ADDR是宏定義的0x8000000+2048*255,0x8000000是Flash的起始地址,2048是因?yàn)槲矣玫氖谴笕萘啃酒?,根?jù)上一筆記Flash地址可以看出芯片每頁容量2K,即2048字節(jié),255表示芯片的最后一頁,這個(gè)根據(jù)不同芯片而定。之所以從后面頁寫起可以防止儲(chǔ)存數(shù)據(jù)破壞用戶程序。
addr*2是因?yàn)槊總€(gè)數(shù)據(jù)占用2字節(jié)(半字),雖然寫入的是1字節(jié)數(shù)據(jù),但是編程是2字節(jié)為單位,也就是說一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)也會(huì)占用兩個(gè)字節(jié)地址。
讀操作如下:
u16 value;
value = *(u16*)(FLASH_START_ADDR+(addr*2));//從指定頁的addr地址開始讀
我在實(shí)際的項(xiàng)目中發(fā)現(xiàn),在對(duì)flash進(jìn)行寫操作時(shí)要關(guān)閉所有中斷,關(guān)于這一點(diǎn)是否是必須的,我沒有去進(jìn)一步了解和驗(yàn)證。
評(píng)論