同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和超低導(dǎo)通電阻的600V耐壓超級結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機(jī)型，新產(chǎn)品非常適用于電動汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機(jī)驅(qū)動。

近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導(dǎo)體進(jìn)一步降低功率損耗。針對這種需求，ROHM對以往的PrestoMOS?產(chǎn)品進(jìn)行了改進(jìn)，開發(fā)出具有比同等普通產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻、有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用產(chǎn)品功耗的新產(chǎn)品。

此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品采用ROHM的新工藝實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr*1），同時(shí)，與反向恢復(fù)時(shí)間存在此消彼長關(guān)系的導(dǎo)通電阻*2最多也可以比同等的普通產(chǎn)品低20%。在反向恢復(fù)時(shí)間方面，繼承了PrestoMOS?系列產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的105ns（納秒）業(yè)界超快（與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品相比）反向恢復(fù)時(shí)間，而且開關(guān)時(shí)的功率損耗比同等普通產(chǎn)品低約17%?；谶@兩大特點(diǎn)，與同等的通用產(chǎn)品相比，新系列可大大提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率。

除了上述系列之外，作為標(biāo)準(zhǔn)型600V耐壓超級結(jié) MOSFET，ROHM還開發(fā)了具有更低導(dǎo)通電阻的“R60xxYNx系列”，此次又新增了兩款機(jī)型?？蛻艨梢愿鶕?jù)應(yīng)用需求選擇合適的產(chǎn)品群。

新產(chǎn)品已于2022年1月開始暫以月產(chǎn)10萬個(gè)（樣品價(jià)格900日元/個(gè)，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，也已開始通過電商銷售，從Ameya360、Sekorm等電商平臺均可購買。今后，ROHM將繼續(xù)開發(fā)抗噪性能更出色的新系列產(chǎn)品，不斷擴(kuò)大超級結(jié) MOSFET系列產(chǎn)品的陣容，通過降低各種應(yīng)用產(chǎn)品的功耗助力解決環(huán)境保護(hù)等社會問題。

＜新產(chǎn)品特點(diǎn)＞

1．實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻

PrestoMOS?“R60xxVNx系列”通過采用ROHM新工藝降低了單位面積的導(dǎo)通電阻。由于與反向恢復(fù)時(shí)間之間存在權(quán)衡關(guān)系而很難同時(shí)兼顧的導(dǎo)通電阻，與同等普通產(chǎn)品相比，最多可減少20%（與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品相比），有助于進(jìn)一步降低各種應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。

2. 具有業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間，開關(guān)損耗更低

通常，當(dāng)工藝向更微細(xì)的方向發(fā)展時(shí)，導(dǎo)通電阻等基本性能會得到改善，但與之存在此消彼長關(guān)系的反向恢復(fù)時(shí)間會變差。而ROHM的PrestoMOS?“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了比同等普通產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快的105ns（納秒）反向恢復(fù)時(shí)間（與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品比較）。由于抑制了額外的電流量，因此與同等的普通產(chǎn)品相比，開關(guān)過程中的功率損耗可以降低約17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)型且相同導(dǎo)通電阻產(chǎn)品的反向恢復(fù)時(shí)間約300～400ns（納秒）。

由于上述兩大特點(diǎn)，在搭載了追求高效率的同步整流升壓電路*3的評估板上，與導(dǎo)通電阻60mΩ級的產(chǎn)品進(jìn)行比較時(shí)，“R60xxVNx系列”表現(xiàn)出比同等普通產(chǎn)品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆變器和不間斷電源（UPS）等應(yīng)用的功耗。

＜產(chǎn)品陣容＞

R60xxVNx系列（PrestoMOS?型）

R60xxYNx系列（標(biāo)準(zhǔn)型）

＜應(yīng)用示例＞

■   電動汽車充電樁、服務(wù)器、基站、光伏逆變器（功率調(diào)節(jié)器）、不間斷電源（UPS）等

■   空調(diào)等白色家電

■   其他各種設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動和電源電路等

＜什么是PrestoMOS?？＞

Presto意為“非?？臁?，是源于意大利語的音樂術(shù)語。

PrestoMOS?是采用了ROHM自有的Lifetime控制技術(shù)、并以業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）著稱的功率MOSFET。

?PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)。

＜術(shù)語解說＞

*1) trr：反向恢復(fù)時(shí)間（Reverse Recovery Time）

內(nèi)置的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低，開關(guān)時(shí)的損耗越小。

*2) 導(dǎo)通電阻

MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極和源極之間的電阻值。該值越小，導(dǎo)通時(shí)的損耗（功率損耗）越少。

*3) 同步整流升壓電路

通常，在由MOSFET和二極管組成的升壓電路中，用來將二極管改為MOSFET以提升效率的電路。由于MOSFET導(dǎo)通電阻帶來的損耗要小于二極管VF帶來的功率損耗，因此這種電路的效率更高。