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安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件

—— 提高電動(dòng)汽車和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的能效
作者: 時(shí)間:2023-05-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

全新產(chǎn)品系列包括快速開關(guān)MOSFET和半橋功率集成模塊,具備領(lǐng)先行業(yè)的每開關(guān)超低導(dǎo)通電阻Rds(on),采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202305/446399.htm

2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊,以適配越來越多的800 V電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC和電動(dòng)汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲(chǔ)能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。 

該產(chǎn)品組合還包括采用半橋功率集成模塊(PIMs)的新型器件,具有領(lǐng)先業(yè)界的超低Rdson),采用標(biāo)準(zhǔn)F2封裝。這些模塊非常適用于工業(yè)應(yīng)用DC-ACAC-DCDC-DC大功率轉(zhuǎn)換階段。它們提供更高的集成度,采用優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。這些PIM旨在提供高功率密度,適用于能源基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車直流快速充電和不間斷電源(UPS)。 

高級(jí)副總裁兼先進(jìn)電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說:最新一代汽車和工業(yè)產(chǎn)品將助力設(shè)計(jì)人員減小其應(yīng)用占位和降低系統(tǒng)散熱要求。這有助于設(shè)計(jì)人員開發(fā)出能效更高、功率密度更大的高功率轉(zhuǎn)換器。 

車規(guī)級(jí)1200 V EliteSiC MOSFET專用于高達(dá)22 kW的大功率OBC和高壓至低壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。M3S技術(shù)專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā),具有領(lǐng)先同類產(chǎn)品的開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)。



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