氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。

此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過實現(xiàn)極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現(xiàn)了數(shù)量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關鍵所在。

綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統(tǒng)性能的整體飛躍，還自然帶動了成本的顯著降低。因此，氮化鎵材料成為提升系統(tǒng)效能、降低成本的不二之選，其應用必要性不言而喻。

據(jù)Yole預測，到2026年氮化鎵的市場規(guī)模將達到約10億美元，而碳化硅則達到約30億美元的市場規(guī)模。當然，這個數(shù)據(jù)是不斷被刷新的，到2026年，這個數(shù)目還有可能會不同，但是整個市場確實正在朝著這個方向不斷演進。

一個顯著的發(fā)展趨勢是，市場對寬禁帶材料的接納度持續(xù)攀升，預示著其將在更廣泛的領域內(nèi)占據(jù)日益重要的市場地位，而硅材料則可能在部分成熟應用中繼續(xù)發(fā)揮其獨特作用。與此同時，硅技術的創(chuàng)新步伐亦未停歇，我們觀察到，通過探索創(chuàng)新策略，硅材料仍擁有巨大的發(fā)展?jié)摿εc提升空間。然而，就技術進步的速率而言，采用寬禁帶材料的器件展現(xiàn)出了超越傳統(tǒng)硅基器件的強勁勢頭，預示著材料科學的未來發(fā)展方向。

英飛凌在成功收購GaN Systems之后，給英飛凌帶來最大的好處除了兩個公司物料品類的增加以外，還打開了很多技術研發(fā)的思路。當然，在成功收購GaN Systems之后，英飛凌的IP儲量是業(yè)界遙遙領先的。另外，當雙方的研發(fā)人員以及應用人員合并后，會產(chǎn)生很多思想上的碰撞，有助于英飛凌在研發(fā)和推向市場的速率方面大幅度提升了。

在英飛凌未并購GaN Systems之前，其主要產(chǎn)品線聚焦于分立式功率器件（Discrete Power）與集成式功率器件（Integrated Power）兩大類別。而并購GaN Systems后，產(chǎn)品線實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，從原有的兩類擴展至更為豐富的五大系列。

這一系列創(chuàng)新產(chǎn)品包括：原分立式器件已轉身為CoolGaN Transistor，專指高性能的氮化鎵單管； CoolGaN BDS，作為雙向開關的杰出代表，展現(xiàn)了其獨特的雙向控制能力； CoolGaN Smart系列集成了電流檢測等先進功能，為智能控制提供了強大支持； CoolGaN Drive則類似于早期的集成驅(qū)動器，進一步簡化了系統(tǒng)設計； CoolGaN Control作為系統(tǒng)級優(yōu)化的典范，將控制、驅(qū)動與開關功能完美融合，展現(xiàn)了英飛凌在氮化鎵材料應用上的前瞻視野與深厚實力。

可以預見的是，未來，硅、碳化硅、氮化鎵這三種先進材料將各自在多元化的應用場景中大放異彩，但需明確此預判非絕對定論，因客戶認知、市場需求及工程師偏好等因素均存在顯著差異。例如，在服務器領域，部分客戶傾向于碳化硅的高效性能，而另一部分則堅定地認為氮化鎵是功率半導體領域的未來之星，直接選擇氮化鎵技術繞過碳化硅。這種選擇多樣性反映了市場需求的多樣性與不確定性，同時也強調(diào)了材料選擇需綜合考慮多方因素，包括但不限于廠商策略、技術趨勢及終端客戶的接受度。

英飛凌CoolGaN?品牌，作為高壓開關器件系列的杰出代表，自CoolMOS時代起便承載著英飛凌對品質(zhì)與創(chuàng)新的承諾。凡是高壓（1000V以內(nèi)，尤其是500V以上）的開關器件，均被賦予了“Cool”之名，這不僅是品牌標識，更是對卓越性能的承諾。

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