JFET 與 MOSFET的區(qū)別

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。

JFET 與 MOSFET的區(qū)別

兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因?yàn)楹笳咔度肓私^緣體，因此漏電流更少。

JFET 通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而 MOSFET 通常被稱為“OFF 器件”，可以在耗盡模式和增強(qiáng)模式下工作并具有高漏極電阻。

接下來(lái)簡(jiǎn)單的介紹一下JFET 與 MOSFET。

什么是JFET ?

JFET是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的首字母縮寫(xiě)，由柵極、源極和漏極 3 個(gè)端子組成。

在 JFET 中，電場(chǎng)施加在控制電流流動(dòng)的柵極端子上。從漏極流向源極端子的電流與施加的柵極電壓成正比。

JFET基本上有兩種類型，基本上是N溝道和P溝道。

施加在柵極到源極端子的電壓允許電子從源極移動(dòng)到漏極。因此，從漏極流向源極的電流稱為漏極電流 I D。

當(dāng)柵極端子相對(duì)于源極為負(fù)時(shí)，耗盡區(qū)的寬度增加。因此，與無(wú)偏置條件相比，允許較少數(shù)量的電子從源極移動(dòng)到漏極。

JFET圖

隨著施加更多的負(fù)柵極電壓，耗盡區(qū)的寬度將進(jìn)一步增加。因此，達(dá)到了完全切斷漏極電流的條件。

JFET 具有更長(zhǎng)的壽命和更高的效率。

什么是MOSFET？

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的首字母縮寫(xiě)。在這里，器件的電導(dǎo)率也根據(jù)施加的電壓而變化。

MOSFET有兩種類型：耗盡型MOSFET和增強(qiáng)型 MOSFET

在耗盡型 MOSFET 中間存在預(yù)先構(gòu)建的溝道。因此，施加的柵源電壓將器件切換到關(guān)閉狀態(tài)。

耗盡型 MOSFET 圖

相反，在增強(qiáng)型MOSFET中，不存在任何預(yù)先構(gòu)建的溝道。在這里，傳導(dǎo)開(kāi)始于通過(guò)施加的電壓創(chuàng)建通道。

增強(qiáng)型MOSFET

在 D-MOS 中，負(fù)施加的柵極電位增加了溝道電阻，從而降低了漏極電流。相反，在 E-MOS 中，其工作需要大的正柵極電壓。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵的區(qū)別？

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵的區(qū)別

• JFET稱為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOSFET稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

• JFET 僅在耗盡模式下工作，MOSFET在增強(qiáng)模式和耗盡模式下工作。

• JFET有兩個(gè)PN結(jié)，MOSFET只有一個(gè)PN結(jié)。

• JFET是三端器件，而MOSFET是四端器件。

• JFET 不會(huì)在溝道處形成電容，而是在溝道和柵極之間的 MOSFET 電容中形成。

• JFET 是一個(gè)簡(jiǎn)單的制造過(guò)程，但 MOSFET 是一個(gè)復(fù)雜的制造過(guò)程。

• JFET 的電導(dǎo)率是由柵極的反向偏置控制的，而 MOSFET 的電導(dǎo)率是由溝道中感應(yīng)的載流子控制的。

• JEFT 是高輸入阻抗，而 MOSFET 是非常高的輸入阻抗。

• JFET 的特性曲線更平坦，而 MOSFET 的特性曲線更平坦。

• JFET 常開(kāi)器件，MOSFET 常關(guān)器件。

• MOSFET 有一個(gè)反向體二極管，在 JFET 中沒(méi)有反向體二極管。

• JFET 是高柵極電流，而 MOSFET 是低柵極電流。

• JFET 是高漏極電流，但 MOSFET 是低漏極電流。

• JFET 柵極與溝道不絕緣，而 MOSFET 與溝道絕緣。

• 在 JFET 溝道和柵極中形成兩個(gè) PN 結(jié)，但在 MOSFET 溝道和柵極中由兩個(gè)并聯(lián)電容組成。

• 在 JFET 中信號(hào)處理能力較少，在 MOSFET 信號(hào)處理能力更強(qiáng)。

• 在 JFET 制造復(fù)雜且昂貴，但 MOSFET 制造容易且便宜。

• 與 MOSFET 相比，JFET 具有更高的漏極電阻。

• MOSFET 中的漏電流小于 JFET。

• 與 JFET 相比，MOSFET 更容易構(gòu)建和廣泛使用。

• JFET多用于低噪聲應(yīng)用，MOSFET多用于高噪聲應(yīng)用。

• 與 MOSFET 相比，JFET 是功率分類。

• JFET 的柵極裕度約為 0.1 至 10 mA/v，而 MOSFET 的柵極裕度約為 0.1 至 20 mA/v。

• JFET 不如 MOSFET 受歡迎，而且如今 MOSFET 比 JFET 更廣泛使用。