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當(dāng)輸入和輸出電壓接近時(shí),為什么難以獲得穩(wěn)定的輸出電壓?

作者: 時(shí)間:2024-08-28 來(lái)源:ADI 收藏
什么是自舉電容?

自舉電容負(fù)責(zé)維持頂部N溝道MOSFET正常運(yùn)行。圖1的橙色高亮部分顯示了這一點(diǎn)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202408/462416.htm


圖1.LT8610數(shù)據(jù)手冊(cè)中展示自舉電容功能的框圖。


當(dāng)頂部N溝道MOSFET閉合時(shí),開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電位與輸入源大致相同。這意味著頂部MOSFET的源極電壓高于柵極電壓(來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)器)。若沒(méi)有高于NMOS閾值電壓的正柵源電壓,MOSFET將無(wú)法導(dǎo)通。因此,需要使用自舉電容來(lái)確保柵極電壓始終高于源極電壓。


忽略自舉電容

省略自舉電容不會(huì)給設(shè)計(jì)人員帶來(lái)什么明顯的好處,這樣做可能是為了縮減BOM尺寸和成本,或者僅僅是忘記包含這些元件。然而,此決定會(huì)帶來(lái)負(fù)面影響,因?yàn)橐獛椭酒瑸轫敳縁ET的柵極提供足夠的電壓以使其完全導(dǎo)通,自舉電容是必不可少的,如圖2所示。


圖2.無(wú)自舉電容的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。


如果頂部FET未完全導(dǎo)通,器件將無(wú)法調(diào)節(jié)輸出電壓。FET將在線性區(qū)域內(nèi)工作,消耗大量功率并使芯片升溫。


為了解決這個(gè)問(wèn)題,設(shè)計(jì)人員必須添加自舉電容。設(shè)計(jì)人員如果不確定要添加多大的電容,則應(yīng)在數(shù)據(jù)手冊(cè)示例中選擇一個(gè)最接近其應(yīng)用的值。如果器件需要自舉電容,忘記添加該電容將導(dǎo)致SMPS故障。添加自舉電容將能讓頂部柵極驅(qū)動(dòng)器有足夠的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度來(lái)操作處于飽和區(qū)的FET,使其充當(dāng)開關(guān),并向SW節(jié)點(diǎn)提供全部輸入電壓。這一點(diǎn)可以從圖3中看出。


圖3.帶自舉電容的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。


違反最小導(dǎo)通時(shí)間規(guī)范

設(shè)計(jì)人員常常選擇較高的開關(guān)頻率以減小電路板尺寸,但由于開關(guān)損耗增加,能效比會(huì)降低。然而,當(dāng)器件具有高頻率和高降壓比時(shí),占空比會(huì)被迫變小,并可能降至最小占空比值以下。最小占空比如公式1所示。



其中,t min-on 定義為電感由輸入源充電的最短時(shí)間。開關(guān)轉(zhuǎn)換器具有規(guī)定的最小導(dǎo)通時(shí)間值,設(shè)計(jì)人員必須遵守該值以確保FET正常運(yùn)行(因?yàn)镕ET無(wú)法瞬間完成切換)。設(shè)計(jì)人員可以自由選擇開關(guān)頻率。然而,當(dāng)指定的開關(guān)頻率過(guò)高以及降壓比過(guò)大時(shí),導(dǎo)通時(shí)間就會(huì)被迫低于最小值。


當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間被迫低于其最小值時(shí),電感電流在一個(gè)周期內(nèi)的放電速度將比充電速度更快。當(dāng)新的周期開始時(shí),起點(diǎn)將低于前幾個(gè)周期的起點(diǎn),這種現(xiàn)象被稱為電流降。最終,電流和輸出電壓都會(huì)下降到很低的程度,以至于器件內(nèi)部產(chǎn)生更大的占空比(具有更長(zhǎng)的導(dǎo)通時(shí)間)來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓,如圖4所示。


圖4.違反最小導(dǎo)通時(shí)間的電流波形。


電感電流紋波的下降也會(huì)在轉(zhuǎn)換器的輸出電壓中表現(xiàn)出來(lái)。輸出電壓紋波變得更加嘈雜,這可能會(huì)影響敏感負(fù)載并降低EMI性能。此影響可以從圖5中看出。


圖5.違反最小導(dǎo)通時(shí)間的輸出波形。


這個(gè)問(wèn)題有一個(gè)簡(jiǎn)單的解決辦法。導(dǎo)通時(shí)間主要受開關(guān)頻率影響,因此設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)降低頻率來(lái)解決該問(wèn)題。但這樣做的代價(jià)是需要更大的功率級(jí)元件,主要是更大的電感。降壓轉(zhuǎn)換器的功能改進(jìn)體現(xiàn)在周期間一致的導(dǎo)通時(shí)間,以及圖6中穩(wěn)定的電流紋波和圖7中穩(wěn)定的輸出紋波。


圖6.穩(wěn)定的電流紋波


圖7.穩(wěn)定的輸出紋波。


違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范

某些應(yīng)用可能需要較小的降壓比,這可能會(huì)違反轉(zhuǎn)換器的最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。t min-off 是t min-on 的補(bǔ)充,定義為電感未由輸入源充電的最短時(shí)間。與導(dǎo)通時(shí)間要求類似,SMPS必須關(guān)斷規(guī)定的時(shí)間以確保FET正常運(yùn)行(允許正常放電)。當(dāng)要求的占空比大于允許的最大占空比(由式2給出)時(shí),就會(huì)違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。



如果占空比超過(guò)最大值,SMPS將折返其配置的頻率,以避免違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。這一點(diǎn)可以從圖8中看出。器件最初配置為2MHz頻率。


圖8.違反最小關(guān)斷時(shí)間的電流波形。頻率折返至335kHz。


在圖9中可以看到,隨著負(fù)載增加,器件頻率會(huì)折返以保持恒定的輸出電壓。器件在DCM下運(yùn)行至約0.28A,這就是頻率下降到約495kHz然后又回升至657kHz的原因。以657kHz的頻率運(yùn)行時(shí),器件可以保持正常操作,直至負(fù)載達(dá)到0.7A。此時(shí)頻率降低以保持適當(dāng)?shù)妮敵鲭妷?,直至?fù)載達(dá)到1.4A左右。發(fā)生這種情況時(shí),器件無(wú)法在保持輸出電壓的同時(shí)將頻率降低到100kHz以下(該器件指定的最低反饋頻率),因此輸出電壓開始下降。


圖9.負(fù)載調(diào)整和折返頻率。隨著負(fù)載增大,頻率會(huì)折返以維持穩(wěn)定的輸出電壓。


在圖9中可以看到,隨著負(fù)載增加,器件頻率會(huì)折返以保持恒定的輸出電壓。器件在DCM下運(yùn)行至約0.28A,這就是頻率下降到約495kHz然后又回升至657kHz的原因。以657kHz的頻率運(yùn)行時(shí),器件可以保持正常操作,直至負(fù)載達(dá)到0.7A。此時(shí)頻率降低以保持適當(dāng)?shù)妮敵鲭妷?,直至?fù)載達(dá)到1.4A左右。發(fā)生這種情況時(shí),器件無(wú)法在保持輸出電壓的同時(shí)將頻率降低到100kHz以下(該器件指定的最低反饋頻率),因此輸出電壓開始下降。


這個(gè)問(wèn)題的解決辦法不像違反最小導(dǎo)通時(shí)間規(guī)范那么簡(jiǎn)單。設(shè)計(jì)人員通常需要滿足特定的輸入電壓和輸出電壓要求,因此無(wú)法隨意更改占空比來(lái)延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間。如果設(shè)計(jì)人員可以提供更大的輸入電壓,則器件將以設(shè)定的頻率工作,因?yàn)檩^小占空比會(huì)防止器件違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。這一點(diǎn)可以從圖10中看出,其中器件以設(shè)定的2MHz頻率運(yùn)行。


圖10.未違反最小關(guān)斷時(shí)間的電流波形。設(shè)定頻率為2MHz。


與最小導(dǎo)通時(shí)間相反,降低頻率只會(huì)在一定負(fù)載以下起作用。如果設(shè)計(jì)人員不能充分降低開關(guān)頻率以避免違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范,那么理想的做法是選擇另一種能夠處理更高占空比和更短導(dǎo)通時(shí)間的器件。


結(jié)論

本文重點(diǎn)討論如何讓功率晶體管保持正常運(yùn)行。占空比要求過(guò)高或過(guò)低都會(huì)使開關(guān)轉(zhuǎn)換器不穩(wěn)定,進(jìn)而造成不良后果,例如開關(guān)頻率降低、輸出電壓不穩(wěn)定以及電感在電流方面的性能不良等。此外,忽略自舉電容不僅會(huì)妨礙晶體管正常工作,還可能對(duì)負(fù)載、晶體管或芯片本身造成嚴(yán)重后果。



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