半導體晶體管電路設計須知（一）

　　這是因為，所有的晶體管測試程序，都是以規(guī)格書上所提供的參數(shù)范圍，來作為差別晶體管合格與否的標準。對反向擊穿電壓而言，只要比規(guī)格書上所規(guī)定的值大，就判為合格。如果你測量到的反向擊穿電壓要遠高于規(guī)格書，不要以為供應商以后發(fā)給你的貨，都是具有與此相同的電壓特性，供應商所提供的商品，永遠只會承諾以規(guī)格書為準，也只能是以規(guī)格書為準提供商品。規(guī)格書上所承諾的，是實際的，而其它，都是虛的。因此，建議在設計選型時，一定要以規(guī)格書為準，并留下足夠的余量，而不是以實物的測試值為準。

　　在一些高反壓晶體管的規(guī)格書上，有些反向擊穿電壓以BVcer和BVcbr來表述。此種表述的含義是：

　　BVcer ——基極與發(fā)射極之間，接有一只KΩ量綱的電阻，其它測試原理、測試條件與BVceo相同。同樣，BVcbr在測試晶體管的C-B結的反向擊穿電壓時，其晶體管的發(fā)射極不是懸空，而是通過一只KΩ量綱的電阻接到“零電位”。晶體管的反向擊穿電壓高低的排列是： BVcbo≥BVcbr》BVcer》BVceo。


一、巧用晶體管測試儀增加高壓包在路測量功能

　　如果要增加高壓包在路測量功能，將下圖中K為反壓測試按鈕VBR、Rl、Q1、Ll、L2組成自激振蕩電路，Dl、D2、D3與Cl、C2、C3、C4、C5、C6構成倍壓整流電路，D4為次級線圈L4的整流電路。在次級空載的情況下，測試L4兩端的輸出電壓為250Vp-p，頻率約為5000 Hz。L3與L4輸出電壓之和大于400 Vp-p。

　　改制方法：由于L4兩端電壓為中壓，電流較小，而L3與L4輸出電壓之和大于400

　　Vp-p，雖然電流也不大，但是從安全角度考慮，選用L4兩端作為脈沖信號的輸出端，引出兩根帶鱷魚夾的導線作為測試信號線。

　　測試方法如下：　　斷開“高壓包”初級任意一端，同時拔掉尾座(目的是斷開燈絲繞組，因為燈絲電壓很低，對于測試儀來說，相當于“高壓包”次級負載短路)，將測試儀信號引出夾夾在“高壓包”的初級，按壓反壓測試按鈕VBR，如果“高壓包”內(nèi)部無短路，外部負載也無短路，則測試儀表針偏轉(只要偏轉既可)。如果表針不偏轉，則說明“高壓包”內(nèi)部或外部負載有短路，可用萬用表R×1kΩ電阻檔，紅表筆接地，黑表筆分別測試“高壓包”

　　次級180V、12V、26V等整流二極管負極，大致判斷幾個“二次”供電電路有無短路。若表針指示均有一定阻值，則可以判斷“高壓包”內(nèi)部短路，可去掉“高壓包”進一步開路測試確認。

　　說明：

　　(1)所有測試過程，均應在主機不通電的狀況下進行，否則，可能造成人身安全事故或者使故障擴大。

　　(2)測試儀測量的范圍，可以是任何開關電源、任何行掃描電路。所以對于VCD、DVD、顯示器、復印機、錄像機等，都有其用武之地。

　　(3)對于“高壓包”的層間短路，由于用萬用表可以很方便的檢查出來，所以本改進不測試層間短路，也不能測試。