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晶體管基礎(chǔ)知識

作者: 時間:2011-09-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

雙極結(jié)型相當于兩個背靠背的二極管 PN 結(jié)。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū),其中大部分空穴能夠到達集電結(jié)的邊界,并在反向偏置的 CB 結(jié)勢壘電場的作用下到達集電區(qū),形成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極電路中 , 發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于 VBE 很小,所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

如果的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V,而集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V,如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib,在集電極電路中將出現(xiàn)一個相應(yīng)的交變電流ic,有c/ib=β,實現(xiàn)了雙極晶體管的電流放大作用。

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng),在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時, p 型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡,而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時,電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+ 漏區(qū) D 之間形成導(dǎo)電溝道。當 VDS ≠ 0 時,源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導(dǎo)體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 并取不同數(shù)值時,反型層的導(dǎo)電能力將改變,在相同的 VDS 下也將產(chǎn)生不同的 IDS , 實現(xiàn)柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。

二、晶體管的命名方法
晶體管:最常用的有和二極管兩種。三極管以符號BG(舊)或(T)表示,二極管以D表示。按制作材料分,晶體管可分為鍺管和硅管兩種。
按極性分,三極管有PNP和NPN兩種,而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示,其中每一位都有特定含義:如 3 A X 31,第一位3代表三極管,2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料;B代表NPN型鍺材料;C為PNP型硅材料;D為NPN型硅材 料。第三位表示用途,其中X代表低頻小功率管;D代表低頻大功率管;G代表高頻小功率管;A代表高頻大功率管。

最后面的數(shù)字是產(chǎn)品的序號,序號不同,各種 指標略有差異。注意,二極管同三極管第二位意義基本相同,而第三位則含義不同。對于二極管來說,第三位的P代表檢波管;W代表穩(wěn)壓管;Z代表整流管。上面 舉的例子,具體來說就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對于進口的三極管來說,就各有不同,要在實際使用過程中注意積累資料。
  常用的進口管有韓國的90xx、80xx系列,歐洲的2Sx系列,在該系列中,第三位含義同國產(chǎn)管的第三位基本相同。
三、 常用中小功率三極管參數(shù)表,也提供:常用晶體管三極管資料大全

四、用萬用表測試三極管
(1) 判別基極和管子的類型
選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個管腳,黑表筆接另一個管腳,可測出兩個電阻值,然后再用紅表筆接另一個管腳,重復(fù)上述步驟,又 測得一組電阻值,這樣測3次,其中有一組兩個阻值都很小的,對應(yīng)測得這組值的紅表筆接的為基極,且管子是PNP型的;反之,若用黑表筆接一個管腳,重復(fù)上 述做法,若測得兩個阻值都小,對應(yīng)黑表筆為基極,且管子是NPN型的。
(2)判別集電極
因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時β大(表針擺動幅度大),反接時β就小得多。因此,先假設(shè)一個集電極,用歐姆檔連接,(對NPN型管,發(fā)射極接黑表 筆,集電極接紅表筆)。測量時,用手捏住基極和假設(shè)的集電極,兩極不能接觸,若指針擺動幅度大,而把兩極對調(diào)后指針擺動小,則說明假設(shè)是正確的,從而確定 集電極和發(fā)射極。
(2) 電流放大系數(shù)β的估算
選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,對NPN型管,紅表筆接發(fā)射極,黑表筆接集電極,測量時,只要比較用手捏住基極和集電極(兩極不能接觸),和把手放開兩種情況小指針擺動的大小,擺動越大,β值越高。



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