隨機(jī)存取存儲器
9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元
一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)的存儲單元電路
1.存儲單元
2.列選擇線Y和讀/寫控制電路
二、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路
9.3.3 集成隨機(jī)存儲器2114A、2116介紹
一、集成靜態(tài)存儲器2114A
二、集成動態(tài)存儲器2116
9.3.4 RAM的擴(kuò)展
一、RAM的位擴(kuò)展
二、RAM的字?jǐn)U展
三、RAM的字、位擴(kuò)展
9.3 隨機(jī)存取存儲器
9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
優(yōu)點:讀寫方便,使用靈活。
缺點:掉電丟失信息。
一、 RAM的結(jié)構(gòu)和讀寫原理
9.3.2 RAM的存儲單元
一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)的存儲單元電路
1.存儲單元
存儲單元由V1~V6組成。兩個穩(wěn)定狀態(tài),分別存儲數(shù)據(jù)1和0。
2.列選擇線Y和讀/寫控制電路
圖中V5、 V6為受列選擇線Y控制的門控管,G4、G5和三態(tài)門G1~G3構(gòu)成讀/寫控制電路。
當(dāng)列選擇線為低電子0時,V7、V8均截止,封鎖了存儲單元位線與輸入/輸出端的通路,使存儲單元的數(shù)據(jù)不能讀出,也不能被外信號改寫。當(dāng)列選線為高電平1時,V7、V8導(dǎo)通,對存儲單元可進(jìn)行讀/寫操作,由讀/寫控制電路和的狀態(tài)控制
二、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路
動態(tài)存儲單元是由MOS管的柵極電容C和門控管組成的。數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲在柵極電容上,電容上的電壓高表示存儲數(shù)據(jù)1;電容沒有儲存電荷,電壓為0,表明存儲數(shù)據(jù)0。因存在漏電,使電容存儲的信息不能長久保持,為防止信息丟失,就必須定時地給電容補(bǔ)充電荷,這種操作稱為“刷新”,由于要不斷地刷新,所以稱為動態(tài)存儲。
包括4管MOS動態(tài)存儲單元電路和單管MOS動態(tài)存儲單元等
9.3.3 集成隨機(jī)存儲器2114A、2116介紹
采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint
一、集成靜態(tài)存儲器2114A
Intel2114A是單片1 K×4位(即有1 K個字,每個字4位)的靜態(tài)存儲器(SRAM),它是雙列直插18腳封裝器件,采用5V供電,與TTL電平完全兼容。
二、集成動態(tài)存儲器2116
Intel 2116單片16 K×1位動態(tài)存儲器(DRAM),是典型的單管動態(tài)存儲芯片。它是雙列直插16腳封裝器件,采用+12V和 5V三組電源供電,其邏輯電平與TTL兼容。
9.3.4 RAM的擴(kuò)展 (采用數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint并進(jìn)行討論。)
當(dāng)單片RAM不能滿足存儲容量的要求時,這時可把多個單片RAM進(jìn)行組合,擴(kuò)展成大容量存儲器。
一、RAM的位擴(kuò)展
二、RAM的字?jǐn)U展
字?jǐn)U展就是把幾片相同RAM的數(shù)據(jù)線并接在一起作為共用輸入輸出端(即位不變),讀/寫控制線也接在一起,把地址線加以擴(kuò)展,用擴(kuò)展的地址線去控制各片RAM的片選線 。
三、RAM的字、位擴(kuò)展
當(dāng)RAM的位線和字線都需要擴(kuò)展時,一般是先進(jìn)行位擴(kuò)展,然后再進(jìn)行字?jǐn)U展。
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