單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)

晶閘管的觸發(fā)電路有很多，其中比較常見的有單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。單結(jié)晶體管又稱雙基極二極管，有一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極[2]。它是在一塊高摻雜的N型硅基片一側(cè)的兩端各引出一個(gè)接觸電阻很小的極，分別稱為第一基極B1 和第二基極B2。而在硅片的另一側(cè)靠近B2處，摻入P型雜質(zhì)，形成PN 結(jié)，引出電極，稱為發(fā)射極。因?yàn)镹 型硅基片的雜質(zhì)少，所以兩基極之間的電阻（體電阻）較高。值得注意的是RB1 的阻值會(huì)隨發(fā)射極電流Ie 的變化而改變，具有可變電阻的特性。發(fā)射極與兩個(gè)基極之間的PN 結(jié)用一個(gè)等效二極管D 表示。圖3 是它的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電路。

圖3 單結(jié)晶體管示意圖

當(dāng)發(fā)射極電流為零時(shí)，外加電壓UBB 在RB1 和RB2 之間按一定比例分壓，A 點(diǎn)和B1 之間的電壓為

其中濁成為單結(jié)晶體管的分壓系數(shù)（又稱分壓比），它與管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)，通常在0.3~0.9之間。圖4是其伏安特性圖。

圖4 單結(jié)晶體管伏安特性圖