金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻雖然可達(dá)106～109W，但在要求輸入電阻更高的場(chǎng)合，還是不能滿足要求。而且，由于它的輸入電阻是PN結(jié)的反偏電阻，在高溫條件下工作時(shí)，PN結(jié)反向電流增大，反偏電阻的阻值明顯下降。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管不同，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的柵極與半導(dǎo)體之間隔有二氧化硅（SiO2）絕緣介質(zhì)，使柵極處于絕緣狀態(tài)（故又稱絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管），因而它的輸入電阻可高達(dá)1015W。它的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是制造工藝簡(jiǎn)單，適于制造大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。

MOS管也有N溝道和P溝道之分，而且每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，二者的區(qū)別是增強(qiáng)型MOS管在柵-源電壓vGS=0時(shí)，漏-源極之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道存在，即使加上電壓vDS（在一定的數(shù)值范圍內(nèi)），也沒(méi)有漏極電流產(chǎn)生（iD=0）。而耗盡型MOS管在vGS=0時(shí)，漏-源極間就有導(dǎo)電溝道存在。

4.3.1 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

一、結(jié)構(gòu)

( vGS＞VT )

式中IDO是vGS=2VT時(shí)的漏極電流iD。

2. 參數(shù)

MOS管的主要參數(shù)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本相同，只是增強(qiáng)型MOS管中不用夾斷電壓VP，而用開啟電壓VT表征管子的特性。

4.3.2 N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管

圖1

　

表 1

結(jié)構(gòu)種類	工作方式	符 號(hào)	電壓極性		轉(zhuǎn)移特性 iD = f (vGS)	輸出特性 iD = f (vDS)
			VP或VT	VDS
N溝道 MOSFET	耗 盡 型		(-)	(+)
	增 強(qiáng) 型		(+)	(+)
P溝道 MOSFET	耗 盡 型		(+)	(-)
	增 強(qiáng) 型		(-)	(-)
P溝道 JFET	耗 盡 型		(+)	(-)
N溝道 JFET	耗 盡 型		(-)	(+)
P溝道 GaAs MESFET	耗 盡 型		(-)	(+)