金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
結(jié)型場效應(yīng)管的輸入電阻雖然可達(dá)106~109W,但在要求輸入電阻更高的場合,還是不能滿足要求。而且,由于它的輸入電阻是PN結(jié)的反偏電阻,在高溫條件下工作時,PN結(jié)反向電流增大,反偏電阻的阻值明顯下降。與結(jié)型場效應(yīng)管不同,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極與半導(dǎo)體之間隔有二氧化硅(SiO2)絕緣介質(zhì),使柵極處于絕緣狀態(tài)(故又稱絕緣柵場效應(yīng)管),因而它的輸入電阻可高達(dá)1015W。它的另一個優(yōu)點是制造工藝簡單,適于制造大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。
MOS管也有N溝道和P溝道之分,而且每一類又分為增強型和耗盡型兩種,二者的區(qū)別是增強型MOS管在柵-源電壓vGS=0時,漏-源極之間沒有導(dǎo)電溝道存在,即使加上電壓vDS(在一定的數(shù)值范圍內(nèi)),也沒有漏極電流產(chǎn)生(iD=0)。而耗盡型MOS管在vGS=0時,漏-源極間就有導(dǎo)電溝道存在。
4.3.1 N溝道增強型場效應(yīng)管
一、結(jié)構(gòu)
( vGS>VT )
式中IDO是vGS=2VT時的漏極電流iD。
2. 參數(shù)
MOS管的主要參數(shù)與結(jié)型場效應(yīng)管基本相同,只是增強型MOS管中不用夾斷電壓VP,而用開啟電壓VT表征管子的特性。
4.3.2 N溝道耗盡型場效應(yīng)管
圖1
結(jié)構(gòu)種類 | 工作方式 | 符 號 | 電壓極性 | 轉(zhuǎn)移特性 iD = f (vGS) | 輸出特性 iD = f (vDS) | |
VP或VT | VDS | |||||
N溝道 MOSFET | 耗 盡 型 | (-) | (+) | |||
增 強 型 | (+) | (+) | ||||
P溝道 MOSFET | 耗 盡 型 | (+) | (-) | |||
增 強 型 | (-) | (-) | ||||
P溝道 JFET | 耗 盡 型 | (+) | (-) | |||
N溝道 JFET | 耗 盡 型 | (-) | (+) | |||
P溝道 GaAs MESFET | 耗 盡 型 | (-) | (+) |
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