一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成晶體二極管的原理
P性半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體----前面講過,在純凈的半導(dǎo)體中加入一定類型的微量雜質(zhì),能使半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力成百萬倍的增加。加入了雜質(zhì)的半導(dǎo)體可以分為兩種類型:一種雜質(zhì)加到半導(dǎo)體中去后,在半導(dǎo)體中會(huì)產(chǎn)生大量的帶負(fù)電荷的自由電子,這種半導(dǎo)體叫做“N型半導(dǎo)體”(也叫“電子型半導(dǎo)體”);另一種雜質(zhì)加到半導(dǎo)體中后,會(huì)產(chǎn)生大量帶正電荷的“空穴”,這種半導(dǎo)體叫“P型半導(dǎo)體”(也叫“空穴型半導(dǎo)體”)。例如,在純凈的半導(dǎo)體鍺中,加入微量的雜質(zhì)銻,就能形成N型半導(dǎo)體。同樣,如果在純凈的鍺中,加入微量的雜質(zhì)銦,就形成P型半導(dǎo)體。
一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成晶體二極管----設(shè)法把P型半導(dǎo)體(有大量的帶正電荷的空穴)和N型半導(dǎo)體(有大量的帶負(fù)電荷的自由電子)結(jié)合在一起,見圖1所示。
圖1
在P型半導(dǎo)體的N型半導(dǎo)體相結(jié)合的地方,就會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層,這個(gè)特殊的薄層就叫“PN結(jié)”。晶體二極管實(shí)際上就是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的(見圖1)。
例如,收音機(jī)中應(yīng)用的晶體二極管,其觸絲(即觸針)部分相當(dāng)于P型半導(dǎo)體,N型鍺片就是N型半導(dǎo)體,他們之間的接觸面就是PN結(jié)。P端(或P端引出線)叫晶體二極管的正端(也稱正極)。N端(或N端引出線)叫晶體二極管的負(fù)端(也稱負(fù)極)。
如果像圖2那樣,把正端連接電池的正極,把負(fù)端接電池的負(fù)極,這是PN結(jié)的電阻值就小到只有幾百歐姆了。因此,通過PN結(jié)的電流(I=U/R)就很大。這樣的連接方法(圖
圖
反過來,如果把P端接到電池的負(fù)極,N端接到電池的正極(見圖2b)。這時(shí)PN結(jié)的電阻很大(大到幾百千毆),電流(I=U/R)幾乎不能通過二極管,或者說通過的電流很微弱。這樣的連接方法叫“反向連接”。反向連接時(shí),晶體管二極管(或PN結(jié))兩端承受的電壓叫“反向電壓”;處在反向電壓下,二極管(或PN結(jié))的電阻叫“反向電阻”,在反向電壓下,通過二極管(或PN結(jié))的電流叫“反向電流”。顯然,因?yàn)榫w二極管的正向電阻很大(幾百千歐姆),在一定的反向電壓下,正向電流(I=U/R)就會(huì)很小,甚至可以忽略不計(jì),----這表明在一定的反向電壓下,二極管(或PN結(jié))幾乎不導(dǎo)電。
上敘實(shí)驗(yàn)說明這樣一個(gè)結(jié)論:晶體二極管(或PN結(jié))具有單向?qū)щ娞匦浴?BR>
晶體二極管用字母“D”代表,在電路中常用圖3的符號(hào)表示,即表示電流(正電荷)只能順著箭頭方向流動(dòng),而不能逆著箭頭方向流動(dòng)。圖3是常用的晶體二極管的外形及符號(hào)。
圖3
利用二極管的單向?qū)щ娦钥梢杂脕碚鳎▽⒔涣麟娮兂芍绷麟姡┖蜋z波(從高頻或中頻電信號(hào)取出音頻信號(hào))以及變頻(如把高頻變成固定的中頻465千周)等。
PN結(jié)的極間電容----PN結(jié)的P型和N型兩快半導(dǎo)體之間構(gòu)成一個(gè)電容量很小的電容,叫做“極間電容”(如圖4所示)。由于電容抗隨頻率的增高而減小。所以,PN結(jié)工作于高頻時(shí),高頻信號(hào)容易被極間電容或反饋而影響PN結(jié)的工作。但在直流或低頻下工作時(shí),極間電容對(duì)直流和低頻的阻抗很大,故一般不會(huì)影響PN結(jié)的工作性能。PN結(jié)的面積越大,極間電容量越大,影響也約大,這就是面接觸型二極管(如整流二極管)和低頻三極管不能用于高頻工作的原因。
評(píng)論