新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

作者: 時(shí)間:2014-01-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

Void ChkFstPowerOnInfo(void);

? Write()用于寫,傳遞的形參包括指向待寫入數(shù)據(jù)的指針,待寫入數(shù)據(jù)在子頁中的起始字節(jié)編號,寫入數(shù)據(jù)的長度,原型如下。

void Write( u8 *array, u8 startNum, u8 length );

? FlashErase()用于擦除Flash,傳遞的形參是子頁的編號,在擦除函數(shù)中需要根據(jù)子頁的編號判斷是否需要執(zhí)行頁的擦除操作,原型如下。

void FlashErase(u8 seg_sn);

2.2.2 軟件流程圖

軟件啟動后,初始化模擬EEPROM流程圖描述如下。提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

調(diào)用API,向模擬EEPROM 寫入數(shù)據(jù)的軟件流程如圖五所示。在軟件處理中,要特別注意目標(biāo)指針的切換和保證寫入數(shù)據(jù)的正確性,在代碼空間允許的情況下,可以增加一些校驗(yàn)算法來保證。提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

采用劃分子頁的方案總結(jié)如下。

? 每次寫入模擬EEPROM的數(shù)據(jù)長度為定長,即為子頁的長度。

? 軟件需要定義一個存儲變量結(jié)構(gòu)體,用于刷新和同步模擬EEPROM內(nèi)容。在將數(shù)據(jù)寫入模擬EEPROM之前,程序員需要按照約定的數(shù)據(jù)格式,在內(nèi)存中將所有的目標(biāo)存儲變量進(jìn)行整理。

? 在軟件處理上,需要計(jì)算當(dāng)前寫入和下一次寫入的物理地址;在每一次執(zhí)行寫入操作后,根據(jù)子頁長度大小,將指向子頁的目的操作指針自動累加。

? 待一個頁(Page)寫滿后,需要將最后更新的模擬EEPROM數(shù)據(jù)拷貝到下一個頁,再對寫滿頁執(zhí)行一次擦除操作。

? 在嵌入式軟件處理上需加入合適的校驗(yàn)機(jī)制,保證寫入數(shù)據(jù)的正確性并監(jiān)測用于模擬EEPROM功能的Flash 子頁是否已經(jīng)失效。

2.3 兩種方案的對比分析

兩種方案的對比分析見表二。

表二 兩種方案的對比分析

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法


上一頁 1 2 3 下一頁

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉