AM30LV0064D在單片機(jī)系統(tǒng)中的典型應(yīng)用

　　所有操作都建立在命令字基礎(chǔ)上。對(duì)主存操作時(shí)，所有命令字都通過芯片的8個(gè)I/O引腳寫到命令寄存器中，激活狀態(tài)機(jī)進(jìn)行相應(yīng)的操作。存儲(chǔ)器地址以及數(shù)據(jù)也從8位I/O腳寫入。對(duì)存儲(chǔ)器地址進(jìn)行連續(xù)操作或?qū)Υ鎯?chǔ)塊操作時(shí)都要先向地址寄存器寫入1個(gè)起始地址。地址分3次寫進(jìn)去，從低字節(jié)開始傳送，具體的地址位傳送順序分配。（由于對(duì)存儲(chǔ)器的讀操作分前后2個(gè)半頁(yè)，每半頁(yè)256字節(jié)，在命令字中已經(jīng)包含了此信息，而編程以頁(yè)為單位、擦除以塊為單位，所以傳送的地址位中不含A8）

　　AM30LV0064D通過片選引腳CE使能，先是CLE和WE信號(hào)有效，通過I/O口寫入命令字；接著ALE和WE有效，寫入數(shù)據(jù)存取的起始地址。最后根據(jù)命令要求，讀數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)。由于具有多元的控制總線，對(duì)應(yīng)AM30LV0064D的操作方式也是多樣的。根據(jù)命令字的定義可進(jìn)行以下操作。

　　3 應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

　　AM30LV0064D的外圍電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。其控制總線包括CE(片選)、CLE(命令字鎖存使能)、ALE(地址鎖存使能)、WE（寫使能）、RE(讀使能)、SE（預(yù)留區(qū)使能)、WP（寫保護(hù)）等。對(duì)于那些具有可編程的I/O口的微控制器或DSP來說，可以直接把引腳與控制線相連。如果沒有可編程的I/O口，則需要加一些簡(jiǎn)單的邏輯控制。下面介紹AM30LV0064D與at89ls8252單片機(jī)接口時(shí)的一種應(yīng)用設(shè)計(jì)電路。由于單片機(jī)缺少UltraNAND閃存所需的多元控制總線，在本設(shè)計(jì)中，采用地址譯碼的方法增加了控制端口，這部分邏輯可以用1片PLD（可編程邏輯器件）完成。具體接口電路。

　　以下是PLD內(nèi)部邏輯設(shè)計(jì)的源代碼：

　　PORT0=!A14!A13!A12!A11; /*讀寫數(shù)據(jù)端口*/

　　PORT1=!A14!A13!A12!A11; /*CLE寫端口*/

　　PORT2=!A14!A13!A12!A11; /*設(shè)置ALE端口*/

　　PORT3=!A14!A13!A12!A11; /*清ALE端口*/

　　PORT4=!A14!A13!A12!A11; /*設(shè)置SE端口*/

　　PORT5=!A14!A13!A12!A11; /*清SE端口*/

　　PORT6=!A14!A13!A12!A11; /*設(shè)置WP端口*/

　　PORT7=!A14!A13!A12!A11; /*清除WP端口*/

　　PORT8=!A14!A13!A12!A11; /*設(shè)置CE1端口*/

　　PORT9=!A14!A13!A12!A11; /*清除CE1端口*/

　　PORTA=!A14!A13!A12!A11; /*讀RY/BY狀態(tài)端口*/

　　PORTB=!A14!A13!A12!A11; /*設(shè)置CE2端口*/

　　PORTC=!A14!A13!A12!A11; /*清除CE2端口*/

　　/*邏輯方程*/

　　READY.OE=PORTAREAD;/*Ready只通過PORTA讀取*/

　　READY=RY_BY；

　　CLE=PORT1;

　　ALE=WRTIE PORT2＃ALE!(WRITE PORT3)#ALE PORT2);

　　SE=WRITEPORT4#SE!(WRITE PORT5)#SE PORT4;

　　WP=WRITE PORT6#WP!(WRITE PORT7)# WP PORT6;

　　CE1=WRITE PORT8#CE !(WRITE PORT9)#CE PORT8;

　　CE2=WRITE PORTB#CE!(WRITE PORTC)#CE PORTB;

　　WE=WRITE (PORT0#PORT1);

　　RE=READPORT0;

　　4 軟件流程

　　下面重點(diǎn)介紹通過單片機(jī)對(duì)AM30LV0064D進(jìn)行數(shù)據(jù)編程的軟件流程：?jiǎn)纹瑱C(jī)啟動(dòng)編程程序，將IS61LV256中的數(shù)據(jù)讀出后再寫到FLASH中，每次寫512字節(jié)的數(shù)據(jù)（半頁(yè)為256字節(jié)）。然后，對(duì)相應(yīng)頁(yè)進(jìn)行編程，編程命令字寫入后定期查詢RY/BY引腳，看編程是否已經(jīng)完成，如果完成再讀取FLASH的狀態(tài)寄存器，可以知道編程是否成功。具體流程。