AVR,51單片機IO結構
AVR IO具備多種IO模式:
1 高阻態(tài) ,多用于高阻模擬信號輸入,例如ADC數模轉換器輸入,模擬比較器輸入
2 弱上拉狀態(tài)(Rup=20K~50K),輸入用。為低電平信號輸入作了優(yōu)化,省去外部上拉電阻,例如按鍵輸入,低電平中斷觸發(fā)信號輸入
3 推挽強輸出狀態(tài),驅動能力特強(>20mA),可直接推動LED,而且高低驅動能力對稱.
使用注意事項:
寫用PORTx,讀取用PINx
實驗時,盡量不要把管腳直接接到GND/VCC,當設定不當,IO口將會輸出/灌入 80mA(Vcc=5V)的大電流,導致器件損壞。
作輸入時:
1通常要使能內部上拉電阻,懸空(高阻態(tài))將會很容易受干擾。(表面看好像是51的抗干擾能力強,是因為51永遠有內部電阻上拉,)
2盡量不要讓輸入懸空或模擬輸入電平接近VCC/2,將會消耗太多的電流,特別是低功耗應用場合------CMOS電路的特點
3讀取軟件賦予的引腳電平時需要在賦值指令out 和讀取指令in 之間有一個時鐘周期的間隔,如nop 指令。
4功能模塊(中斷,定時器)的輸入可以是低電平觸發(fā),也可以是上升沿觸發(fā)或下降沿觸發(fā)。
5用于高阻模擬信號輸入,切記不要使能內部上拉電阻,影響精確度。例如ADC數模轉換器輸入,模擬比較器輸入
作輸出時:
采用必要的限流措施,例如驅動LED要串入限流電阻
復位時:
復位時內部上拉電阻將被禁用。如果應用中(例如電機控制)需要嚴格的電平控制,請使用外接電阻固定電平
休眠時:
作輸出的,依然維持狀態(tài)不變
作輸入的,一般無效,但如果使能了第二功能(中斷使能),其輸入功能有效。例如 外部中斷的喚醒功能。
AVR的C語言IO操作:
AVR的C語言基于ANSI C,沒有像51那樣擴展了位操作(布爾操作),雖然匯編指令里面有SBI/CBI/SBIC/SBIS指令
所以需要采用 位邏輯運算 來實現,這是必須要掌握的。
IO口和功能寄存器的操作方法一樣,但對于部分功能寄存器的讀寫有特殊要求,請參看手冊。
不必考慮代碼效率的問題,如果可能,GCCAVR會自動優(yōu)化為SBI/CBI/SBIC/SBIS指令,跟匯編的效率是一樣的。
例如 iom16.h 里面定義了 #define PA7 7
(這標準頭文件定義了MCU的所有官方定義(包括寄存器,位,中斷入口等),但管腳的第二功能沒有定義)
想PA7為1 PORTA|=(1
想PA7為0 PORTA=~(1
想PA7取反 PORTA^=(1
想檢測PA7是否為1 if (PINA(1
想檢測PA7是否為0 if !(PINA(1
* 為左移運算符,不懂的就要好好復習C語言基礎了。
注意IO操作的順序:
//上電默認DDRx=0x00,PORTx=0x00 輸入,無上拉電阻
假設PA口驅動LED的負極,低電平燈亮
初始化方法1:
PORTA=0xFF; //內部上拉,高電平
DDRA=0xFF; //輸出高電平---------燈一直是滅的
初始化方法2:
DDRA=0xFF; //輸出低電平--------燈被錯誤點亮了
PORTA=0xFF; //輸出高電平--------馬上被熄滅了,時間很短(1個指令不到uS時間),燈閃了一下,眼睛無法察覺
但要是這個IO口是控制炸藥包的點火信號呢?工控場合要考慮可靠性的問題
模擬OC結構的IIC總線的技巧:
雖然AVR大多帶有硬件IIC接口,但也有需要使用軟件模擬IIC的情況
可以通過使用外部上拉電阻+控制DDRx的方法來實現OC結構的IIC總線。
IIC的速度跟上拉電阻有關,內部的上拉電阻阻值較大(Rup=20K~50K),只能用于低速的場合
#define SDA 0 //PC0
#define SCL 1 //PC1
(程序初始化設定 SDA和SCL都是 PORT=0,DDR=0)
#define SDA_0() DDRA|=(1
#define SDA_1() DDRA=~(1
#define SCL_0() DDRA|=(1
#define SCL_1() DDRA=~(1
使用上面的SDA_0()/SDA_1()/SCL_0()/SCL_1()宏即可,直觀,而且效率跟匯編是一樣的。
手機電池相關文章:手機電池修復
51單片機相關文章:51單片機教程
單片機相關文章:單片機教程
單片機相關文章:單片機視頻教程
單片機相關文章:單片機工作原理
上拉電阻相關文章:上拉電阻原理
評論