利用FPGA實現(xiàn)的任意波形發(fā)生器的研究設(shè)計

　　1．3 雙口RAM設(shè)計

　　在設(shè)計波形存取電路時，首先應(yīng)確定波形RAM的深度和字長。波形RAM的深度和字長與很多因素有關(guān)系。存儲器內(nèi)部存儲的是一個或N個整周期的標(biāo)準(zhǔn)波形數(shù)據(jù)，存儲器容量越大，存儲的被采樣波形點數(shù)就越多，采樣效果就越好。存儲器的讀取速度是產(chǎn)生高頻波形的重要保證，讀取速度必須滿足相位累加器的累加速度，這樣才能保證直接數(shù)字合成過程的正常進行。同時，為了保證整個速度的同步性，選用一種同步RAM也是很必要的。

　　首先要確定波形RAM的深度和字長，由于任意波形發(fā)生器設(shè)計中選擇的DAC的字長是12位，很明顯波形RAM的字長也應(yīng)該是12位；由于選擇的地址線位數(shù)為12位(即相位累加器輸出的高12位)，尋址空間為4 K(4 096)個單元，即RAM存儲空間應(yīng)為4 096x12 bit=49 152 bits，由于本設(shè)計所選擇的FPGA內(nèi)部RAM最大可配置為119 808 bits，完全可以滿足49 152 bits的RAM空間設(shè)計。所以波形RAM設(shè)計為字長12位，地址線12位。針對任意波形發(fā)生器與普通DDS的不同，波形RAM的設(shè)計主要要求RAM具有讀寫兩個端口，這樣可以通過兩套地址系統(tǒng)，方便地進行RAM內(nèi)容更新，即對RAM的寫操作；波形幅度量化數(shù)據(jù)的輸出，即對RAM的讀操作。結(jié)合ALTERA公司FPGA的特點，選擇了EP2C5F256C6這個芯片內(nèi)部的雙口RAM來實現(xiàn)這個功能，如圖10所示。

　　芯片內(nèi)部的雙口RAM具有讀地址和寫地址兩組地址線，數(shù)據(jù)線也分成了讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線兩組。這樣波形RAM的設(shè)計就非常簡單了，將寫數(shù)據(jù)線、寫地址線和單片機的數(shù)據(jù)線、地址線相連，用單片機更新RAM中的數(shù)據(jù)；將讀地址線和讀數(shù)據(jù)線分別與相位累加器的輸出和DAC的數(shù)據(jù)輸入相連，讀數(shù)據(jù)線上即輸出了波形幅度量化數(shù)據(jù)。

　　2 結(jié)束語

　　本文詳細(xì)闡述了產(chǎn)生任意波形數(shù)據(jù)和基于FPGA的硬件設(shè)計部分，以QuartusⅡ8．O軟件平臺作為開發(fā)工具，選用CycloneII系列的EP2C5-F256C6 FPGA芯片實現(xiàn)DDS結(jié)構(gòu)中的數(shù)字部分，其中相位累加器是DDS的核心部件，重點闡述了相位累加器部分的設(shè)計，采用8級流水線結(jié)構(gòu)借助前5級的超前進位模塊，編譯的最高工作頻率，由317．97 MHz提高到336．7 MHz，采用此種設(shè)計方法，節(jié)約了成本，縮短了開發(fā)周期，具有可行性。