新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

作者: 時(shí)間:2013-06-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
長(zhǎng)期以來,一直使用旁路和去耦電容來減小PCB上產(chǎn)生的各種噪聲,也。由于成本相對(duì)較低,使用容易,還有一系列的量值可選用,常常是電路板上用來減小電磁干擾()的主要器件。由于寄生參數(shù)具有重要的影響,故的選擇要比其容量的選擇更為重要。制造的方法很多,制造工藝決定了寄生參數(shù)的大小。

電氣器噪聲可以以許多不同的方式引起。在數(shù)字電路中,這些噪聲主要由開關(guān)式集成電路,電源和調(diào)整器所產(chǎn)生,而在射頻電路中則主要由振蕩器以及放大電路產(chǎn)生。無論是電源和地平面上,還是信號(hào)線自身上的這些干擾都將會(huì)對(duì)系統(tǒng)的工作形成影響,另外還會(huì)產(chǎn)生輻射。

本文將重點(diǎn)討論多層陶瓷電容器,包括表面貼裝和引腳兩種類型。討論如何計(jì)算這些簡(jiǎn)單器件的阻抗和插入損耗之間的相互關(guān)系。文中還介紹了一些改進(jìn)型規(guī)格的測(cè)試,如引線電感和低頻電感,另外,還給出了等效電路模型。這些模型都是根據(jù)測(cè)得的數(shù)據(jù)導(dǎo)出的,還介紹了相關(guān)的測(cè)試技術(shù)。針對(duì)不同的制造工藝,測(cè)試了這些寄生參數(shù),并繪制出了相應(yīng)的阻抗曲線。

阻抗和插入損耗

所幸的是,電容器還算簡(jiǎn)單的器件。由于電容器是一個(gè)雙端口器件,故僅有一種方法與傳輸線并接。不要將該器件看作一只電容器,更容易的方法是將其看作為一個(gè)阻抗模塊。當(dāng)其與傳輸線并聯(lián)時(shí),甚至可以將其視作為一個(gè)導(dǎo)納模塊(見圖1)。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

圖1:將電容器視作為阻抗模塊。

這種連接方式的ABCD參數(shù)可以表示為:

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波
然后,利用ABCD參數(shù)和散射(S)參數(shù)之間的關(guān)系,可以得到插入損耗S21的幅度為:

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波
式中,Z??=阻抗幅度

Z0=傳輸線阻抗

??=阻抗模塊的相角

有一些插入點(diǎn)可以來觀察方程2。首先,對(duì)于一個(gè)高性能的陶瓷電容器來說,其相角在整個(gè)頻段中都非常接近±90°,只有諧振點(diǎn)附近除外(見圖2)。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

圖2:1000-pF陶瓷電容器的典型阻抗幅相特性。


已知±90°的余弦接近0,故方程2可以被簡(jiǎn)化為:

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波
故該相角可以被忽略,并且在絕大多數(shù)的頻譜上都能給出較好的結(jié)果。另一個(gè)很好的近似是當(dāng)Z0>>?Z??時(shí),方程3可以被進(jìn)一步簡(jiǎn)化為:

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波
作為一個(gè)例子,表1中給出了對(duì)一只1000-pF的旁路電容器測(cè)出的阻抗及由此計(jì)算出來的插入損耗。所有的插入損耗數(shù)據(jù)都基于50歐阻抗。如表中所給出,一旦電容器的阻抗開始增加到50歐,方程3將快速發(fā)生突變。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

表1:1000-pF旁路電容器的阻抗和求得的插入損耗。


這些方程中的唯一問題就是需要知道一系列不同電容值的阻抗。

多層陶瓷電容器(MLCC)串聯(lián)模型

對(duì)于MLCC電容器來說,最簡(jiǎn)單的(當(dāng)然也是最有效的)模型是串聯(lián)模型(見圖3)。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

圖3:陶瓷電容器的等效串聯(lián)模型。


該模型給出了適用于絕大多數(shù)表面貼裝MLCC的正確阻抗曲線。記住電容值將隨溫度和直流偏置而變化。等效串聯(lián)電阻(ESR)隨溫度、直流偏置和頻率變化,而等效串聯(lián)電感(ESL)卻基本保持不變。對(duì)阻抗來說,也許最重要的部分是諧振點(diǎn),因?yàn)檫@是衰減最大的頻率。眾所周知,計(jì)算諧振頻率的公式是:

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波
對(duì)于各類表面貼裝的不同封裝的電感值,可以利用方程2中所描述的測(cè)量技術(shù)來計(jì)算。例如,如果系統(tǒng)中產(chǎn)生了800MHz的噪聲,隨后可以在PCB上將其定位到一個(gè)確定的區(qū)域。選擇一個(gè)標(biāo)稱容量為39pF的電容,并將其安裝到盡可能靠近產(chǎn)生噪聲的地方,這對(duì)于減小來說,將是最好的選擇。減小矩形芯片電感的一個(gè)有效方式就是改進(jìn)芯片縱長(zhǎng)方向端頭的設(shè)計(jì)。所選電容器的阻抗曲線如圖4所示。注意通過改變縱橫比,寄生電感減小了大約50%,即從1200pH減小到600pH。這有效地偏移開了最大衰減點(diǎn),故在利用這些器件來進(jìn)行時(shí)只需牢記這一點(diǎn)。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

圖4:兩只0.1 μF電容器的阻抗曲線比較。


低電感電容的最大優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)在數(shù)字電路退耦中。利用如下簡(jiǎn)單的電感方程:

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波
利用低電感芯片來降低電感,可以減小集成電路中開關(guān)時(shí)所產(chǎn)生的總電壓噪聲。

引腳電容器

引腳電容相對(duì)于表面貼裝電容器,除了增加了引腳之外,其他并沒有什么不同。其等效模型與MLCC模型一樣,除了增加了引腳所產(chǎn)生的電感之外,見圖5。

EMC相關(guān)文章:EMC是什么意思


電容器相關(guān)文章:電容器原理


濾波器相關(guān)文章:濾波器原理


濾波器相關(guān)文章:濾波器原理


電源濾波器相關(guān)文章:電源濾波器原理


電容相關(guān)文章:電容原理
電容式觸摸屏相關(guān)文章:電容式觸摸屏原理

上一頁 1 2 下一頁

關(guān)鍵詞: 電容器 EMI 濾波

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

<mark id="runy9"><pre id="runy9"></pre></mark>

<span id="runy9"></span>