IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列
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全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件，具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/236045.htmIRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝，導(dǎo)通電阻典型值只有500µΩ，可大幅降低傳導(dǎo)損耗，因而非常適合動態(tài)ORing和電子保險絲 (eFuse) 應(yīng)用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設(shè)計人員能夠在大電流應(yīng)用內(nèi)減少器件數(shù)量。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經(jīng)過擴(kuò)充后，能夠滿足市場對動態(tài)ORing和電子保險絲的高效開關(guān)的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內(nèi)提供行業(yè)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻，從而實現(xiàn)無可比擬的功率密度。”
與DirectFET系列的其它器件一樣，IRL6283M可提供有效增強(qiáng)電氣性能和熱性能的頂側(cè)冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無鍵合線設(shè)計。此外，DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設(shè)計。同類的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。
規(guī)格
|
器件編號 |
電壓 |
最高 VGS |
封裝 |
電流 額定值 |
導(dǎo)通電阻 (典型/最高) |
認(rèn)證級別 |
||
|
(V) |
(V) |
(A) |
10V |
4.5V |
2.5V |
|||
|
20 |
12 |
DirectFET MD |
211 |
.50/.75 |
.65/.87 |
1.1/1.5 |
工業(yè) |
|
|
IRFH8201 |
25 |
20 |
PQFN 5x6B |
100* |
.80/.95 |
1.20/1.60 |
不適用 |
|
|
IRFH8202 |
.90/1.05 |
1.40/1.85 |
||||||
|
IRFH8303 |
30 |
.90/1.10 |
1.30/1.70 |
|||||
|
IRFH8307 |
1.1/1.3 |
1.7/2.1 |
||||||
|
IRF8301M |
DirectFET MT |
192 |
1.3/1.5 |
1.9/2.4 |
||||
IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環(huán)保封裝，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。
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