利用MEMS技術(shù)制作無線通信用RF元件
最近幾年利用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS;Micro Electro Mechanical System)技術(shù),在硅晶圓基板表面制作機(jī)電結(jié)構(gòu)的技術(shù)備受關(guān)注,主要原因移動(dòng)電話與WLAN(Wireless Local Wireless Network)等無線通信,隨著寬頻化、高頻化、全球化的技術(shù)進(jìn)化,高頻用射頻元件(Radio Frequency devices)成為不可或缺的關(guān)鍵性元件,尤其移動(dòng)電話的RF單元必需使用高Q值,適合2~5GHz高頻的FBAR濾波器(Film Bulk Acoustic Resonator filter)的發(fā)展,更是受到通信業(yè)者高度注意。有監(jiān)于此本文要介紹FBAR濾波器(filter)、RF-MEMS開關(guān)(switch),以及MEMS可變電容器的制作技術(shù)。
發(fā)展經(jīng)緯
寬頻化后的移動(dòng)電話面臨HSDPA(High Speed Downlink Packet Access)、Super3G、4G等技術(shù)挑戰(zhàn),在此同時(shí)WLANIEEE802同樣面臨2.5GHz、5GHz、WiMAX(World Interoperability for Microwave Access)系統(tǒng)高頻領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)化等問題。
針對2.0GHz以上的高頻化需求,除了必需使用頻率范圍比SAW濾波器更高的FBRA濾波器之外,高頻電路的小型化、低成本化、模組化、一體化(monolithic)也是業(yè)者必需克服的難題,一般認(rèn)為在硅晶圓基板表面制作RF-MEMS,可以獲得較佳的競爭優(yōu)勢。
在此同時(shí)移動(dòng)電話與WLAN寬頻化后,電路系統(tǒng)的消費(fèi)電力也隨著增加,而且更容易受到多通衰減(multi pass facing)的影響,有效對策例如使用適應(yīng)型陣列天線(adaptive array antenna)技術(shù)等等。然而利用RF元件達(dá)成上述技術(shù)時(shí),必需使用可變或是可切換元件,因此低損失、低歪斜MEMS元件的發(fā)展,受到無線通信業(yè)者高度期待。
有關(guān)寬頻化方面的進(jìn)展,雖然多頻(multi band)已經(jīng)行之多年,不過系統(tǒng)切換用開關(guān)要求使用低損失、高絕緣、低歪斜的RF開關(guān)。
有關(guān)終端高性能方面的進(jìn)展,國外通信業(yè)者正積極開發(fā)軟體選擇「軟件無線技術(shù)(SDR;Software Defined Radio)」,試圖應(yīng)用在各種移動(dòng)通信系統(tǒng),在此前提下如果應(yīng)用MEMS技術(shù),可望制成可變電容器與可變電感器等無線通信元件。
FBRA濾波器的制作技術(shù)
首先介紹5GHz WLAN用、2GHz W-CDMA用FBRA共振體與濾波器的構(gòu)造、壓電薄膜與電極膜的選擇槽穴(cavity)的制作方法,以及低損失寬頻化BRA濾波器的設(shè)計(jì)技巧。
所謂FBRA是指壓電體被施加交流電界時(shí),壓電體厚度方向發(fā)生振動(dòng),利用壓電體具備的固有振動(dòng)特性的共振器而言。FBRA的動(dòng)作特性與 、 、石英bulk共振體非常類似,不過傳統(tǒng) bulk共振體高頻化時(shí)有一定極限,無法應(yīng)用在 等級,必需改用SAW構(gòu)成的共振體與濾波器。目前SAW元件廣泛應(yīng)用在行動(dòng)電話,全球市場需求量更高達(dá)20億個(gè)以上,F(xiàn)BRA與SAW元件處于相互競爭的局面,不過FBRA具備以下優(yōu)點(diǎn):
?、? 無微細(xì)圖案(fin pattern)容易高頻化,電極的耐電力性非常高。
?、? 高Q值(表示共振器的銳利度)構(gòu)成的共振體與濾波器損失非常低。
?、? 在硅晶圓半導(dǎo)體基板上制作FBRA,RF電路可以一體化。
如上所述施加交流電界時(shí)壓電體會(huì)自由振動(dòng),因此FBRA要求一定空間(cavity)。圖1是FBAR與SAW的結(jié)構(gòu)比較,由圖可知FBAR的基本結(jié)構(gòu),分別在硅晶圓半導(dǎo)體基板上制作具備空間的下方電極、壓電薄膜、上方電極,整體結(jié)構(gòu)非常簡潔。若與SAW的結(jié)構(gòu)比較,SAW必需激振彈性表面波,此外為進(jìn)行收訊基板表面設(shè)置數(shù)十根梳狀電極,至于電極的數(shù)量則取決于共振頻率與電極間距 (圖1(b))。
相較之下FBAR的共振頻率是由壓電薄膜厚度決定,雖然空間可以利用傳統(tǒng)干蝕刻技術(shù)制作,不過它屬于異方性干蝕方式,為確保預(yù)期的空間,制作上會(huì)產(chǎn)生所謂的「壞死空間(dead space)」不適合小型化元件加工,而且干蝕刻加工方式不易維持尺寸精度,必需改用可以作深孔蝕刻的Deep-RIE技術(shù),才能夠獲得小型、高精度的共振器(圖2)。
壓電薄膜通常都使用AIN、ZnO等材料。表1是使用AIN、ZnO壓電薄膜的特性比較,由表可知ZnO具有高電氣機(jī)械結(jié)合系數(shù)的優(yōu)點(diǎn),不過綜合考慮音速、頻率溫度系數(shù)、高Q等特性時(shí),研究人員最后決定改用AIN材料。
材料 AIN ZnO
電氣機(jī)械結(jié)合系數(shù)k2(%) 6.5 8.5
頻率溫度系數(shù)(ppm/℃) -25 -60
音速(m/s) 11300 6080
高Q 良好 控制復(fù)雜
表1 壓電薄膜的特性比較
圖3是使用AIN與ZnO材料的壓電薄膜,5GHz時(shí)的共振特性比較,如圖所示使用AIN的壓電薄膜具有尖銳(sharp)良好的共振特性,濾波器低損失化與寬頻化時(shí)要求結(jié)晶性良好的AIN,尤其是AIN的c軸配向非常好,它對電極薄膜的選擇與表面狀態(tài)是非常重要的要素。
電極材料的要求特性分別如下:
?、?高音響阻抗(impedance)(亦即高楊氏率、高密度)。
⑵.低阻抗。
⑶.低表面粗糙性。
因此新世代FBAR的電極使用高音響阻抗Ru材料。Ru質(zhì)電極表面狀態(tài)經(jīng)過平坦化加工,在其上方堆積的AIN可以順利達(dá)成高配向化,若與傳統(tǒng)Mo電極材料比較,Ru質(zhì)電極可以獲得高Q值,圖4是FBAR的壓電薄膜與電極斷面構(gòu)造。
濾波器的設(shè)計(jì)經(jīng)常應(yīng)用在SAW濾波器,圖5是梯型(Ladder Type)FBAR濾波器的內(nèi)部結(jié)構(gòu),如圖所示它是由并聯(lián)碗型共振器與串聯(lián)碗型共振器,兩者呈階梯狀連接構(gòu)成,接著使兩種共振器的反共振頻率接近一致,如此就能夠獲得良好的頻通(band pass)特性。此處為了賦予并聯(lián)與串聯(lián)共振器頻率差,因此在并聯(lián)碗型共振器上方制作負(fù)載膜,利用它的質(zhì)量負(fù)載效應(yīng)使頻率低于聯(lián)碗型共振器。此時(shí)只要設(shè)定連接后的共振器基本區(qū)段間段數(shù),控制并聯(lián)碗型共振器的靜電容量比,以及晶片或是封裝內(nèi)配列的電感(inductance)(Lo,Lp),就能夠控制濾波器的損失與衰減特性,獲得低損失高頻通特性的濾波器。
研究人員應(yīng)用上述技術(shù)分別開發(fā)兩種濾波器,分別是北美歐洲地區(qū)用5.15~5.35GHz寬頻FBAR濾波器,與日本地區(qū)用5.15~5.25GHz窄頻FBAR濾波器。
圖6是北美歐洲地區(qū)用5.15~5.35GHz寬頻FBAR濾波器的特性,由圖可知該濾波器的損失低于2dB以下,SAW濾波器若與傳統(tǒng)陶瓷濾波器比較,不論是損失或是頻通都具有非常優(yōu)秀的特性;有關(guān)耐電力特性,F(xiàn)BAR濾波器若與SAW比較,同樣具有非常優(yōu)秀的特性。
圖7是研究人員改變制程試作可以內(nèi)建在2.0×1.6×0.6mm小型封裝內(nèi)的2GHz FBAR濾波器的特性,根據(jù)測試結(jié)果顯示,它可以獲得非常優(yōu)秀的損失與頻通抑壓特性。
RF-MEMS開關(guān)的制作技術(shù)
行動(dòng)電話內(nèi)部的GaAs半導(dǎo)體開關(guān),主要功能是切換天線與頻域(band),通訊頻率越高損失越大,絕緣特性相對降低,歪斜特性則隨著增加,整體通信性能明顯劣化。根據(jù)研究報(bào)告指出機(jī)械式RF-MEMS開關(guān),在高頻范圍可以獲得低損失、高絕緣以及線性特性。
圖8是典型接觸式MEMS開關(guān)的基本結(jié)構(gòu),如圖所示它是在設(shè)有信號線路的基板制作金屬接點(diǎn)形成懸臂(cantilever)結(jié)構(gòu),利用連動(dòng)器(actuator)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行開、閉動(dòng)作,利用薄膜的積層與圖案化為主的表面加工制程制成的連動(dòng)器,整體結(jié)構(gòu)非常簡潔,因此成為靜電驅(qū)動(dòng)型MEMS開關(guān)的主流。
此外制作微米等級的高精度間隙(gap),長膜時(shí)要求精密的應(yīng)力控制技術(shù),一般認(rèn)為不易實(shí)現(xiàn)低損失要求的線路低阻抗化,因此研究人員開發(fā)不需要應(yīng)力控制可以實(shí)現(xiàn)低損失的RF-MEMS開關(guān)結(jié)構(gòu)(圖9)。
新型RF-MEMS開關(guān)同樣采用靜電驅(qū)動(dòng)型懸臂設(shè)計(jì),信號線路利用厚膜電鍍技術(shù)制作,它可以達(dá)成低阻抗化要求。具體步驟首先在高阻抗Si的SOI(Silicon on Insulator)表面制作上層硅,接著利用蝕刻技術(shù)通過欄柵(slit),去除中間的氧化膜形成懸臂,由于厚質(zhì)bulk硅的懸臂是由薄膜構(gòu)成,因此幾乎無應(yīng)力變形問題,而且能夠在電鍍金屬之間形成高精度狹窄間隙。
此時(shí)若對電鍍制成的GND電極,與懸臂上方的驅(qū)動(dòng)電極之間施加電壓,懸臂受到靜電影響會(huì)朝上方反翹,前端接點(diǎn)與信號線接觸變成ON狀態(tài),懸臂同時(shí)利用接點(diǎn)支撐,由于懸臂擁有的彈簧系數(shù)非常大,因此構(gòu)造上驅(qū)動(dòng)電極一直到最后,都不會(huì)主動(dòng)與GND電極接觸。
此外驅(qū)動(dòng)電極與GND電極不需要挾持絕緣層,所以不會(huì)因?yàn)榻^緣層charge up(亦即未施加電壓狀態(tài)下出現(xiàn)ON現(xiàn)象)發(fā)生誤動(dòng)作,一旦切斷驅(qū)動(dòng)電壓利用懸臂的彈性,接點(diǎn)會(huì)跳脫信號線變成OFF狀態(tài)。圖10是RF-MEMS的電子顯微鏡照片;圖11是編號SP4具備一個(gè)輸入四個(gè)輸出的RF-MEMS開關(guān)電子顯微鏡照片,SP4的驅(qū)動(dòng)電壓低于10V,屬于低電壓靜電驅(qū)動(dòng)型RF-MEMS開關(guān);圖12是上述新型RF-MEMS開關(guān)的動(dòng)作特性,設(shè)計(jì)目標(biāo)是2GHz時(shí)的損失低于0.3dB,絕緣大于30dB。
MEMS可變電容器的制作技術(shù)
目前大部份的移動(dòng)電話RF電路單元,包含模擬被動(dòng)元件在內(nèi)的頻率都被固定,隨著移動(dòng)電話高性能化,市場強(qiáng)烈要求RF模組小型化,同時(shí)必需能夠支援多頻化(multi band),一般認(rèn)為同一個(gè)RF電路如果具備可以支援多頻的可變同調(diào)功能,就能夠大幅抑制電路制作成本與電路規(guī)模。接著介紹可以實(shí)現(xiàn)可變電容器被動(dòng)元件的MEMS可變電容器的制作技術(shù)。有關(guān)MEMS可變電容器的結(jié)構(gòu),例如平行平板型或是梳狀齒形電極,不易同時(shí)獲得寬廣可變?nèi)萘浚ǎ┡c高Q值,此外目前移動(dòng)電話常用的利用電壓控制容量的可變電容器(Varactor),雖然可變?nèi)萘浚ǎ┓浅拸V,不過Q值卻不如預(yù)期高,因此研究人員決定利用MEMS技術(shù),開發(fā)兩者兼具的次世代可變電容器。
圖13是次世代MEMS可變電容器的基本構(gòu)造,如圖所示它是利用懸浮在空中的薄膜狀上方可動(dòng)電極,與下方可動(dòng)電極挾持狹窄間隙,在封密領(lǐng)域形成電容器(Capacitor),此時(shí)為了獲得大容量,因此在下方可動(dòng)電極上方制作高誘電率絕緣性薄膜。一般積層薄膜容易殘留薄膜應(yīng)力不易獲得平坦形狀,必需有效利用電極的反翹特性設(shè)計(jì)可變結(jié)構(gòu),具體方法使電容器單元的下方可動(dòng)電極朝上方彎曲(凸?fàn)睿?,其中一部份接近上方可?dòng)電極,一旦對上下方可動(dòng)電極之間施加電壓,利兩電極之間的靜電吸引力使近接部位朝中心移動(dòng),兩電極之間的間隙變窄電容量也隨著改變,電極近接部位產(chǎn)生的靜電變大,即使低電壓也可以高精度控制電極之間的間隙,實(shí)現(xiàn)低電壓大容量可變電容器的預(yù)期目標(biāo)。
圖14是試作靜電驅(qū)動(dòng)型MEMS可變電容器(1.5×1.8mm)的外形;圖15是施加電壓時(shí)的電容量變化特性,根據(jù)測試結(jié)果顯示次世代MEMS可變電容器,5V的驅(qū)動(dòng)電壓可以獲得寬廣容量變化,從0V到5V反覆次連續(xù)改變施加電壓,它的容量變化幾乎完全相同。
為實(shí)現(xiàn)高Q值通常必需降低信號線的阻抗損失、基板的誘電損失,不過研究人員發(fā)現(xiàn)透過信號線路的最佳化設(shè)計(jì)、上下方可動(dòng)電極的中空配置、改用玻璃材質(zhì)基板等等,可以有效降低上述各種損失,即使2.4GHz也能夠獲得40左右的高Q值,整體而言次世代靜電驅(qū)動(dòng)型MEMS可變電容器的電容可變范圍是傳統(tǒng)的2倍以上。
結(jié)語
以上介紹次世代高頻無線通信不可或缺的關(guān)鍵性元件,F(xiàn)BAR濾波器(filter)、RF-MEMS開關(guān)(switch),以及MEMS可變電容器的制作技術(shù)。(fengminxing)
評論